IDC發(fā)布2025年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢預(yù)測

2025年半導(dǎo)體市場將實現(xiàn)15%增長。 根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司（IDC）“全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈追蹤情報” 的最新研究表明，鑒于 2025 年全球人工智能（AI）與高性能運算（HPC）需求不斷攀升，從云端數(shù)據(jù)中心、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，各個主要應(yīng)用市場都面臨著規(guī)格升級的趨勢，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將再次迎來全新的繁榮景象。 IDC 資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示：“在人工智能持續(xù)推動高階邏輯制程芯片需求，以及高價高帶寬內(nèi)存（HBM）滲透率提升的推動下，預(yù)計 2025 年整個半導(dǎo)體市場的規(guī)模將增長超過 15%。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、先進封裝等產(chǎn)業(yè)，通過上下游之間的橫向與縱向合作，將會共同創(chuàng)造新一輪的增長機遇?！?/a>

臺積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細節(jié)和性能指標(biāo)

12月15日消息，IEDM 2024大會上，臺積電首次披露了N2 2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細節(jié)和性能指標(biāo)：對比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。

發(fā)表于：2024/12/16

Rapidus與Synopsys和Cadence簽署2nm合作協(xié)議

12月12日消息，日本晶圓代工大廠Rapidus近日宣布，其已與EDA大廠Synopsys 和 Cadence Design Systems 簽署了合作協(xié)議，后者將為其 2nm 代工業(yè)務(wù)提供EDA設(shè)計工具，并獲取 AI 制造數(shù)據(jù)。Synopsys將有權(quán)訪問Rapdius的人工智能工具制造數(shù)據(jù)，而Cadence將提供針對背面電源傳輸進行優(yōu)化的內(nèi)存和接口IP。

發(fā)表于：2024/12/13

臺積電美國廠制造成本比中國臺灣高出30%

12月13日消息，晶圓代工大廠臺積電亞利桑那州晶圓廠一期工程即將于2025年初量產(chǎn)4nm，而根據(jù)麥格理銀行的最新研究顯示，臺積電亞利桑那州的晶圓廠的制造成本可能將比中國臺灣工廠高出30%。

發(fā)表于：2024/12/13

Rapidus宣布2025年4月啟動2nm試產(chǎn)線

12 月 13 日消息，據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道，日本先進半導(dǎo)體制造商 Rapidus 的會長東哲郎本月 11 日在 SEMICON Japan 展會開幕式上致辭時表示對該企業(yè)的 2nm 試產(chǎn)線充滿信心。

發(fā)表于：2024/12/13

消息稱Synopsys擬收購Ansys后剝離資產(chǎn)

消息稱Synopsys擬收購Ansys后剝離資產(chǎn)，以期歐盟批準(zhǔn)350億美元交易

發(fā)表于：2024/12/13

英特爾仍未確認代工廠將是否完全獨立

12 月 13 日消息，據(jù)彭博社報道，在當(dāng)?shù)貢r間周四舉行的巴克萊第 22 屆全球科技大會上，英特爾的聯(lián)合首席執(zhí)行官 Michelle Johnston Holthaus 和 David Zinsner 坦言，公司在產(chǎn)品改進和重建客戶信任方面“還有很長的路要走”。

發(fā)表于：2024/12/13

三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達要求

12 月 11 日消息，韓媒 hankooki 當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，三星電子由于 8 層、12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未達英偉達要求，難以在今年內(nèi)正式啟動向這家大客戶的供應(yīng)，實際供貨將落到 2025 年。 報道表示，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達供應(yīng) HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品，但一年多的時間內(nèi)三星 HBM3E 的認證流程并未取得明顯進展。

