美施壓盟國(guó)收緊對(duì)華芯片設(shè)備維護(hù)服務(wù)

美國(guó)正在與盟國(guó)討論，要求收緊對(duì)中國(guó)芯片制造設(shè)備的維護(hù)服務(wù)。彭博社報(bào)道稱，當(dāng)?shù)貢r(shí)間27日，美國(guó)商務(wù)部負(fù)責(zé)工業(yè)與安全的副部長(zhǎng)艾倫?埃斯特韋斯對(duì)媒體表示，正在力推對(duì)關(guān)鍵部件提供維護(hù)的限制，并且正與盟友進(jìn)行討論。 報(bào)道稱，2023年，華為技術(shù)有限公司推出一款搭載中國(guó)制造的7納米芯片的新型5G智能手機(jī)。彭博社此前分析稱，華為及其芯片制造合作伙伴中芯國(guó)際，仍依賴美國(guó)應(yīng)用材料公司和荷蘭阿斯麥的設(shè)備。

發(fā)表于：2024/3/29

ASML受限光刻機(jī)在華維護(hù)問題懸而未決

ASML受限光刻機(jī)在華維護(hù)問題“懸而未決”

發(fā)表于：2024/3/29

荷蘭預(yù)留13億歐元挽留光刻機(jī)龍頭ASML

3月29日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，荷蘭政府正積極行動(dòng)，力求確保光刻機(jī)技術(shù)領(lǐng)軍者ASML繼續(xù)扎根本土。 根據(jù)荷蘭媒體披露的文件草案，該計(jì)劃包括恢復(fù)對(duì)技術(shù)移民的稅收減免，并為阿斯麥總部所在地——埃因霍溫地區(qū)的發(fā)展預(yù)留10億至13億歐元資金。 ASML首席執(zhí)行官溫寧克（Peter Wennink）此前曾警告稱，該公司高度依賴熟練的外國(guó)勞工，并擔(dān)心荷蘭的商業(yè)環(huán)境正在惡化。

發(fā)表于：2024/3/29

SEMI預(yù)估臺(tái)積電英特爾年內(nèi)建成2nm晶圓廠

3 月 28 日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近日發(fā)布產(chǎn)業(yè)鏈報(bào)告，認(rèn)為芯片巨頭臺(tái)積電和英特爾有望在今年年底之前建成 2 納米晶圓廠。

發(fā)表于：2024/3/28

ASML新款NXE:3800E EUV光刻機(jī)引入部分High-NA機(jī)型技術(shù)

3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。 根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。 下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。因此 ASML 提高了光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率，從而將光線入射角調(diào)整回合適大小。 但在掩膜尺寸不變的情況下，增加光學(xué)系統(tǒng)放大倍率本身也會(huì)因?yàn)槠毓鈭?chǎng)的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個(gè)方向上將放大倍數(shù)從 4 倍提升至 8 倍，這使得曝光場(chǎng)僅用減小一半。 而為了進(jìn)一步降低曝光時(shí)間，提升吞吐量，有必要提升光刻機(jī)載物臺(tái)的運(yùn)動(dòng)速率。ASML 工程師就此開發(fā)了同時(shí)兼容現(xiàn)有 0.33NA 數(shù)值孔徑系統(tǒng)的新款快速載物臺(tái)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)。

發(fā)表于：2024/3/28

SK海力士：HBM今年銷售額將占整體內(nèi)存逾一成

SK 海力士：HBM 今年銷售額將占整體內(nèi)存逾一成，明年供應(yīng)繼續(xù)緊張

發(fā)表于：2024/3/28

華潤(rùn)116億成為長(zhǎng)電科技實(shí)控人

3月27日消息，日前長(zhǎng)電科技發(fā)布公告稱，磐石香港擬以116.58億元收購(gòu)22.54%的股權(quán)，公司實(shí)控人將變更為中國(guó)華潤(rùn)。 而在本次股份轉(zhuǎn)讓完成前，長(zhǎng)電科技無實(shí)際控制人，第一大股東和第二大股東分別為大基金和芯電半導(dǎo)體，大基金和芯電半導(dǎo)體分別持有長(zhǎng)電科技總股本13.24%和12.79%的股份。 轉(zhuǎn)讓完成后，曾經(jīng)的第一大股東大基金持股比例將降至3.5%，第二大股東芯電半導(dǎo)體則是不再持有上市公司股權(quán)。 此前為了達(dá)成此項(xiàng)事項(xiàng)，長(zhǎng)電科技已連續(xù)5個(gè)交易日停牌，經(jīng)向上海證券交易所申請(qǐng)，長(zhǎng)電科技股票將于今天上午開市起復(fù)牌。 截至發(fā)稿時(shí)，長(zhǎng)電科技股價(jià)漲4.35%，總市值達(dá)到了527億元人民幣。

發(fā)表于：2024/3/27

SK 海力士回應(yīng)“擬投資40億美元在美建芯片封裝廠”

