EDA與制造相關(guān)文章 光刻機巨頭ASML被傳將“離開”荷蘭 據(jù)荷蘭《電訊報》3月6日報道，一名消息人士透露，因荷蘭政府的反移民政策傾向，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃搬離荷蘭。目前，荷蘭政府已成立了一個名為“貝多芬計劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo)，以探索阻止ASML離開的方法。 消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴張或遷移，法國是選擇之一。 發(fā)表于：2024/3/7 谷歌Tensor G4芯片采用三星FOWLP封裝工藝 根據(jù)韓媒 FNN 報道，谷歌即將推出的 Tensor G4 芯片，將采用和 Exynos 2400 相同的 " 扇出晶圓級封裝 "（FOWLP）工藝。 發(fā)表于：2024/3/7 三星確認(rèn)第二代3納米工藝更名為2納米 3 月 5 日消息，三星確認(rèn)第二代3納米工藝更名為2納米，而該工藝計劃將于今年年底前量產(chǎn)。去年年底就有更名的相關(guān)消息，而現(xiàn)在基本已經(jīng)得到確認(rèn)。 發(fā)表于：2024/3/6 美光計劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本 美光計劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本 發(fā)表于：2024/3/6 韓國兩家芯片設(shè)備制造商遭黑客入侵 韓國兩家芯片設(shè)備制造商遭黑客入侵 韓國國家情報局表示，朝鮮在2023年12月和2024年2月滲透了兩家公司的服務(wù)器，竊取了其設(shè)施的產(chǎn)品和生產(chǎn)設(shè)施的藍(lán)圖。韓國國家情報局在一份聲明中說，這些黑客采用了一種被稱為“l(fā)iving off the land（LOTL）”的技術(shù)，最大限度地減少惡意代碼并使用服務(wù)器內(nèi)安裝的現(xiàn)有合法工具，從而難以用安全軟件檢測到，建議各韓國公司采取預(yù)防措施。 發(fā)表于：2024/3/6 GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布 3 月 6 日消息，固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDEC 今日正式發(fā)布 JESD239 GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)（Graphics Double Data Rate），JESD239 GDDR7 提供的帶寬是 GDDR6 的兩倍，每臺設(shè)備最高可達(dá) 192 GB/s。 發(fā)表于：2024/3/6 Intel曬史上最貴開箱：全球首臺高NA光刻機已裝機 Intel發(fā)布了一條特殊的開箱視頻，堪稱史上最貴：他們從ASML拿到的全球第一臺高NA EUV光刻機，已經(jīng)開始在美國俄勒岡州希爾斯伯勒附近的工廠內(nèi)安裝了。 這臺型號為Twinscan EXE:5000的光刻機著實是個龐然大物，運輸過程中動用了250個貨箱，總重約150噸，先用飛機從荷蘭運到俄勒岡州波特蘭，再用卡車分批次拉到工廠。 目前安裝的還只是核心組件，全部搞定需要250多名ASML、Intel的工程師，耗時約6個月，然后還得花時間調(diào)試。 發(fā)表于：2024/3/6 臺積電計劃在2025年開始生產(chǎn)2納米芯片 蘋果Mac和iPhone芯片可能是迄今最強大芯片，為臺積電3納米。 但新報告指蘋果努力開發(fā)3納米下代芯片，著眼于更先進(jìn)的2納米技術(shù)。雖未證實，但考慮到蘋果一向支持臺積電先進(jìn)制程，仍然值得留意。 蘋果此前已經(jīng)采用了臺積電的5納米技術(shù)，在其M3 Mac芯片和iPhone 15 Pro系列的A17 Pro芯片中使用了3納米工藝。 這些芯片已經(jīng)被應(yīng)用于14和16寸的MacBook Pro筆記本電腦、24寸的iMac臺式電腦，以及13和15寸的MacBook Air。OLED iPad Pro也有望搭載這款芯片，使其成為迄今為止速度最快的iPad。 