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EDA與制造相關(guān)文章

泛林集團(tuán)推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個工藝步驟。

發(fā)表于：2023/7/4

《制造業(yè)可靠性提升實施意見》全文及解讀

工業(yè)和信息化部、教育部、科技部、財政部、國家市場監(jiān)管總局等五部門近日聯(lián)合印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實施意見》，提出將圍繞制造強(qiáng)國、質(zhì)量強(qiáng)國戰(zhàn)略目標(biāo)，聚焦機(jī)械、電子、汽車等重點行業(yè)，對標(biāo)國際同類產(chǎn)品先進(jìn)水平，補(bǔ)齊基礎(chǔ)產(chǎn)品可靠性短板，提升整機(jī)裝備可靠性水平，壯大可靠性專業(yè)人才隊伍，形成一批產(chǎn)品可靠性高、市場競爭力強(qiáng)、品牌影響力大的制造業(yè)企業(yè)。

發(fā)表于：2023/7/3

Manz 亞智科技FOPLP封裝技術(shù)再突破

Manz 亞智科技FOPLP封裝技術(shù)再突破：一是鍍銅厚度達(dá)100 μm以上，讓芯片封裝朝著體積輕薄化的演進(jìn)下仍能使組件具有良好的導(dǎo)電性、電性功能與散熱性；二是開發(fā)大于5 ASD的高電鍍電流密度規(guī)格，快速增加鍍銅的速度，有效提升整體產(chǎn)能。

發(fā)表于：2023/6/29

三星發(fā)布芯片代工路線圖及未來戰(zhàn)略

三星官方于6月27日在第七屆三星晶圓代工論壇（SFF）上宣布了最新的芯片制造工藝路線圖和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，表示將在2025年量產(chǎn)2nm制程芯片，2027年量產(chǎn)1.4nm制程芯片。有700多名三星的客戶和合作伙伴參加了本屆論壇，三星表示，GAA先進(jìn)節(jié)點技術(shù)將在支持客戶發(fā)展人工智能方面發(fā)揮重要作用。

發(fā)表于：2023/6/29

2nm大戰(zhàn)，全面打響

在芯片制造領(lǐng)域，3nm方興未艾，圍繞著2nm的競爭已經(jīng)全面打響。

發(fā)表于：2023/6/28

重磅！江波龍擬購買力成科技（蘇州）有限公司70%股權(quán)

江波龍將通過其全資子公司，收購力成科技股份有限公司全資子公司力成科技（蘇州）有限公司70%股權(quán)。

發(fā)表于：2023/6/27

應(yīng)用材料公司攜精彩主題演講和成果展示亮相SEMICON China 2023

　　2023年6月25日，上海——SEMICON China 2023將于6月29日 - 7月1日在上海新國際博覽中心舉辦。同時，中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會（CSTIC）2023將在6月26 - 27日在上海國際會議中心舉辦。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和顯示設(shè)備供應(yīng)商，應(yīng)用材料公司將通過主題演講和論文展示等方式積極參與SEMICON China和CSTIC，內(nèi)容涵蓋異構(gòu)集成和功率電子等多個主題。

發(fā)表于：2023/6/25

選擇合適的集成度來滿足電機(jī)設(shè)計要求

　　如果您正在設(shè)計電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，以往您可能會使用如雙極結(jié)型晶體管（BJT）等多個分立式元件來實現(xiàn)電機(jī)控制。盡管這種方法通常成本更低，但使用的元件總數(shù)更多，占用的布板空間更大，花費的設(shè)計時間更長，復(fù)雜度也更高。使用多個元件還可能會影響系統(tǒng)可靠性。

發(fā)表于：2023/6/16

X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化

　　中國北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議，旨在推動歐洲半導(dǎo)體和光電子行業(yè)獲得更大自主權(quán)，從而加強(qiáng)歐洲大陸在關(guān)鍵新興領(lǐng)域的制造能力。

發(fā)表于：2023/6/15

英飛凌推出簡單易用的 LCC 設(shè)計工具，賦能高效 LED 驅(qū)動器設(shè)計

　　為了便于工程師的設(shè)計，英飛凌（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出了 LCC 設(shè)計工具，讓工程師的設(shè)計工作變得更快速、更輕松。

發(fā)表于：2023/6/15

線邊緣粗糙度（LER）如何影響先進(jìn)節(jié)點上半導(dǎo)體的性能

　　由后段制程（BEOL）金屬線寄生電阻電容（RC）造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸（CD）和線間隔，這會導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對此進(jìn)行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒有線邊緣粗糙度（LER），該圖也顯示電阻會隨著線寬縮小呈指數(shù)級增長[2]。為緩解此問題，需要在更小的節(jié)點上對金屬線關(guān)鍵尺寸進(jìn)行優(yōu)化并選擇合適的金屬材料。

發(fā)表于：2023/6/12

晶圓代工|臺積電代工報價曝光：3nm制程19865美元，2nm預(yù)計24570美元！

6月8日消息，國外網(wǎng)友Revegnus (@Tech_Reve)在Twitter上曝光據(jù)稱是臺積電圓代工的報價單，其中一張圖片資料來源于已經(jīng)成立了37年的專業(yè)的研究機(jī)構(gòu)The Information Network。

發(fā)表于：2023/6/9

半導(dǎo)體|228億，意法半導(dǎo)體 x 三安光電，他們在謀劃什么？

6月7日，意法半導(dǎo)體和三安光電宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個新的8吋碳化硅器件合資制造廠，全部建設(shè)總額預(yù)計約達(dá)32億美元（約合人民幣228.32億元）

發(fā)表于：2023/6/8

格芯和意法半導(dǎo)體正式簽署法國12英寸半導(dǎo)體晶圓新廠協(xié)議

　　中國，2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產(chǎn)品技術(shù)的半導(dǎo)體制造商格芯（GlobalFoundries，簡稱GF；納斯達(dá)克證交所代碼：GFS）和服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，雙方于2022年7月公布的將在法國Crolles新建一個高產(chǎn)能半導(dǎo)體聯(lián)營廠的合作，現(xiàn)正式完成協(xié)議簽署。

發(fā)表于：2023/6/7

新思科技與Arm強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，加快下一代移動SoC開發(fā)

加利福尼亞州山景城，2023年6月5日——為應(yīng)對低至2納米的先進(jìn)制程上高度復(fù)雜移動芯片設(shè)計挑戰(zhàn)，新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面計算解決方案（TCS23），加強(qiáng)雙方在人工智能增強(qiáng)型設(shè)計方面的合作。

發(fā)表于：2023/6/5