8月4日消息，據臺媒《自由時報》報道，晶圓代工大廠臺積電位于高雄楠梓科學園區(qū)第一座2nm晶圓廠（P1）已經邁入量產階段，月產能上看1萬片。高雄第二座2nm晶圓廠（P2）也已開始設備裝機，預計將于今年年底前進行試產。

供應鏈設備業(yè)者透露，臺積電今年3月31日在高雄舉行2nm擴產典禮，其中主要是P2廠上梁儀式，經過近4個月的廠房建筑趕工、建置無塵室等廠務工程后，P2廠A區(qū)近日已開始展開設備裝機，估計3-4個月后，可加入試產行列。B區(qū)也開始建置廠務設施。P1和P2晶圓廠規(guī)劃今年設備裝機數共可達3萬片月產能。 P3廠正興建中，擬生產2nm系列的A16制程，后續(xù)還有P4、P5廠。

臺積電位于竹科寶山F20廠也是臺積電另一個生產2nm制造基地。供應鏈指出，目前F20廠區(qū)的P1廠已完成風險性試產，展開量產投片，P2也已興建完工并完成裝機，預計到今年底，P1、P2廠共計建置月產能3萬至3.5萬片。建廠中的P3、P4廠有望切入生產A14制程。

所以，目前臺積電在中國臺灣已經有4座2nm晶圓廠裝機和陸續(xù)展開試產，每座晶圓廠潔凈室面積是同業(yè)的2倍大。根據供應鏈估計，明年臺積電2nm產能將持續(xù)開出，預估月產能超過6萬片。

根據臺積電公布的資料顯示，其2nm制程將會采用全新的納米片（Nanosheet，類似環(huán)繞柵極GAA晶體管）架構，相比上一代的3nm制程，2nm在相同電壓下可以將功耗降低 24% 至 35%，或將性能提高15%，晶體管密度提高了 1.15 倍。

此前的傳聞顯示，臺積電2nm試產良率已經達到 了65%，超越了Intel 18A和三星的SF2。不過，臺積電并未透露具體的良率數據，僅表示比外界預期更好。

盡管2bn技術門檻高與生產更為復雜，但臺積電有信心2納米與A16將成為下一波AI芯片的關鍵技術，2nm也將推出N2P、A16等強化版的家族系列技術，為智能手機與高性能計算客戶更多選擇。

臺積電透露，其2nm在前兩設計定案數量將高于3nm、5nm同期的表現，幾乎所有創(chuàng)新的客戶都有合作， 并預估5年內將驅動全球達2.5萬億美元終端產品價值。

至于3nm制程，目前臺積電已經進入了量產的第三年，擁有N3E、N3P、N3X等多個技術版本，臺積電估計今年3nm整體產能將成長超過60%，因技術與良率表現良好，連最講究品質的車用芯片相關產品今年也采3nm生產，并已開始出貨。

財報顯示，今年二季度，3nm制程也已經占據了臺積電營收比重達24%，相當貢獻當季營收約新臺幣2240億元，預期下半年將持續(xù)攀升。 接下來，臺積電2nm量產曲線有望與3nm相當。

此前市場傳聞臺積電每片2nm晶圓價格將達3萬美元，將比3nm貴50%，有助于臺積電后續(xù)營收與獲利增長。