EDA與制造相關(guān)文章 消息稱英偉達(dá)首款Windows on Arm處理器將采用英特爾3nm工藝 消息稱英偉達(dá)首款 Windows on Arm 處理器將采用英特爾 3nm 工藝 發(fā)表于：2024/5/27 玻璃基板企業(yè)Absolics將獲美芯片法案至多7500萬美元補(bǔ)貼 材料領(lǐng)域首家，玻璃基板企業(yè) Absolics 將獲美《芯片法案》至多 7500 萬美元補(bǔ)貼 發(fā)表于：2024/5/27 Rapidus確認(rèn)將在2nm采用0.33NA EUV光刻機(jī) Rapidus 確認(rèn)將在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻機(jī)，已規(guī)劃未來 1.4nm 節(jié)點(diǎn) 5 月 27 日消息，Rapidus 美國(guó)子公司 Rapidus Design Solutions 負(fù)責(zé)人亨利?理查德（Henri Richard）近日表示，Rapidus 的首代工藝將不采用 High NA EUV 光刻機(jī)。 發(fā)表于：2024/5/27 韓國(guó)政府斥資26萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè) 韓國(guó)政府斥資 26 萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè)，三星、SK 海力士成受益者 發(fā)表于：2024/5/24 臺(tái)積電：2nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利 2025下半年推出N3X、N2 制程 臺(tái)積電：2nm 節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利，2025 下半年推出 N3X、N2 制程 發(fā)表于：2024/5/24 中芯國(guó)際市場(chǎng)份額躍升至全球第三 歷史首次！中芯國(guó)際躍升至全球第三：僅次于臺(tái)積電、三星 發(fā)表于：2024/5/24 臺(tái)積電2024年新建七座工廠 3nm產(chǎn)能同比增三倍仍不足 臺(tái)積電 2024 年新建七座工廠，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足 發(fā)表于：2024/5/24 臺(tái)積電南京廠獲無限期豁免許可 美中貿(mào)易戰(zhàn)從2018年開打，2022年10月開始美國(guó)針對(duì)出口到中國(guó)的半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品祭出管制法規(guī)。 而臺(tái)積電南京廠一年期的展延豁免將于5月31日截止，而臺(tái)積電也在昨（23）日宣布，已獲美國(guó)無限期豁免許可。 2022年10月美方針對(duì)出口管制法規(guī)管轄的特定高速運(yùn)算芯片等，半導(dǎo)體生產(chǎn)的物項(xiàng)輸往特定國(guó)家時(shí)，采取更嚴(yán)格的出口管制要求。不過三星等韓國(guó)半導(dǎo)體廠則獲得在大陸半導(dǎo)體設(shè)備管制的無限期延長(zhǎng)豁免，但臺(tái)積電南京子公司僅取得美國(guó)政府一年豁免，引發(fā)各界關(guān)注。 發(fā)表于：2024/5/24 美光在同存儲(chǔ)企業(yè)Netlist的專利訴訟中敗訴 美光在同存儲(chǔ)企業(yè) Netlist 的專利訴訟中敗訴，面臨 4.45 億美元賠償 發(fā)表于：2024/5/24 SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80% 5 月 23 日消息，SK 海力士產(chǎn)量主管 Kwon Jae-soon 近日向英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》表示，該企業(yè)的 HBM3E 內(nèi)存良率已接近 80%。 發(fā)表于：2024/5/23 ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機(jī) ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機(jī) 發(fā)表于：2024/5/23 ASML：考慮推出通用EUV光刻平臺(tái) 覆蓋不同數(shù)值孔徑 ASML 著眼未來：考慮推出通用 EUV 光刻平臺(tái)，覆蓋不同數(shù)值孔徑 發(fā)表于：2024/5/23 2024年Gartner Top25供應(yīng)鏈榜單公布 AI 崛起已成定勢(shì)：2024 年 Gartner Top 25 供應(yīng)鏈榜單公布，英偉達(dá)首次上榜入圍前十 發(fā)表于：2024/5/23 臺(tái)積電：CoWoS和SoIC產(chǎn)能未來三年將增長(zhǎng)60%和100% 臺(tái)積電：CoWoS 和 SoIC 產(chǎn)能未來三年復(fù)合年增長(zhǎng)率將分別達(dá) 60%、100% 發(fā)表于：2024/5/23 三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā) 對(duì)標(biāo)臺(tái)積電！三星3nm芯片下半年量產(chǎn)：Galaxy S25全球首發(fā) 發(fā)表于：2024/5/23 ?…65666768697071727374…?
