EDA與制造相關(guān)文章 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)恢復(fù)向好 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)恢復(fù)向好 發(fā)表于：2024/2/11 高塔半導(dǎo)體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 高塔半導(dǎo)體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 發(fā)表于：2024/2/11 臺積電增資日本：將投資52億美元建設(shè)第二座晶圓廠 臺積電日前宣布在日本熊本建設(shè)第二座晶圓廠，核準以不超過52.62億美元的額度增資日本先進半導(dǎo)體制造公司（JASM）。 發(fā)表于：2024/2/11 中芯國際披露手機創(chuàng)新急單：暗指華為麒麟9000S 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍在業(yè)績說明會上表示，2023年第三季度，智能手機等移動設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈更新?lián)Q代，一些有創(chuàng)新的產(chǎn)品公司得到了機會，啟動急單，開始企穩(wěn)回升。 趙海軍并未明確提及是哪家公司、哪款產(chǎn)品，但大家都知道，去年第三季度，華為沒有任何征兆地發(fā)布了劃時代的Mate 60系列，配備麒麟9000S處理器…… 背后的故事，就不用多說了。 發(fā)表于：2024/2/8 SK 海力士與臺積電建立AI芯片聯(lián)盟 SK 海力士與臺積電建立 AI 芯片聯(lián)盟 合作開發(fā) HBM4 發(fā)表于：2024/2/8 Intel 18A工藝拿下大單：代工64核心Arm處理器 芯片設(shè)計企業(yè)Faraday Technology宣布計劃開發(fā)全球首款基于Arm Neoverse架構(gòu)的64核心處理器，預(yù)計2025年上半年完成，并采用Intel 18A工藝制造。 發(fā)表于：2024/2/6 韓國半導(dǎo)體產(chǎn)品今年出口額預(yù)計低于1000億美元 在價格上漲、人工智能領(lǐng)域需求增加、主要廠商新推出智能手機大量出貨的推動下，全球半導(dǎo)體市場的狀況近幾個月在好轉(zhuǎn)，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)品的出口額在 11 月份也時隔 15 個月再次同比上漲。 發(fā)表于：2024/2/6 vivo與諾基亞簽署5G專利交叉許可協(xié)議 2 月 5 日消息，今日，vivo 宣布與諾基亞達成全球?qū)＠徊嬖S可協(xié)議，該協(xié)議涵蓋雙方在 5G 和其他蜂窩通信技術(shù)方面的標準必要專利。 諾基亞在聲明中指出，“該協(xié)議解決了雙方在所有司法管轄區(qū)的所有待處理專利訴訟。根據(jù)雙方商定的協(xié)議，協(xié)議條款仍將保密”。 發(fā)表于：2024/2/6 2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時間表公布 據(jù)媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導(dǎo)體工廠，將進行2nm制造。 據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。 發(fā)表于：2024/2/5 3nm爭奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺積電卻已大賺211億 據(jù)韓媒報道，三星 3nm 工藝存在重大問題，試產(chǎn)芯片均存在缺陷，良品率 0%。報道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。 當三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時，臺積電的 3nm 工藝已經(jīng)可以養(yǎng)家了。臺積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產(chǎn)量的持續(xù)強勁增長。 在 3nm 先進制程工藝上，三星暫時做不到遙遙領(lǐng)先。 發(fā)表于：2024/2/5 華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利 華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利 發(fā)表于：2024/2/5 蘋果已完成70萬公里自動駕駛汽車測試 蘋果的神秘汽車項目已經(jīng)悄悄進行了六年，外界對其進展幾乎一無所知。不過，最近蘋果向加州一家機構(gòu)提交的記錄揭示了自動駕駛項目的最新動態(tài)。 數(shù)據(jù)顯示， 2023年，蘋果在公共道路上的自動駕駛測試里程約72萬公里，幾乎較2022年增加了三倍，比2021年更是增加了30多倍。 發(fā)表于：2024/2/5 ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經(jīng)濟選擇 ASML 首席財務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應(yīng)了分析機構(gòu) SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來最經(jīng)濟的選擇。 發(fā)表于：2024/2/4 1c納米內(nèi)存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料 根據(jù)韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。 分析機構(gòu) TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。 鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。 發(fā)表于：2024/2/4 三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗 根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。 發(fā)表于：2024/2/4 ?…86878889909192939495…?
