三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā)

對(duì)標(biāo)臺(tái)積電！三星3nm芯片下半年量產(chǎn)：Galaxy S25全球首發(fā)

發(fā)表于：5/23/2024

ASML暗示可遠(yuǎn)程癱瘓旗下光刻機(jī)

5月22日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML聲稱可以遠(yuǎn)程癱瘓旗下售出的光刻機(jī)，這引來網(wǎng)友的圍觀。 現(xiàn)在，報(bào)道中有給出了更多有趣的細(xì)節(jié)，比如ASML表示可以遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）相應(yīng)機(jī)器，包括最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)（EUV）。 消息人士稱，EUV需要頻繁維護(hù)，如果沒有ASML提供的備件，這些機(jī)器很快就會(huì)停止工作。

發(fā)表于：5/22/2024

三星電子計(jì)劃2025年完成4F2 VCT DRAM原型開發(fā)

邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

發(fā)表于：5/22/2024

三星計(jì)劃用第二代3nm爭(zhēng)取英偉達(dá)

5月21日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來爭(zhēng)奪英偉達(dá)的芯片代工訂單。 但最新報(bào)告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競(jìng)爭(zhēng)中的一個(gè)重大障礙。 與此形成鮮明對(duì)比的是，臺(tái)積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺(tái)積電在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域保持了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高，這可能會(huì)削弱其在價(jià)格和性能方面與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的能力。

發(fā)表于：5/22/2024

臺(tái)積電計(jì)劃到2027年將特種工藝產(chǎn)能擴(kuò)大50%

臺(tái)積電在5月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上透露，隨著在德國和日本新建晶圓廠以及在中國臺(tái)灣擴(kuò)大產(chǎn)能，臺(tái)積電計(jì)劃到2027年將其特種工藝制程產(chǎn)能擴(kuò)大50%。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，臺(tái)積電不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能，還需要為此新建晶圓廠。臺(tái)積電同時(shí)公布下一個(gè)特殊制程節(jié)點(diǎn)：N4e，一種4nm級(jí)超低功耗工藝節(jié)點(diǎn)。 臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展暨海外運(yùn)營處副總裁張曉強(qiáng)（Kevin Zhang）表示，“過去臺(tái)積電總是對(duì)即將建成的晶圓廠進(jìn)行預(yù)先審查再?zèng)Q定，但臺(tái)積電很長(zhǎng)一段時(shí)間以來，第一次一開始就決定興建專為將來特殊工藝設(shè)計(jì)的晶圓廠，以滿足未來需求。未來4~5年，臺(tái)積電特殊工藝產(chǎn)能將增長(zhǎng)至1.5倍，我們將擴(kuò)大制造網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍，以提高整個(gè)晶圓廠供應(yīng)鏈的彈性?！?/a>

比利時(shí)imec宣布牽頭建設(shè)亞2nm制程N(yùn)anoIC中試線

imec 宣布牽頭建設(shè)亞 2nm 制程 NanoIC 中試線，項(xiàng)目將獲 25 億歐元資金支持

發(fā)表于：5/22/2024

臺(tái)積電開始量產(chǎn)特斯拉Dojo AI訓(xùn)練模塊

5 月 21 日消息，據(jù) DigiTimes，臺(tái)積電宣布開始利用其 InFO_SoW 技術(shù)生產(chǎn)特斯拉 Dojo AI 訓(xùn)練模塊，目標(biāo)是到 2027 年通過更復(fù)雜的晶圓級(jí)系統(tǒng)將計(jì)算能力提高 40 倍。

發(fā)表于：5/21/2024

蘋果將獨(dú)占臺(tái)積電所有初期2nm工藝產(chǎn)能

蘋果將獨(dú)占臺(tái)積電所有初期2nm工藝產(chǎn)能

發(fā)表于：5/21/2024

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35% 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算，市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)，加上HBM利潤(rùn)高，故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片，預(yù)計(jì)到今年底前，HBM將占先進(jìn)制程比例為35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5（x）與DDR5產(chǎn)品。 以HBM最新進(jìn)展來看，TrendForce表示，今年HBM3e是市場(chǎng)主流，集中下半年出貨。SK海力士仍是主要供應(yīng)商，與美光均采用1β nm制程，兩家廠商已出貨英偉達(dá)；三星則采用1α nm制程，第二季度完成驗(yàn)證，年中交貨。

