EDA與制造相關(guān)文章 三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片 據(jù)報道，三星電子正與臺積電合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器HBM4人工智能（AI）芯片，以加強(qiáng)其在快速增長的AI芯片市場的地位。 在Semicon Taiwan 2024論壇上，臺積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，兩家公司正在開發(fā)無緩沖的HBM4芯片。 HBM對AI熱潮至關(guān)重要，它比傳統(tǒng)內(nèi)存芯片提供了更快的處理速度。 HBM4是第六代HBM芯片，三星、SK海力士和美光科技等主要存儲制造商計劃最早明年為包括英偉達(dá)在內(nèi)的AI芯片廠商大規(guī)模生產(chǎn)。 分析人士表示，如果三星和臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4芯片，這將是雙方在AI芯片領(lǐng)域的首次合作。在代工或合同芯片制造領(lǐng)域，三星是第二大廠商，與規(guī)模更大的競爭對手臺積電激烈競爭。 發(fā)表于：9/9/2024 商務(wù)部回應(yīng)荷蘭宣布擴(kuò)大光刻機(jī)管制 針對9月6日荷蘭宣布將擴(kuò)大光刻機(jī)的管制范圍一事，商務(wù)部近日在發(fā)布會上對此進(jìn)行了回應(yīng)。 商務(wù)部發(fā)言人指出，近來，中荷雙方就半導(dǎo)體出口管制問題開展了多層級、多頻次的溝通磋商。荷方在2023年半導(dǎo)體出口管制措施的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步擴(kuò)大對光刻機(jī)的管制范圍，中方對此表示不滿。 近年來，美國為維護(hù)自身全球霸權(quán)，不斷泛化國家安全概念，脅迫個別國家加嚴(yán)半導(dǎo)體及設(shè)備出口管制措施，嚴(yán)重威脅全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定，嚴(yán)重?fù)p害相關(guān)國家和企業(yè)正當(dāng)權(quán)益，中方對此堅決反對。 發(fā)表于：9/9/2024 夏普宣布進(jìn)軍電動汽車市場 夏普宣布進(jìn)軍電動汽車市場，將推出概念車 LDK+ 發(fā)表于：9/9/2024 Tower與Adani投資100億美元在印度建晶圓廠計劃獲批 Tower與Adani投資100億美元在印度建晶圓廠計劃獲批 發(fā)表于：9/9/2024 傳臺積電亞利桑那州晶圓廠試產(chǎn)良率與南科廠相當(dāng) 傳臺積電亞利桑那州晶圓廠試產(chǎn)良率與南科廠相當(dāng)！ 9月8日消息，據(jù)彭博社引述消息人士的話報道稱，臺積電位于美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開始基于4nm制程進(jìn)行工程測試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺積電位于中國臺灣的南科廠良率相當(dāng)。臺積電表示，項目照計劃進(jìn)行，并且進(jìn)展良好。 發(fā)表于：9/9/2024 荷蘭政府從美國收回兩款A(yù)SML光刻機(jī)的出口管制權(quán) 9月6日，荷蘭政府今天發(fā)布了關(guān)于兩款浸沒式 DUV（深紫外光） 光刻機(jī)出口的最新許可要求，該規(guī)定將于9月7日正式生效。 根據(jù)更新后的許可要求，并根據(jù)美國出口管理條例 734.4.(a).(3)，ASML后續(xù)需要向荷蘭政府而非美國政府申請出口許可，才能出貨其 TWINSCAN NXT:1970i 和 1980i DUV 浸沒式光刻系統(tǒng)。此前，荷蘭的出口管制許可要求已適用于 TWINSCAN NXT:2000i 及后續(xù) DUV 浸沒式系統(tǒng)。ASML 的 EUV 系統(tǒng)的銷售也需遵守許可要求。 ASML官方表示，認(rèn)為這一新規(guī)主要是協(xié)調(diào)頒發(fā)出口許可證的方式，即由美國政府發(fā)放許可變更為由荷蘭政府發(fā)放許可。 ASML在聲明中指出，由于這是技術(shù)性調(diào)整，因此預(yù)計不會對公司2024年的財務(wù)前景，或在2022年11月投資者日傳達(dá)的長期情景產(chǎn)生任何影響。 發(fā)表于：9/9/2024 信越化學(xué)宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圓 信越化學(xué)宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圓 發(fā)表于：9/9/2024 美國宣布加強(qiáng)對量子計算和半導(dǎo)體設(shè)備等出口管制 美國宣布加強(qiáng)對量子計算、半導(dǎo)體設(shè)備、GAAFET出口管制 發(fā)表于：9/6/2024 美光確認(rèn)啟動生產(chǎn)可用版12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存交付 美光確認(rèn)啟動生產(chǎn)可用版12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存交付 發(fā)表于：9/6/2024 全球2納米芯片代工三強(qiáng)勝負(fù)初現(xiàn) 全球2納米芯片代工領(lǐng)域競賽愈演愈烈：英特爾工藝遇挫 三星撬不動客戶！ 發(fā)表于：9/6/2024 臺積電3nm芯片產(chǎn)線正滿載運行 臺積電3nm芯片產(chǎn)線滿載運行，月度晶圓產(chǎn)能上升至約12.5萬片 發(fā)表于：9/6/2024 臺積電領(lǐng)銜臺企抱團(tuán)發(fā)展先進(jìn)封裝生態(tài) 臺積電CoWoS產(chǎn)能將提升4倍，臺企抱團(tuán)發(fā)展先進(jìn)封裝生態(tài) 發(fā)表于：9/6/2024 國家大基金一期入股國產(chǎn)EDA廠商鴻芯微納 國家大基金一期入股國產(chǎn)EDA廠商鴻芯微納：出資近5億元，持股38.7% 發(fā)表于：9/6/2024 SK海力士宣布9月底量產(chǎn)12層HBM3E SK海力士：9月底量產(chǎn)12層HBM3E 9月4日，在Semicon Taiwan 2024展會期間，SK海力士總裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“釋放AI內(nèi)存技術(shù)的可能性”為題，分享SK海力士現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品和HBM相關(guān)產(chǎn)品。同時，他還宣布SK海力士將于本月底量產(chǎn)12層HBM3E，開啟HBM關(guān)鍵戰(zhàn)場。 發(fā)表于：9/5/2024 OpenAI啟動七萬億美元芯片計劃 掀翻蘋果，擺脫英偉達(dá)，OpenAI啟動七萬億美元芯片計劃 發(fā)表于：9/5/2024 ?…84858687888990919293…?