發(fā)表于：2024/3/5 南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億 據(jù)媒體報道，中國臺灣內(nèi)存大廠南亞(Nanya)發(fā)生了一起內(nèi)部竊密案，涉及到20nm工藝技術(shù)，造成嚴(yán)重?fù)p失。 2015-2016年間，南亞從美光引入了20nm DRAM內(nèi)存芯片制造工藝，曾向相關(guān)業(yè)務(wù)部門的員工開設(shè)了線上培訓(xùn)課程。 南亞錦興工廠的一位李姓小組長在參加培訓(xùn)的過程中，通過截屏的方式，偷偷記錄了相關(guān)技術(shù)資料，作為自己后續(xù)跳槽的資本。 發(fā)表于：2024/3/5 2024年全球半導(dǎo)體營收預(yù)計增長17%至6000億美元 2023年全球半導(dǎo)體市場面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在地緣政治和整體經(jīng)濟等各種不確定因素的影響下，機構(gòu)預(yù)計，2023年全球IC設(shè)計和IDM行業(yè)收入將達(dá)到5230億美元，較上一年下降8.9%。 機構(gòu)預(yù)測，展望2024年，在AI應(yīng)用芯片和存儲需求的推動下，全球半導(dǎo)體收入預(yù)計將達(dá)6000億美元，增長17%，將進(jìn)一步恢復(fù)增長。 發(fā)表于：2024/3/5 三星計劃采用英偉達(dá)“數(shù)字孿生”技術(shù)提升芯片良率以追趕臺積電 近幾年三星代工部門一直落后于其競爭對手臺積電，其生產(chǎn)的芯片性能也無法與臺積電的產(chǎn)品相媲美。據(jù)報道，三星計劃采用基于英偉達(dá) Omniverse 平臺的“數(shù)字孿生”技術(shù)，以期縮小與臺積電的差距。 發(fā)表于：2024/3/5 SK海力士三星電子HBM良率僅65% 據(jù)韓媒 DealSite 報道，SK 海力士、三星電子今年針對 HBM 內(nèi)存大幅擴產(chǎn)。不過 HBM 內(nèi)存有著良率較低等問題，難以跟上 AI 市場相關(guān)需求。 作為 AI 半導(dǎo)體市場搶手貨的 HBM 內(nèi)存，其采用晶圓級封裝（WLP）：在基礎(chǔ)晶圓上通過 TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內(nèi)存晶圓，其中一層 DRAM 出現(xiàn)問題就意味著整個 HBM 堆棧的報廢。 發(fā)表于：2024/3/5 AI浪潮帶動存儲芯片再進(jìn)化 全球產(chǎn)業(yè)數(shù)位化，數(shù)位資料規(guī)模攀升，加上AI技術(shù)興起，全球?qū)Y料處理、大數(shù)據(jù)分析與AI應(yīng)用的需求快速增長，間接提高對支援高效能運算（HPC）與AI運算的硬體裝置及芯片要求。以云端資料中心伺服器來說，HPC與AI運算需求下，需要搭配升級的芯片包含作為運算核心的中央處理器（CPU）與圖形處理器（GPU）、伺服器基板管理芯片（BMC）、電源管理芯片（PMIC）、高速傳輸芯片，以及存儲等。 其中，存儲除用于長期儲存資料、屬于非揮發(fā)性存儲的NAND Flash固態(tài)硬盤（SSD），也包含用于即時高速運算暫存資料、屬于揮發(fā)性存儲的靜態(tài)隨機存取存儲（SRAM）與動態(tài)隨機存取存儲（DRAM）。 發(fā)表于：2024/3/5 使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率 設(shè)計規(guī)則檢查 （DRC） 技術(shù)用于芯片設(shè)計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計符合制造要求，且不會導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過量或其他器件故障。 發(fā)表于：2024/3/4 芯原業(yè)界領(lǐng)先的嵌入式GPU IP賦能先楫高性能的HPM6800系列RISC-V MCU 2024年3月4日，中國上?！驹煞荩ㄐ驹?，股票代碼：688521.SH）今日宣布先楫半導(dǎo)體（簡稱“先楫”）的HPM6800系列新一代數(shù)字儀表顯示及人機界面系統(tǒng)應(yīng)用平臺采用了芯原的高性能2.5D圖形處理器（GPU）IP。 發(fā)表于：2024/3/4 ?…67686970717273747576…?