發(fā)表于：2024/12/12

IBM與Rapidus展示多閾值電壓GAA晶體管合作研發(fā)成果

12 月 12 日消息，據(jù) IBM 官方當(dāng)?shù)貢r間 9 日博客，IBM 和日本先進芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國際電子器件會議上展示了兩方合作的多閾值電壓 GAA 晶體管研發(fā)成果，這些技術(shù)突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量產(chǎn)。 IBM 表示，先進制程升級至 2nm 后，晶體管的結(jié)構(gòu)由使用多年的 FinFET（IT之家注：鰭式場效應(yīng)晶體管）轉(zhuǎn)為 GAAFET（全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管），這對制程迭代帶來了新的挑戰(zhàn)：如何實現(xiàn)多閾值電壓（Multi Vt）從而讓芯片以較低電壓執(zhí)行復(fù)雜計算。

發(fā)表于：2024/12/12

傳美國將在圣誕節(jié)前推出對華AI芯片限制新規(guī)

12月11日消息，在本月初美國將140加中國半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)列入了實體清單，并升級對EDA、半導(dǎo)體設(shè)備、HBM限制之后，業(yè)內(nèi)又傳出消息稱，美國商務(wù)部工業(yè)暨安全局（BIS）將會在今年圣誕節(jié)之前，發(fā)布新的人工智能（AI）管制規(guī)則，有可能將進一步限制AI芯片的對華出口。 消息稱，美國BIS目前已將相關(guān)限制規(guī)則的內(nèi)容提交給了相關(guān)機構(gòu)審查，按照之前的經(jīng)驗，審查時間大約耗時一周，所以預(yù)計公布的時間可能將會在下周，也就是在圣誕節(jié)之前。該限制規(guī)則可能與此前臺積電對中國大陸AI芯片企業(yè)暫停7nm及以下先進制程代工服務(wù)有關(guān)。 根據(jù)之前的爆料顯示，中國廠商設(shè)計的芯片如果die size大于300mm²、晶體管數(shù)量大于300億顆、使用先進封裝和HBM，主要用于AI訓(xùn)練，臺積電等有采用美國技術(shù)的海外晶圓代工廠都將禁止提供代工服務(wù)。

發(fā)表于：2024/12/12

英飛凌CEO：將在中國生產(chǎn)芯片

12月11日消息，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報道，德國芯片大廠英飛凌CEO Jochen Hanebeck近日在接受采訪時透露，英飛凌正在將商品級產(chǎn)品的生產(chǎn)本地化，以尋求與中國買家保持密切聯(lián)系。

發(fā)表于：2024/12/12

泛林介紹世界首款半導(dǎo)體制造設(shè)備維護專用協(xié)作機器人

12 月 11 日消息，Lam Research 泛林集團當(dāng)?shù)貢r間昨日對其打造的世界首款專為半導(dǎo)體制造設(shè)備維護打造的協(xié)作機器人（注：Collaborative Robot）Dextro 進行了介紹，并表示該型機器人已獲全球多家先進晶圓廠應(yīng)用。

發(fā)表于：2024/12/12

魏少軍建議應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進工藝的芯片設(shè)計技術(shù)

12月11日消息，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會理事長魏少軍今日表示，應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進工藝的芯片設(shè)計技術(shù)。 “伴隨著外部先進加工資源對我國芯片設(shè)計企業(yè)關(guān)閉，中國芯片設(shè)計企業(yè)所能使用的制造技術(shù)不再像之前那樣豐富，需要在技術(shù)創(chuàng)新上關(guān)注不依賴先進工藝的設(shè)計技術(shù)?！?/a>

消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購

12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當(dāng)?shù)貢r間 9 日援引行業(yè)報告表示，三星電子已于近日啟動下代 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)所需設(shè)備的采購，從 Lam Research 泛林集團等主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商購買的設(shè)備將于明年 2 月左右引進至量產(chǎn)線。 三星電子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 級制程）DRAM。報道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產(chǎn)狀態(tài)，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產(chǎn)線將設(shè)置于韓國京畿道平澤 P4 工廠。

發(fā)表于：2024/12/11

臺積電創(chuàng)始人談Intel失敗原因

12月11日消息，隨著CEO帕特·基辛格下課，Intel目前面臨后繼無人的狀態(tài)。在真正尋找到能帶領(lǐng)其重回巔峰的領(lǐng)導(dǎo)人之前，其未來前途可謂迷霧重重。

發(fā)表于：2024/12/11