3 月 27 日消息，《華爾街日?qǐng)?bào)》昨日稱，SK 海力士計(jì)劃投資約 40 億美元（當(dāng)前約 289.2 億元人民幣）在美國(guó)印第安納州西拉斐特建造一座先進(jìn)芯片封裝廠，并計(jì)劃于 2028 年投產(chǎn)。 對(duì)此，SK 海力士在一份聲明中表示，公司正審查其在美國(guó)投資先進(jìn)芯片封裝的計(jì)劃，但尚未作出決定。

發(fā)表于：2024/3/27

詳解ASML High-NA EUV光刻機(jī)

英特爾率先拿到該設(shè)備，無疑會(huì)極大地提升其芯片制造能力和效率。 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。 從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺(tái)，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。 ASML官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè)TWINSCAN EXE:5000高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由ASM與imec合作開發(fā)，將于2024年安裝在ASML與imec的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室中，預(yù)計(jì)2025年投入量產(chǎn)。另一個(gè)由英特爾在2018年訂購(gòu)， 2023 年 12 月，ASML正式向英特爾交付了首個(gè)High-NA EUV 光刻系統(tǒng)——TWINSCAN EXE:5000的首批模塊。

發(fā)表于：2024/3/27

2023年第四季度按收入規(guī)模排名的七大半導(dǎo)體公司

3 月 26 日消息，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 近日發(fā)布系列信息圖，報(bào)告了 2023 年第 4 季度全球半導(dǎo)體、代工廠份額和智能手機(jī)市場(chǎng)份額。 信息圖：2023 年第四季度按收入規(guī)模排名的七大半導(dǎo)體公司 英特爾 英特爾憑借著客戶機(jī)計(jì)算部門的出色表現(xiàn)（環(huán)比增長(zhǎng) 12%），躍居全球半導(dǎo)體市場(chǎng)首位。 三星 三星受內(nèi)存收入反彈的推動(dòng)，排名第二，季度收入持平，但面臨移動(dòng)業(yè)務(wù)疲軟挑戰(zhàn)。 英偉達(dá) 英偉達(dá)（NVIDIA）在人工智能服務(wù)器領(lǐng)域的主導(dǎo)地位繼續(xù)支持其半導(dǎo)體收入的增長(zhǎng)，因此該公司在 2023 年第四季度排名第三。 博通 博通（Broadcom）位居第四，主要原因是超大規(guī)模企業(yè)對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心和人工智能加速器的需求強(qiáng)勁。 SK 海力士 SK hynix 也受益于內(nèi)存復(fù)蘇，本季度收入連續(xù)增長(zhǎng)，排名第五。 高通和 AMD 高通（收入不包括 QTL）和 AMD 的營(yíng)收也實(shí)現(xiàn)了連續(xù)增長(zhǎng)，分列第 6 和第 7 位。

發(fā)表于：2024/3/27

臺(tái)積電3nm獲蘋果英特爾AMD頻頻追單

獲蘋果、英特爾、AMD 頻頻追單，臺(tái)積電 3nm 收入大漲

發(fā)表于：2024/3/26

三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%

3月25日消息，據(jù)媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。 除此之外，臺(tái)積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴(kuò)大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的機(jī)會(huì)。 報(bào)道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進(jìn)行了改進(jìn)。 然而，這并沒有為三星吸引更多客戶。一份報(bào)告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認(rèn)可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預(yù)見的未來將繼續(xù)選擇臺(tái)積電。 本月初，韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。 一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同?！?/a>

SEMI：中國(guó)12英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備支出將領(lǐng)先全球

據(jù)美國(guó)《福布斯》雜志網(wǎng)站24日?qǐng)?bào)道，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)組織國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近日發(fā)布的最新報(bào)告預(yù)測(cè)，中國(guó)大陸將在主流300毫米（12英寸）半導(dǎo)體工廠設(shè)備支出方面領(lǐng)先全球，未來4年每年的投資將達(dá)到300億美元。中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)緊隨其后。

發(fā)表于：2024/3/26

消息稱臺(tái)積電2nm制程設(shè)備安裝加速

據(jù)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》消息，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈消息稱，臺(tái)積電2nm制程加速安裝設(shè)備，臺(tái)積電新竹寶山Fab20 P1廠將于4月進(jìn)行設(shè)備安裝工程，為GAA（環(huán)繞式閘級(jí)）架構(gòu)量產(chǎn)暖身，預(yù)計(jì)寶山P1、P2及高雄三座先進(jìn)制程晶圓廠均于2025年量產(chǎn)，并吸引蘋果、英偉達(dá)、AMD及高通等客戶爭(zhēng)搶產(chǎn)能。臺(tái)積電對(duì)此不發(fā)表評(píng)論。

發(fā)表于：2024/3/25

SK海力士將斥資900億美元打造全新半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

3月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在韓國(guó)京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）。 據(jù)悉，新的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨(dú)立的晶圓廠，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計(jì)劃，但由于許可問題，開發(fā)被推遲。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達(dá)成的協(xié)議，這項(xiàng)計(jì)劃已獲得進(jìn)展。

發(fā)表于：2024/3/25