EDA與制造相關(guān)文章 意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn) 首款采用新技術(shù)的 STM32 微控制器將于 2024 下半年開始向部分客戶出樣片 · 18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲(chǔ)器(ePCM)組合，實(shí)現(xiàn)性能和功耗雙飛 發(fā)表于：2024/4/26 美光獲得美國至多61.4億美元直接補(bǔ)貼和75億美元貸款 4 月 25 日消息，美國政府近日宣布，根據(jù)雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國政府將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向美光提供至多 61.4 億美元 發(fā)表于：2024/4/26 臺(tái)積電宣布背面供電版N2制程2025下半年向客戶推出 4 月 25 日消息，臺(tái)積電在近日公布的 2023 年報(bào)中表示，其背面供電版 N2 制程節(jié)點(diǎn)定于 2025 下半年向客戶推出，2026 年實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。 臺(tái)積電表示其 N2 制程將引入其 GAA 技術(shù)實(shí)現(xiàn) —— 納米片（Nanosheet）結(jié)構(gòu)，在性能和能效方面都提升一個(gè)時(shí)代，預(yù)計(jì)于 2025 年啟動(dòng)量產(chǎn)。 而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用于高效能運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用”，將在標(biāo)準(zhǔn)版 N2 后投入商用。 發(fā)表于：2024/4/26 SK海力士將在年內(nèi)推出1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒 SK 海力士將在年內(nèi)推出 1bnm 32Gb DDR5 內(nèi)存顆粒 發(fā)表于：2024/4/26 臺(tái)積電公布先進(jìn)工藝進(jìn)展：N3P 制程今年下半年量產(chǎn) 4 月 25 日消息，臺(tái)積電在 2023 年報(bào)中公布了包括先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝在內(nèi)的業(yè)務(wù)情況 發(fā)表于：2024/4/26 臺(tái)積電系統(tǒng)級(jí)晶圓技術(shù)將迎重大突破 4月26日消息，臺(tái)積電在系統(tǒng)級(jí)晶圓技術(shù)領(lǐng)域即將迎來一次重大突破。 臺(tái)積電宣布，采用先進(jìn)的CoWoS技術(shù)的芯片堆疊版本預(yù)計(jì)將于2027年全面準(zhǔn)備就緒。這一技術(shù)的出現(xiàn)，標(biāo)志著臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次重要?jiǎng)?chuàng)新。 發(fā)表于：2024/4/26 SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成 SK 海力士：12 層堆疊 HBM3E 開發(fā)三季度完成，下半年整體內(nèi)存供應(yīng)可能面臨不足 發(fā)表于：2024/4/26 消息稱三星電子探索邏輯芯片混合鍵合 4 月 24 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子正探索將混合鍵合技術(shù)用于邏輯芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動(dòng)端處理器。 發(fā)表于：2024/4/25 臺(tái)積電宣布A16芯片制造技術(shù)將于2026年量產(chǎn) 臺(tái)積電宣布A16芯片制造技術(shù)將于 2026 年量產(chǎn)，劍指芯片性能王座 發(fā)表于：2024/4/25 SK海力士計(jì)劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 SK海力士計(jì)劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 發(fā)表于：2024/4/25 美國政府近日宣布斥資110億美元設(shè)立研發(fā)中心 4 月 25 日消息，美國政府近日宣布斥資 110 億美元（當(dāng)前約 798.6 億元人民幣），設(shè)立專門的研發(fā)中心，推進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的相關(guān)研究。 發(fā)表于：2024/4/25 消息稱三星和AMD簽署價(jià)值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協(xié)議 4 月 24 日消息，根據(jù)韓媒 Bridge Economy 報(bào)道，三星和AMD公司簽署了價(jià)值4萬億韓元的 HBM3E 供貨合同。 發(fā)表于：2024/4/24 消息稱SK海力士HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺(tái)積電7nm制程 消息稱 SK 海力士 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺(tái)積電 7nm 制程 發(fā)表于：2024/4/24 英偉達(dá)將投資2億美元在越南建AI工廠 英偉達(dá)與越南科技巨頭 FPT 達(dá)成合作，將投資 2 億美元共建 AI 工廠 發(fā)表于：2024/4/24 臺(tái)積電：晶圓廠設(shè)備恢復(fù)率已超過70% 23日地震 臺(tái)積電：晶圓廠設(shè)備恢復(fù)率已超過70% 發(fā)表于：2024/4/24 ?…71727374757677787980…?
