EDA與制造相關(guān)文章 HBM供不應(yīng)求 美光廣島新廠2027年量產(chǎn) HBM供不應(yīng)求，美光廣島新廠2027年量產(chǎn) 發(fā)表于：6/13/2024 三星公布芯片技術(shù)路線圖 6月13日，三星公布芯片技術(shù)路線圖，以贏得AI業(yè)務(wù)。 根據(jù)三星預(yù)測，到2028年其AI相關(guān)客戶名單將擴(kuò)大五倍，收入將增長九倍，該公司公布了對未來人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。三星推出的先進(jìn)工藝采用的背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)將電源軌放置在硅晶圓的背面，該公司表示，與第一代2納米工藝相比，這種技術(shù)提高了功耗、性能的同時，顯著降低了電壓。 三星還表示，其提供邏輯、內(nèi)存和先進(jìn)封裝的能力，將有助于公司贏得更多人工智能相關(guān)芯片的外包制造訂單。公司還公布了基于AI設(shè)計(jì)的GAA處理器（(Gate-All-Around,全環(huán)繞柵極)，其中第二代3納米的GGA計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)，并在其即將推出的2納米工藝中提供GAA。該公司還確認(rèn)其1.4納米的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，目標(biāo)有望在2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 發(fā)表于：6/13/2024 埃賽力達(dá)推出首款適用于340 nm-360 nm波長范圍的LINOS UV F-Theta Ronar低釋氣鏡頭 新上市的UV F-Theta鏡頭采用優(yōu)化的低釋氣不銹鋼設(shè)計(jì)，適用于UV紫外激光材料加工應(yīng)用。 發(fā)表于：6/12/2024 意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園 2024年6月6日，中國 -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼： STM），宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點(diǎn)現(xiàn)有的碳化硅襯底制造廠，意法半導(dǎo)體將打造一個碳化硅產(chǎn)業(yè)園，實(shí)現(xiàn)公司在同一個園區(qū)內(nèi)全面垂直整合制造及量產(chǎn)碳化硅的愿景。新碳化硅產(chǎn)業(yè)園的落地是意法半導(dǎo)體的一個重要里程碑，將幫助客戶借助碳化硅在汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域加速電氣化，提高能效。 發(fā)表于：6/12/2024 消息稱三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成 消息稱三星電子 12nm 級 DRAM 內(nèi)存良率不足五成，已就此成立專門工作組 發(fā)表于：6/12/2024 9家英國半導(dǎo)體公司組團(tuán)前往中國臺灣尋求合作 9家英國半導(dǎo)體公司組團(tuán)前往中國臺灣，尋求合作 發(fā)表于：6/12/2024 夏普確認(rèn)SDP堺市LCD工廠60%區(qū)域?qū)⒏慕檐涖y數(shù)據(jù)中心 夏普確認(rèn)SDP堺市LCD工廠60%區(qū)域?qū)⒏慕檐涖y數(shù)據(jù)中心 發(fā)表于：6/12/2024 科學(xué)家利用AI造出世界最強(qiáng)鐵基超導(dǎo)磁體 6 月 12 日消息，英國和日本科學(xué)家利用人工智能AI技術(shù)，成功制造出世界上最強(qiáng)的鐵基超導(dǎo)磁體，相關(guān)論文發(fā)表于《亞洲材料》雜志。 發(fā)表于：6/12/2024 SK海力士將于2025年一季度量產(chǎn)GDDR7顯存 6 月 12 日消息，據(jù)外媒 Anandtech 報道，SK 海力士代表在 2024 臺北國際電腦展上表示，該公司將于 2025 年一季度開始大規(guī)模生產(chǎn) GDDR7 芯片。 SK 海力士在 COMPUTEX 2024 上展示了 GDDR7 顯存，并確認(rèn)相關(guān)顆粒已可向合作伙伴出樣。 發(fā)表于：6/12/2024 日本連續(xù)三個季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國 日本連續(xù)三個季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國 發(fā)表于：6/12/2024 滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能 投資132億元！滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能：總產(chǎn)能將達(dá)120萬片/月 發(fā)表于：6/12/2024 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 發(fā)表于：6/12/2024 韓國AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺積電3nm制程 韓國AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺積電3nm制程 發(fā)表于：6/12/2024 三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 內(nèi)存堆疊高度受限，三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 發(fā)表于：6/12/2024 傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對華出口 6月12日，據(jù)彭博社報道，知情人士稱，拜登政府正在考慮進(jìn)一步限制中國獲得用于人工智能(AI)的芯片技術(shù)，這次把目標(biāo)鎖定在了一種剛剛進(jìn)入市場的新硬件。傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對華出口 發(fā)表于：6/12/2024 ?…74757677787980818283…?
