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EDA與制造相關(guān)文章

三星SK海力士將超過20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM

三星、SK海力士將超過20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM

發(fā)表于：2024/5/15

美國官宣對中國電動汽車加征關(guān)稅：提高至100%

5月14日消息，今日，美國白宮發(fā)布公告，拜登宣布對中國鋼鐵和鋁、半導(dǎo)體、電動汽車、電池、關(guān)鍵礦物、太陽能電池、船舶、起重機(jī)、醫(yī)療用品等提高關(guān)稅。電動汽車：關(guān)稅將從25%提高到100%。電池、電池組件和零件以及關(guān)鍵礦物：鋰離子EV電池的關(guān)稅將從7.5%提高到25%，非EV電池從7.5%提高到25%，電池零件從7.5%提高到25%；自然石墨和永磁體的關(guān)稅將從0提高到25%。此外，此次加征關(guān)稅還涉及到其他方面，具體如下：太陽能電池：2024年，太陽能電池（無論是否組裝成組件）的關(guān)稅將從25%提高到50%。鋼鐵和鋁：2024年，某些鋼鐵和鋁產(chǎn)品的關(guān)稅將從0-7.5%提高到25%。半導(dǎo)體：到2025年，半導(dǎo)體的關(guān)稅將從25%提高到50%。

發(fā)表于：2024/5/15

SK海力士HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片

5 月 14 日消息，SK 海力士在 2024 年度 IEEE IMW 國際存儲研討會上不僅分享了 HBM4E 內(nèi)存開發(fā)周期將縮短到一年的預(yù)期，也介紹了該內(nèi)存的更多細(xì)節(jié)。 SK 海力士技術(shù)人員 Kim Kwi Wook 表示，這家企業(yè)計(jì)劃使用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片構(gòu)建 HBM4E 內(nèi)存。

發(fā)表于：2024/5/15

歐美制裁下的俄羅斯半導(dǎo)體：成本翻倍杯水車薪

俄烏沖突爆發(fā)后，美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導(dǎo)體的出口管制，希望通過阻斷半導(dǎo)體供應(yīng)，以降低俄羅斯的軍事戰(zhàn)力。不過，根據(jù)美國企業(yè)研究所（American Enterprise Institute）最新公布的一份報(bào)告顯示，盡管做出了這些努力，但俄羅斯通過間接渠道依然獲得了一些芯片，只是獲取芯片的成本增加了近一倍。此外，俄羅斯還獲得了一些半導(dǎo)體設(shè)備及材料，但是對于俄羅斯孱弱的芯片制造能力來說，依然是杯水車薪。

發(fā)表于：2024/5/15

中國大陸碳化硅產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大擊穿底價

中國大陸擊穿碳化硅的底價！美國Wolfspeed股價累計(jì)大跌82% 第三代半導(dǎo)體

發(fā)表于：2024/5/15

HBM4內(nèi)存競爭已達(dá)白熱化

HBM4內(nèi)存競爭已達(dá)白熱化！三星、SK海力士、美光紛紛發(fā)聲

發(fā)表于：2024/5/15

SEMI：Q1全球半導(dǎo)體制造業(yè)改善中國產(chǎn)能增長率最高

5月14日，SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）與調(diào)研機(jī)構(gòu)TechInsights合作編制的最新報(bào)告顯示，隨著電子板塊銷售額的上升、庫存的穩(wěn)定和晶圓廠產(chǎn)能的增加，2024年第一季度全球半導(dǎo)體制造業(yè)出現(xiàn)改善跡象，預(yù)計(jì)下半年行業(yè)增長將更加強(qiáng)勁。

發(fā)表于：2024/5/15

東芝HAMR、MAMR機(jī)械硬盤技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān)

東芝 HAMR、MAMR 機(jī)械硬盤技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān)，后者業(yè)界首次實(shí)現(xiàn) 11 盤片

發(fā)表于：2024/5/15

美國芯片法案已撥款290億美元

美國芯片法案已撥款290億美元，將撬動3000億美元投資根據(jù)CHIPS法案的資金分配，110億美元的研發(fā)資金將直接用于推進(jìn)四個關(guān)鍵項(xiàng)目的進(jìn)展：美國國家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)、國家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃(NAPMP)、美國芯片研發(fā)計(jì)量計(jì)劃以及美國芯片制造協(xié)會。該法案還為制造芯片及相關(guān)設(shè)備的資本支出提供25%的投資稅收抵免。

發(fā)表于：2024/5/14

SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內(nèi)存

5月14日消息，HBM負(fù)責(zé)人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當(dāng)前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過程，最早在2026年推出他們的 HBM4E內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。

發(fā)表于：2024/5/14

消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過英偉達(dá)驗(yàn)證

消息稱三星電子 8 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存尚未正式通過英偉達(dá)驗(yàn)證

發(fā)表于：2024/5/14

消息稱SK海力士三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

消息稱 SK 海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn) DDR3 內(nèi)存，帶動市場價格上行

發(fā)表于：2024/5/13

華為牽頭貢獻(xiàn)開源代碼的OGG 1.0正式發(fā)布

5月12日消息，數(shù)字化工業(yè)軟件聯(lián)盟（DISA）宣布，由其孵化的開源項(xiàng)目OGG 1.0開源幾何建模引擎已正式發(fā)布。 OGG旨在為全球工業(yè)軟件提供第二選擇，特別是在3D幾何建模領(lǐng)域。同時華為已將486項(xiàng)增強(qiáng)后的幾何內(nèi)核代碼全部開源到OGG社區(qū)。 DISA秘書長丘水平表示，OGG基于全球唯一具有工程價值的開源內(nèi)核OCCT，發(fā)展新一代工業(yè)軟件內(nèi)核，被視為確保工業(yè)軟件連續(xù)可控的戰(zhàn)略選擇。

發(fā)表于：2024/5/13

全球政府正在瘋狂補(bǔ)貼半導(dǎo)體

以美國和歐盟為首的超級大國已投入近 810 億美元用于生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，加劇了與中國爭奪芯片霸主地位的全球攤牌。這是世界各國政府為英特爾公司和臺積電等公司撥出的第一批近 3800 億美元的資金，用于提高更強(qiáng)大的微處理器的生產(chǎn)。這一激增將華盛頓主導(dǎo)的與北京在尖端技術(shù)方面的競爭推向了一個關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這將塑造全球經(jīng)濟(jì)的未來。蘭德公司高級中國及戰(zhàn)略技術(shù)顧問吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示：“毫無疑問，我們在與中國的技術(shù)競爭方面已經(jīng)越過了盧比孔河，特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域?！?雙方基本上已將此作為國家首要戰(zhàn)略目標(biāo)之一。

發(fā)表于：2024/5/13

新思科技面向臺積公司先進(jìn)工藝加速下一代芯片創(chuàng)新

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年5月11日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，攜手臺積公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)開展廣泛的EDA和IP合作，這些合作成果已應(yīng)用于一系列人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和移動設(shè)計(jì)中。其中雙方的最新合作是共同優(yōu)化的光子集成電路（PIC）流程，使硅光子技術(shù)應(yīng)用賦能更高功率、性能和晶體管密度的需求。

發(fā)表于：2024/5/11