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三星高管暗示其HBM芯片已獲英偉達質(zhì)量測試重大進展

三星電子高管在財報電話會上提到，公司在向英偉達供應(yīng)人工智能（AI）內(nèi)存芯片方面取得進展。當(dāng)?shù)貢r間周四（10月31日），三星電子公布財報顯示，公司芯片部門第三季度實現(xiàn)營業(yè)利潤3.9萬億韓元，遠低于上一季度的6.45萬億韓元，環(huán)比大降近40%。作為全球最大的存儲芯片巨頭，三星錯失了人工智能熱潮這一良機，遠落后于從中大賺特賺的競爭對手SK海力士。分析認為，三星高管這番話是為了安撫投資者。

發(fā)表于：11/1/2024

SK海力士將集成3D檢測單元以提升12層HBM3E的良率和產(chǎn)量

10月31日消息，據(jù)BusinessKorea報道，繼今年9月SK海力士宣布領(lǐng)先全球量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E之后，隨著AI 市場對于SK 海力士的 12 層 HBM3E 需求的大幅增長，促使SK海力士計劃在HBM中集成 3D 檢測單元，以提升產(chǎn)量和良率。報道稱，SK Hynix 已經(jīng)收到了英偉達等 HBM 主要客戶的請求，希望以更快的速度和更大的供應(yīng)量提供HBM3E 12 層產(chǎn)品。但是，SK 海力士在從晶圓到HBM芯片的切割過程中遇到了障礙，因為該工藝在增加四層后容易造成不必要的損壞。對此，SK海力士計劃通過整合 3D 檢測單元，來大幅提高良率和生產(chǎn)能力。如果評估完成，Nextin 的設(shè)備很有可能被引入HBM3E 12 層量產(chǎn)線。

發(fā)表于：11/1/2024

三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)三季度獲利環(huán)比大跌40%

三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)三季度獲利環(huán)比大跌40%！

發(fā)表于：11/1/2024

AI技術(shù)賦能EDA平臺促IC設(shè)計“提質(zhì)增效”

日前，西門子EDA年度技術(shù)峰會“Siemens EDA Forum 2024”在上海成功舉辦，西門子EDA Silicon Systems首席執(zhí)行官 Mike Ellow親臨現(xiàn)場，發(fā)表了題為“激發(fā)想象力——綜合系統(tǒng)設(shè)計的新時代”的主旨演講，闡述了西門子EDA如何應(yīng)用AI技術(shù)不斷推動產(chǎn)品優(yōu)化，讓IC設(shè)計“提質(zhì)增效”。

發(fā)表于：10/31/2024

三大內(nèi)存原廠將于20層堆疊HBM5全面應(yīng)用混合鍵合工藝

三大內(nèi)存原廠將于 20 層堆疊 HBM5 全面應(yīng)用混合鍵合工藝

發(fā)表于：10/31/2024

消息稱三星電子2025年初引進其首臺ASML High NA EUV光刻機

10 月 30 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子已決定 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機，正式同英特爾、臺積電展開下代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)競爭。三星電子此前同比利時微電子研究中心 imec 合作，在后者與 ASML 聯(lián)手建立的 High NA EUV 光刻實驗室進行了對 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 機臺將加速三星的研發(fā)進程。

發(fā)表于：10/31/2024

傳OpenAI攜手博通及臺積電打造自研AI芯片

10月30日消息，據(jù)路透社獨家引述未具名消息人士報導(dǎo)稱，人工智能（AI）技術(shù)大廠OpenAI野心勃勃的晶圓代工廠建設(shè)計劃已經(jīng)暫時擱置，目前正與博通（Broadcom）和臺積電合作打造自研AI芯片，以支持自研AI大模型。此外，OpenAI還在采購英偉達（NVIDIA ）、AMD芯片，以滿足其高漲的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求。

發(fā)表于：10/31/2024

傳臺積電已取消對英特爾的6折優(yōu)惠

10月30日消息，據(jù)路透社29日引述未具名消息人士報導(dǎo)稱，原本在數(shù)年前臺積電與英特爾之間的關(guān)系良好，當(dāng)時英特爾將部分芯片交由臺積電代工，臺積電向英特爾提供了高達6折的折扣。但是，隨著英特爾CEO帕特·基辛格上任后推出“IDM 2.0”戰(zhàn)略，開始發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù)，這也使得臺積電取消了對英特爾的折扣優(yōu)惠。報道稱，基辛格近年來忙于恢復(fù)英特爾的制造能力，卻疏于維護與臺積電的關(guān)系。甚至是在2021年5月，基辛格還公開表示：“你不會想把所有雞蛋全放在臺灣晶圓廠這個籃子里”。同年12月，他在鼓吹政府投資美國芯片制造商時，還表示“臺灣不是一個穩(wěn)定之處”。

發(fā)表于：10/31/2024

世芯電子宣布成功流片2nm測試芯片

10月30日消息，近日，高性能 ASIC 設(shè)計服務(wù)廠商世芯電子（Alchip）發(fā)布新聞稿稱，它已經(jīng)成功流片了一款 2nm 測試芯片，預(yù)計明年第一季度將公布結(jié)果。目前，世芯正在與客戶積極合作開發(fā)高性能 2nm ASIC。

發(fā)表于：10/31/2024

西門子接近達成收購工程軟件制造商Altair

發(fā)表于：10/31/2024

三星前員工涉嫌向韓國泄露國產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國警方逮捕

據(jù)多家媒體報道，韓國駐華大使館于10月28日表示，一名50歲韓國男子A某因涉嫌“向韓國泄露中國半導(dǎo)體信息”，被以“間諜罪”于去年12月被中國警方拘留。這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來，第一起根據(jù)該法逮捕韓國人的案件。報道稱，A某現(xiàn)居安徽省合肥市，在當(dāng)?shù)匾患野雽?dǎo)體公司工作，與妻子和兩個女兒一起生活。 A某曾就職于三星電子半導(dǎo)體部門擔(dān)任離子注入技術(shù)員二十余年，2016年開始移居中國，加入了中國最大的DRAM內(nèi)存芯片制造商CXMT，當(dāng)時該公司首次招募了10 名韓國半導(dǎo)體專業(yè)人員。隨后他在離開長鑫存儲后，又相繼在另外兩家中國半導(dǎo)體公司任職。

發(fā)表于：10/31/2024

德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

　　中國北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。

發(fā)表于：10/31/2024

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

【2024年10月29日, 德國慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。

發(fā)表于：10/30/2024

消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出

10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。

發(fā)表于：10/30/2024

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓

10月29日消息，據(jù)英飛凌官方消息，近日，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。

發(fā)表于：10/30/2024