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EDA與制造相關(guān)文章

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠相繼開啟氖氣回收計(jì)劃

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》15日訊，據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭三星電子、SK海力士正利用氖氣回收技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，并降低成本、減輕供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。SK海力士近日宣布與韓國(guó)氣體供應(yīng)商TEMC合作，在氖氣回收方面取得突破。三星電子也緊隨其后，計(jì)劃在2025年將氖氣回收技術(shù)整合到其制造工藝當(dāng)中。氖氣用于半導(dǎo)體光刻中激發(fā)激光，通過(guò)利用裝置收集廢氣，SK海力士與TEMC實(shí)現(xiàn)了72.7%的氖氣回收率，并計(jì)劃將效率進(jìn)一步提升至77%。

發(fā)表于：2024/4/16

日本先進(jìn)制程代工廠Rapidus在美建立子公司

4 月 15 日消息，日本先進(jìn)半導(dǎo)體代工企業(yè) Rapidus 近日宣布在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉開設(shè)子公司 Rapidus Design Solutions，負(fù)責(zé) Rapidus 在美業(yè)務(wù)的整體發(fā)展。這一位于硅谷的辦事處旨在加強(qiáng) Rapidus 同美國(guó)先進(jìn)無(wú)廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)、技術(shù)合作伙伴等的聯(lián)系。 Rapidus Design Solutions 的首任總經(jīng)理兼總裁為亨利?理查德（Henri Richard）。理查德曾于 2002~2007 年擔(dān)任 AMD 首席銷售 / 營(yíng)銷官，也在 IBM、閃迪、希捷擔(dān)任過(guò)這一方面的職位。其目前已完成了 Rapidus 在美核心銷售營(yíng)銷團(tuán)隊(duì)的組建。

發(fā)表于：2024/4/15

美光科技：臺(tái)灣地震導(dǎo)致DRAM芯片季度供應(yīng)下降5%

中國(guó)臺(tái)灣花蓮7.3級(jí)強(qiáng)震對(duì)于存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的影響持續(xù)發(fā)酵。鈦媒體App獲悉，4月12日，全球存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技（Micron）向美國(guó)SEC發(fā)布文件稱，中國(guó)臺(tái)灣4月3日發(fā)生的地震將導(dǎo)致公司生產(chǎn)的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體）產(chǎn)品供應(yīng)在本季度內(nèi)造成高達(dá)中個(gè)位數(shù)百分比的影響，即5%左右。美光方面也強(qiáng)調(diào)，目前就公司運(yùn)營(yíng)和供應(yīng)鏈影響來(lái)看，所有美光團(tuán)隊(duì)成員都是安全的，而且這場(chǎng)地震對(duì)設(shè)施、基礎(chǔ)設(shè)施或工具沒(méi)有永久性影響，也不會(huì)影響我們的長(zhǎng)期 DRAM 供應(yīng)能力。

發(fā)表于：2024/4/15

英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝

2024年4月12日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過(guò)汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。

發(fā)表于：2024/4/12

英飛凌與韓國(guó)造船海洋聯(lián)合開發(fā)船舶電氣化技術(shù)

2024年4月11日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與韓國(guó)造船海洋（HD KSOE）簽署了諒解備忘錄（MoU），這是雙方為了低碳節(jié)能，利用功率半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合開發(fā)新興船用發(fā)動(dòng)機(jī)和機(jī)械電氣化的第一步。

發(fā)表于：2024/4/12

SK海力士無(wú)錫代工廠25億元出售

SK海力士無(wú)錫代工廠25億元出售

發(fā)表于：2024/4/12

臺(tái)積電SoIC高端封裝已為蘋果小規(guī)模試產(chǎn)

4 月 12 日消息，根據(jù)供應(yīng)鏈消息，在 AMD 之后，蘋果、英偉達(dá)、博通三家公司也開始和臺(tái)積電合作，推進(jìn) SoIC 封裝方案。臺(tái)積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí)，也在積極推動(dòng)下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/4/12

臺(tái)積電年末試產(chǎn)2nm工藝

雖然目前來(lái)看2025年還早，但是隨著時(shí)間的推移，蘋果下一代芯片已經(jīng)在路上了。據(jù)報(bào)道，蘋果芯片供應(yīng)商臺(tái)積電正在制造2nm和1.4nm芯片方面取得進(jìn)展，這些芯片很可能用于未來(lái)幾代蘋果芯片——最早可能搭載于2025年秋發(fā)布的iPhone 17 Pro上。根據(jù)目前已知的消息，2nm和1.4nm芯片的量產(chǎn)時(shí)間顯然已經(jīng)確定。2nm節(jié)點(diǎn)將于2024年下半年開始試生產(chǎn)，小規(guī)模生產(chǎn)將于2025年第二季度逐步推進(jìn)。

發(fā)表于：2024/4/12

消息稱三星電子最快本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第9代V-NAND閃存

4 月 12 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，三星最快于本月晚些時(shí)候?qū)崿F(xiàn)第 9 代 V-NAND 閃存的量產(chǎn)。三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 閃存將于“今年初”量產(chǎn)，擁有業(yè)界領(lǐng)先的堆疊層數(shù)。三星于 2022 年 11 月量產(chǎn)了 236 層第 8 代 V-NAND，這意味著兩代之間的間隔為一年半左右。

發(fā)表于：2024/4/12

2026年中國(guó)大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一

2026年，中國(guó)大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一

發(fā)表于：2024/4/12

晶圓制造商SK siltron獲美國(guó)7700萬(wàn)美元支持

晶圓制造商 SK siltron 獲美國(guó) 7700 萬(wàn)美元支持 4 月 11 日消息，SK 集團(tuán)旗下的 SK siltron 是韓國(guó)國(guó)內(nèi)唯一的半導(dǎo)體晶圓制造商，也是當(dāng)前全球第五大硅晶圓廠商。目前，該公司在韓國(guó)、美國(guó)生產(chǎn) SiC 晶圓，也在開發(fā) GaN 晶圓。

發(fā)表于：2024/4/12

Arm 推出新一代 Ethos-U AI 加速器及全新物聯(lián)網(wǎng)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)

Arm 控股有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：ARM，以下簡(jiǎn)稱“Arm”）今日宣布推出 Arm® Ethos?-U85 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器 (NPU)，是 Arm 迄今性能最高且能效最佳的 Ethos NPU 產(chǎn)品，以及全新物聯(lián)網(wǎng)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)——Arm Corstone?-320，以加速實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音、音頻和視覺(jué)系統(tǒng)的部署。

發(fā)表于：2024/4/10

通過(guò)工藝建模進(jìn)行后段制程金屬方案分析

隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導(dǎo)體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。

發(fā)表于：2024/4/10

臺(tái)積電收獲美國(guó)840億元現(xiàn)金＋貸款

臺(tái)積電收獲美國(guó)840億元現(xiàn)金＋貸款！第三座晶圓廠超越2nm

發(fā)表于：2024/4/9

三星：已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗(yàn)證

三星：已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗(yàn)證整體高度縮減

發(fā)表于：2024/4/9