發(fā)表于：5/21/2024

臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急

臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急！根本無法滿足AI GPU需求

發(fā)表于：5/21/2024

13張圖詳細(xì)解讀全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈

13 張圖穿透全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，美國砸錢力扶芯片制造起效果了？

發(fā)表于：5/20/2024

Intel：2030年底全球50%半導(dǎo)體都將在美歐生產(chǎn)

英特爾CEO帕特·基辛格在最新發(fā)布的2023-2024年度企業(yè)社會(huì)責(zé)任（CSR）報(bào)告中，設(shè)定了一個(gè)宏偉目標(biāo)：到2030年底，全球50%的半導(dǎo)體將在美國和歐洲生產(chǎn)。 這一目標(biāo)旨在構(gòu)建一個(gè)不畏未來劇變的供應(yīng)鏈，以應(yīng)對(duì)全球供應(yīng)鏈的脆弱性問題。 基辛格表示，隨著數(shù)字化和人工智能時(shí)代的來臨，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性日益凸顯。 為了迎接這一挑戰(zhàn)，英特爾推出了專為AI時(shí)代設(shè)計(jì)的系統(tǒng)級(jí)芯片代工服務(wù)，并以可持續(xù)發(fā)展為核心構(gòu)建其業(yè)務(wù)。 據(jù)估計(jì)，到2023年，英特爾在全球運(yùn)營中使用了99%的可再生電力，并與供應(yīng)商、客戶和行業(yè)同行合作開發(fā)下一代可持續(xù)流程和產(chǎn)品。

發(fā)表于：5/20/2024

消息稱蘋果COO威廉姆斯訪問臺(tái)積電 探討AI芯片開發(fā)

5 月 20 日消息，臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息，蘋果公司首席運(yùn)營官杰夫?威廉姆斯（Jeff Williams）低調(diào)拜訪臺(tái)積電，臺(tái)積電總裁魏哲家親自接待。雙方主要討論了蘋果自研 AI芯片的開發(fā)，以及臺(tái)積電使用先進(jìn)制程技術(shù)生產(chǎn)芯片等事宜。 蘋果需要更多半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)支持，此前蘋果已包下臺(tái)積電 3 納米首批產(chǎn)能，若后續(xù)預(yù)定 2 納米乃至更先進(jìn)制程的首批產(chǎn)能，臺(tái)積電營收將繼續(xù)增加，今年有機(jī)會(huì)創(chuàng)新高，預(yù)計(jì)可達(dá) 6000 億元新臺(tái)幣（當(dāng)前約 1350 億元人民幣）。

發(fā)表于：5/20/2024

日媒稱佳能光刻機(jī)業(yè)務(wù)東山再起 挑戰(zhàn)阿斯麥霸主地位

日媒稱佳能光刻機(jī)業(yè)務(wù)東山再起 挑戰(zhàn)阿斯麥霸主地位

發(fā)表于：5/17/2024

半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)：2026年中國大陸IC晶圓廠產(chǎn)能將增至全球第一

機(jī)構(gòu)：2026年中國大陸IC晶圓廠產(chǎn)能將增至全球第一 半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Knometa Research發(fā)布了截至2023年末按國家/地區(qū)劃分的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力（不考慮公司總部所在地，以工廠所在國家/地區(qū)生產(chǎn)的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)量）及未來預(yù)測(cè)。 報(bào)告顯示，2023年底全球半導(dǎo)體產(chǎn)能份額為韓國22.2%、中國臺(tái)灣22.0%、中國大陸19.1%、日本13.4%、美國11.2%、歐洲4.8%。展望未來，預(yù)計(jì)中國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)能份額將逐步增加，并將在2026年增至全球第一。另一方面，日本的份額預(yù)計(jì)將從2023年的13.4%下降到2026年的12.9%。

發(fā)表于：5/17/2024