《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm
2014-03-27

2014 年3 月27 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm x 2mm。

今天發(fā)布的器件適用于負(fù)載和充電器開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及智能手機(jī)、平板電腦、移動計算設(shè)備、非植入便攜式醫(yī)療產(chǎn)品、帶有小型無刷直流電機(jī)的手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品中電源管理應(yīng)用的H橋和電池保護(hù)。SiA936EDJ為這些應(yīng)用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的極低導(dǎo)通電阻，并內(nèi)建ESD保護(hù)功能。器件在2.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的8V VGS器件低11.7%，同時具有更高的(G-S)防護(hù)頻帶，比使用12V VGS的最接近器件的導(dǎo)通電阻低15.1%。

器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者可以在其電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個小尺寸封裝里，簡化了設(shè)計，降低了元器件數(shù)量，節(jié)省了重要的PCB空間。MOSFET進(jìn)行了100%的Rg測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

SiA936EDJ現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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