EDA與制造相關(guān)文章 三星：已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗證 三星：已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗證 整體高度縮減 發(fā)表于：4/9/2024 三星SK 海力士推進移動內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn) 消息稱三星、SK 海力士推進移動內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn)，滿足端側(cè) AI 需求 發(fā)表于：4/9/2024 消息稱三星將獲美國60億至70億美元補貼 消息稱三星將獲美國 60 億至 70 億美元補貼，用于擴大得州工廠芯片產(chǎn)能 發(fā)表于：4/9/2024 SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn) SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動 1c 納米 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn) 發(fā)表于：4/9/2024 消息稱三星獲英偉達 AI 芯片2.5D封裝訂單 消息稱三星獲英偉達 AI 芯片 2.5D 封裝訂單 發(fā)表于：4/8/2024 臺積電將獲美國至多66億美元直接補貼 臺積電將獲美國至多 66 億美元直接補貼，建設(shè)第三座在美晶圓廠 發(fā)表于：4/8/2024 海南首個衛(wèi)星超級工廠項目加快推動 4 月 6 日消息，海南正在加快商業(yè)航天產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。在文昌國際航天城管理局，海南“衛(wèi)星超級工廠”項目歷經(jīng)五個月的籌備，終于迎來了論證的最后階段。 發(fā)表于：4/7/2024 美歐半導(dǎo)體協(xié)議延長三年，將對傳統(tǒng)半導(dǎo)體采取措施 4月5日，美國和歐盟結(jié)束為期兩天的“貿(mào)易與技術(shù)委員會會議”（TTC），并針對會議達成的成果發(fā)布了一份長達12頁的聯(lián)合聲明，其中半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作成為了重點。 雙方均表示，將針對傳統(tǒng)半導(dǎo)體（主要是成熟制程芯片）供應(yīng)鏈進行調(diào)查，并計劃采取“下一步措施”！ 發(fā)表于：4/7/2024 臺積電：將在日本熊本設(shè)立第二家工廠 日本首相岸田文雄到訪熊本縣，并前往臺積電熊本工廠進行視察，與臺積電總裁魏哲家交換意見，并針對前幾天發(fā)生的花蓮地震表示慰問。 臺積電高管表示，該公司將在日本九州熊本縣菊陽町設(shè)立第二家工廠。岸田文雄指出，臺積電熊本廠對整個日本都有著極大的漣漪效應(yīng)。不只是對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對電動汽車等業(yè)界來說也是舉足輕重的影響。 發(fā)表于：4/7/2024 美施壓ASML以禁止向中國廠商提供光刻機工具維修服務(wù) 美施壓ASML以禁止向中國廠商提供光刻機工具維修服務(wù) 發(fā)表于：4/7/2024 東京大學(xué)研制出新型半導(dǎo)體器件 東京大學(xué)研制出新型半導(dǎo)體器件，有望用于下一代內(nèi)存 發(fā)表于：4/7/2024 SK海力士宣布將投資近40億美元在美建芯片封裝廠 官宣！SK海力士將投資近40億美元在美建芯片封裝廠 發(fā)表于：4/7/2024 三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量 三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量 發(fā)表于：4/7/2024 三星謀劃3D堆疊內(nèi)存：10nm以下一路奔向2032年 3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開，3D DRAM內(nèi)存也討論了很多年，但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上，終于出現(xiàn)了3D DRAM。 三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b，后續(xù)還有1c、1d，都是10nm級別。 發(fā)表于：4/7/2024 英特爾公布晶圓代工業(yè)務(wù)計劃 4 月 3 日消息，芯片巨頭英特爾公司今天公布了其晶圓代工業(yè)務(wù)部門的詳細信息，作為其財務(wù)報告格式變更的一部分，該部門現(xiàn)在作為一個獨立項目進行核算。 發(fā)表于：4/3/2024 ?…89909192939495969798…?
