泛林介紹世界首款半導(dǎo)體制造設(shè)備維護(hù)專用協(xié)作機(jī)器人

12 月 11 日消息，Lam Research 泛林集團(tuán)當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日對(duì)其打造的世界首款專為半導(dǎo)體制造設(shè)備維護(hù)打造的協(xié)作機(jī)器人（注：Collaborative Robot）Dextro 進(jìn)行了介紹，并表示該型機(jī)器人已獲全球多家先進(jìn)晶圓廠應(yīng)用。

發(fā)表于：12/12/2024

魏少軍建議應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)

12月11日消息，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍今日表示，應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)。 “伴隨著外部先進(jìn)加工資源對(duì)我國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)關(guān)閉，中國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)所能使用的制造技術(shù)不再像之前那樣豐富，需要在技術(shù)創(chuàng)新上關(guān)注不依賴先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)技術(shù)?！?/a>

消息稱三星電子啟動(dòng)下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購(gòu)

12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 日援引行業(yè)報(bào)告表示，三星電子已于近日啟動(dòng)下代 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)所需設(shè)備的采購(gòu)，從 Lam Research 泛林集團(tuán)等主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商購(gòu)買的設(shè)備將于明年 2 月左右引進(jìn)至量產(chǎn)線。 三星電子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 級(jí)制程）DRAM。報(bào)道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產(chǎn)狀態(tài)，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產(chǎn)線將設(shè)置于韓國(guó)京畿道平澤 P4 工廠。

發(fā)表于：12/11/2024

臺(tái)積電創(chuàng)始人談Intel失敗原因

12月11日消息，隨著CEO帕特·基辛格下課，Intel目前面臨后繼無(wú)人的狀態(tài)。在真正尋找到能帶領(lǐng)其重回巔峰的領(lǐng)導(dǎo)人之前，其未來(lái)前途可謂迷霧重重。

發(fā)表于：12/11/2024

美國(guó)商務(wù)部已向美光科技提供61億美元資金

12 月 11 日消息，美國(guó)商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（注：當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國(guó)制造半導(dǎo)體。

發(fā)表于：12/11/2024

臺(tái)積電11月?tīng)I(yíng)收同比增長(zhǎng)34%

12月10日，晶圓代工大廠臺(tái)積電公布了2024年11月?tīng)I(yíng)收數(shù)據(jù)，當(dāng)月?tīng)I(yíng)收金額為新臺(tái)幣2760.58億元，環(huán)比減少12.2%，同比增長(zhǎng)34.0%。累計(jì)前11個(gè)月?tīng)I(yíng)收約新臺(tái)幣26161.45億元，同比增長(zhǎng)31.8%。

發(fā)表于：12/11/2024

臺(tái)積電2nm工藝?yán)^續(xù)漲價(jià)

12月9日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在新竹寶山工廠開(kāi)始2nm試產(chǎn)，其良率達(dá)到了60%，超越臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)期，除了寶山工廠外，明年上半年臺(tái)積電還計(jì)劃在高雄工廠開(kāi)展2nm試產(chǎn)工作。

發(fā)表于：12/10/2024

三星完成400層NAND Flash開(kāi)發(fā)

12月9日消息，根據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道稱，三星電子在其半導(dǎo)體研究所中已經(jīng)成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)的開(kāi)發(fā)。同時(shí)，三星也自上個(gè)月開(kāi)始，將這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到其平澤園區(qū)一號(hào)工廠中大規(guī)模生產(chǎn)線。而這一重要的里程碑的達(dá)成，將使得三星處于NAND Flash技術(shù)的領(lǐng)先位置，將有望領(lǐng)先已經(jīng)宣布計(jì)劃量產(chǎn)321層NAND Flash的SK海力士。

發(fā)表于：12/10/2024

通用PC DRAM內(nèi)存價(jià)格暴跌35.7%

12月9日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，截至2024年11月底，通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價(jià)格已跌至1.35美元。

發(fā)表于：12/10/2024

海信否認(rèn)3萬(wàn)人大裁員傳聞

12月10日消息，據(jù)報(bào)道，網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)近日有傳言稱，海信集團(tuán)正面臨大規(guī)模裁員，員工數(shù)量從十一萬(wàn)人減少至八萬(wàn)人，裁員數(shù)量高達(dá)三萬(wàn)人。 海信方面回應(yīng)：目前網(wǎng)絡(luò)流傳的關(guān)于海信裁員的相關(guān)數(shù)據(jù)信息，均為不實(shí)猜測(cè)。對(duì)一些媒體和自媒體通過(guò)刻意夸張裁員數(shù)量和比例“博流量”的惡劣行為，海信將通過(guò)法律途徑追究其相關(guān)責(zé)任。

發(fā)表于：12/10/2024

英偉達(dá)是否會(huì)成為第二個(gè)Qorvo

英偉達(dá)是否會(huì)成為第二個(gè)Qo­r­vo？美國(guó)5G射頻芯片公司虧損，是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈第一個(gè)倒下骨牌！

發(fā)表于：12/10/2024

鼎龍股份ArF及KrF光刻膠分別獲兩家國(guó)產(chǎn)晶圓廠訂單

12月9日晚間，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商鼎龍股份發(fā)布公告稱，公司旗下的某款浸沒(méi)式 ArF 晶圓光刻膠及某款 KrF 晶圓光刻膠產(chǎn)品前后順利通過(guò)客戶驗(yàn)證，并于近期分別收到共兩家國(guó)內(nèi)主流晶圓廠客戶的訂單，合計(jì)采購(gòu)金額超百萬(wàn)元人民幣。

發(fā)表于：12/10/2024

英特爾臨時(shí)聯(lián)席CEO證實(shí)不會(huì)放棄晶圓代工業(yè)務(wù)

12月6日消息，近日英特爾宣布原CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）正式退休，卸任董事會(huì)職務(wù)，同時(shí)任命David Zinsner和Michelle（MJ）Johnston Holthauus為公司臨時(shí)聯(lián)席CEO。而針對(duì)基辛格的突然退休離職，外界也擔(dān)憂其所推動(dòng)的IDM 2.0戰(zhàn)略是否能夠繼續(xù)執(zhí)行下去，特別是晶圓代工業(yè)務(wù)是否會(huì)放棄？

發(fā)表于：12/9/2024

成熟制程晶圓代工價(jià)格戰(zhàn)愈演愈烈

12月9日消息，據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，由于目前晶圓代工成熟制程供過(guò)于求，中國(guó)大陸晶圓代工廠為填補(bǔ)產(chǎn)能，近期祭出大幅折扣搶單，其中12英寸代工價(jià)只有臺(tái)系晶圓代工廠的6折，8英寸代工價(jià)也再將20%-30%，引發(fā)臺(tái)系芯片設(shè)計(jì)廠商紛紛轉(zhuǎn)至大陸投片，沖擊到了聯(lián)電和世界先進(jìn)等臺(tái)系成熟制程晶圓代工廠。

發(fā)表于：12/9/2024

英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進(jìn)展

12月8日消息，在近日的IEDM 2024（2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議）上，英特爾代工展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。

發(fā)表于：12/9/2024