EDA與制造相關(guān)文章 Rapidus攜手RISC-V設(shè)計商Esperanto開發(fā)低功耗數(shù)據(jù)中心AI芯片 5 月 16 日消息，日本先進晶圓代工企業(yè) Rapidus 昨日同美國 RISC-V 架構(gòu)芯片設(shè)計企業(yè) Esperanto 簽署諒解備忘錄，雙方將合作開發(fā)面向數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的低功耗 AI 芯片。 發(fā)表于：5/17/2024 臺積電確認德國晶圓廠定于今年四季度開始建設(shè) 5 月 15 日消息，臺積電在近日舉行的 2024 年歐洲技術(shù)論壇上再次確認，其德國晶圓廠項目定于今年四季度開始建設(shè)，預估 2027 年投產(chǎn)。 臺積電去年同意與三家歐洲芯片企業(yè) —— 博世、英飛凌和恩智浦 —— 合資設(shè)立歐洲半導體制造公司 ESMC。臺積電對 ESMC 持股 70%，另外三家企業(yè)各持股 10%。 發(fā)表于：5/16/2024 三星SK海力士將超過20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM 三星、SK海力士將超過20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM 發(fā)表于：5/15/2024 美國官宣對中國電動汽車加征關(guān)稅：提高至100% 5月14日消息，今日，美國白宮發(fā)布公告，拜登宣布對中國鋼鐵和鋁、半導體、電動汽車、電池、關(guān)鍵礦物、太陽能電池、船舶、起重機、醫(yī)療用品等提高關(guān)稅。 電動汽車：關(guān)稅將從25%提高到100%。 電池、電池組件和零件以及關(guān)鍵礦物：鋰離子EV電池的關(guān)稅將從7.5%提高到25%，非EV電池從7.5%提高到25%，電池零件從7.5%提高到25%；自然石墨和永磁體的關(guān)稅將從0提高到25%。 此外，此次加征關(guān)稅還涉及到其他方面，具體如下： 太陽能電池：2024年，太陽能電池（無論是否組裝成組件）的關(guān)稅將從25%提高到50%。 鋼鐵和鋁：2024年，某些鋼鐵和鋁產(chǎn)品的關(guān)稅將從0-7.5%提高到25%。 半導體：到2025年，半導體的關(guān)稅將從25%提高到50%。 發(fā)表于：5/15/2024 SK海力士HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片 5 月 14 日消息，SK 海力士在 2024 年度 IEEE IMW 國際存儲研討會上不僅分享了 HBM4E 內(nèi)存開發(fā)周期將縮短到一年的預期，也介紹了該內(nèi)存的更多細節(jié)。 SK 海力士技術(shù)人員 Kim Kwi Wook 表示，這家企業(yè)計劃使用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片構(gòu)建 HBM4E 內(nèi)存。 發(fā)表于：5/15/2024 歐美制裁下的俄羅斯半導體：成本翻倍 杯水車薪 俄烏沖突爆發(fā)后，美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導體的出口管制，希望通過阻斷半導體供應，以降低俄羅斯的軍事戰(zhàn)力。 不過，根據(jù)美國企業(yè)研究所（American Enterprise Institute）最新公布的一份報告顯示，盡管做出了這些努力，但俄羅斯通過間接渠道依然獲得了一些芯片，只是獲取芯片的成本增加了近一倍。 此外，俄羅斯還獲得了一些半導體設(shè)備及材料，但是對于俄羅斯孱弱的芯片制造能力來說，依然是杯水車薪。 發(fā)表于：5/15/2024 中國大陸碳化硅產(chǎn)能持續(xù)擴大擊穿底價 中國大陸擊穿碳化硅的底價！美國Wolfspeed股價累計大跌82% 第三代半導體 發(fā)表于：5/15/2024 HBM4內(nèi)存競爭已達白熱化 HBM4內(nèi)存競爭已達白熱化！三星、SK海力士、美光紛紛發(fā)聲 發(fā)表于：5/15/2024 SEMI：Q1全球半導體制造業(yè)改善 中國產(chǎn)能增長率最高 5月14日，SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）與調(diào)研機構(gòu)TechInsights合作編制的最新報告顯示，隨著電子板塊銷售額的上升、庫存的穩(wěn)定和晶圓廠產(chǎn)能的增加，2024年第一季度全球半導體制造業(yè)出現(xiàn)改善跡象，預計下半年行業(yè)增長將更加強勁。 發(fā)表于：5/15/2024 東芝HAMR、MAMR機械硬盤技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān) 東芝 HAMR、MAMR 機械硬盤技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān)，后者業(yè)界首次實現(xiàn) 11 盤片 發(fā)表于：5/15/2024 美國芯片法案已撥款290億美元 美國芯片法案已撥款290億美元，將撬動3000億美元投資 根據(jù)CHIPS法案的資金分配，110億美元的研發(fā)資金將直接用于推進四個關(guān)鍵項目的進展：美國國家半導體技術(shù)中心(NSTC)、國家先進封裝制造計劃(NAPMP)、美國芯片研發(fā)計量計劃以及美國芯片制造協(xié)會。該法案還為制造芯片及相關(guān)設(shè)備的資本支出提供25%的投資稅收抵免。 發(fā)表于：5/14/2024 SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內(nèi)存 5月14日消息，HBM負責人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過程，最早在2026年推出他們的 HBM4E內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。 發(fā)表于：5/14/2024 消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過英偉達驗證 消息稱三星電子 8 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存尚未正式通過英偉達驗證 發(fā)表于：5/14/2024 消息稱SK海力士三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存 消息稱 SK 海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn) DDR3 內(nèi)存，帶動市場價格上行 發(fā)表于：5/13/2024 華為牽頭貢獻開源代碼的OGG 1.0正式發(fā)布 5月12日消息，數(shù)字化工業(yè)軟件聯(lián)盟（DISA）宣布，由其孵化的開源項目OGG 1.0開源幾何建模引擎已正式發(fā)布。 OGG旨在為全球工業(yè)軟件提供第二選擇，特別是在3D幾何建模領(lǐng)域。同時華為已將486項增強后的幾何內(nèi)核代碼全部開源到OGG社區(qū)。 DISA秘書長丘水平表示，OGG基于全球唯一具有工程價值的開源內(nèi)核OCCT，發(fā)展新一代工業(yè)軟件內(nèi)核，被視為確保工業(yè)軟件連續(xù)可控的戰(zhàn)略選擇。 發(fā)表于：5/13/2024 ?…81828384858687888990…?
