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EDA與制造相關(guān)文章

HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營(yíng)收前四

8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。

發(fā)表于：8/14/2024

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：8/13/2024

傳臺(tái)積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺(tái)積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺(tái)灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺(tái)積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對(duì)臺(tái)積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場(chǎng)傳言。

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：8/13/2024

美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。

發(fā)表于：8/13/2024

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：8/13/2024

夏普考慮將半導(dǎo)體和相機(jī)模組事業(yè)出售給鴻海

8 月 12 日消息，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財(cái)年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)和智能手機(jī)用相機(jī)模組業(yè)務(wù)出售給鴻海。對(duì)于出售金額，夏普社長(zhǎng)沖津雅浩稱由于談判剛剛開始，更多細(xì)節(jié)目前不便透露。

發(fā)表于：8/13/2024

美國(guó)芯片法案簽署兩周年記

美國(guó)芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資，創(chuàng)造115000個(gè)工作崗位！

發(fā)表于：8/13/2024

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%！

發(fā)表于：8/13/2024

數(shù)字芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)分享：將ASIC IP核移植到FPGA上

　　本系列文章從數(shù)字芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目技術(shù)總監(jiān)的角度出發(fā)，介紹了如何將芯片的產(chǎn)品定義與設(shè)計(jì)和驗(yàn)證規(guī)劃進(jìn)行結(jié)合，詳細(xì)講述了在FPGA上使用IP核來(lái)開發(fā)ASIC原型項(xiàng)目時(shí)，必須認(rèn)真考慮的一些問(wèn)題。文章從介紹使用預(yù)先定制功能即IP核的必要性開始，通過(guò)闡述開發(fā)ASIC原型設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮到的IP核相關(guān)因素，用八個(gè)重要主題詳細(xì)分享了利用ASIC所用IP來(lái)在FPGA上開發(fā)原型驗(yàn)證系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)需要考量的因素。

發(fā)表于：8/12/2024

Rapidus計(jì)劃打造全自動(dòng)化的2nm晶圓廠

8月12日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本晶圓廠代工商 Rapidus 近日宣布，計(jì)劃使用機(jī)器人和人工智能（AI）在日本北部打造全自動(dòng)的2nm制程生產(chǎn)線。 2nm芯片原型制造將于明年開始，最快將在2027年開始量產(chǎn)。 Rapidus表示，自動(dòng)化生產(chǎn)將加快生產(chǎn)時(shí)間，使交貨芯片時(shí)間只有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手1/3，其晶圓廠預(yù)計(jì)10月完成外部結(jié)構(gòu)建置，EUV光刻設(shè)備預(yù)計(jì)將于12月抵達(dá)。

發(fā)表于：8/12/2024

三星二季度晶圓代工業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)虧損3000億韓元

8月12日消息，韓國(guó)媒體引用韓國(guó)市場(chǎng)人士的說(shuō)法指出，盡管在人工智能（AI）熱潮及智能手機(jī)市場(chǎng)復(fù)蘇的推動(dòng)下，隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的反彈，三星2024年第二季的業(yè)績(jī)整體表現(xiàn)強(qiáng)勁，但其仍在努力應(yīng)對(duì)晶圓代工業(yè)務(wù)的虧損。市場(chǎng)分析表示，三星和臺(tái)積電之間的差距正在擴(kuò)大。此外，如果三星未能及時(shí)提高尖端制程的代工制程的良率，三星在獲得大型科技客戶方面遇到的困難，可能會(huì)其導(dǎo)致市場(chǎng)份額進(jìn)一步下降。

發(fā)表于：8/12/2024

晶盛機(jī)電突破超薄晶圓加工技術(shù)

【晶盛機(jī)電突破超薄晶圓加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)12英寸30μm穩(wěn)定減薄加工】

發(fā)表于：8/12/2024

東京電子中國(guó)營(yíng)收占比升至50%

近日，日本半導(dǎo)體設(shè)備大廠東京電子（TEL）公布了截至6月30日的2025財(cái)年第一財(cái)季（2024自然年二季度）財(cái)報(bào)，該季營(yíng)收達(dá)5550.71億日元，同比大漲41.7%，高于分析師預(yù)期的5000億日元，并打破2022年來(lái)連續(xù)幾年下降趨勢(shì)。營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)為1657.33億日元，同比暴漲101.1%，也高于預(yù)期；凈利潤(rùn)為1261.89億日元，同比暴漲96.2%。

發(fā)表于：8/12/2024

英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

? 馬來(lái)西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式。 ? 新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 ? 強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為持續(xù)擴(kuò)建提供了支撐。 ? 居林晶圓廠100%使用綠電并在運(yùn)營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措。

發(fā)表于：8/9/2024