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新思科技攜手英偉達(dá)釋放下一代EDA潛能

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年3月20日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布與英偉達(dá)（NVIDIA）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，借助人工智能和加速計(jì)算技術(shù)大幅提升芯片設(shè)計(jì)效率，加速汽車原型創(chuàng)新。雙方已合作三十余載，此次合作在英偉達(dá)全球GTC人工智能大會(huì)上正式宣布。新思科技全球總裁兼首席執(zhí)行官Sassine Ghazi表示：“新思科技長(zhǎng)期致力于以全球領(lǐng)先的技術(shù)助力開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)攻克各種前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。如今，我們將利用人工智能和加速計(jì)算等先進(jìn)技術(shù)，將這一目標(biāo)和承諾提升到一個(gè)全新高度。在英偉達(dá)GH200 Grace Hopper?超級(jí)芯片的加持下，新思科技EDA全套技術(shù)棧的性能顯著提升。與此同時(shí)，我們與英偉達(dá)的全新合作也將助力芯片到汽車系統(tǒng)技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)大幅提升團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新潛力?！?

發(fā)表于：3/21/2024

格創(chuàng)東智完成AMHS收購(gòu)簽約

3月20日,格創(chuàng)東智AMHS業(yè)務(wù)啟動(dòng)暨產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在SEMICON China 2024展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)成功舉行。會(huì)上,格創(chuàng)東智完成對(duì)耘德有限公司、江蘇睿新庫(kù)智能科技有限公司的戰(zhàn)略收購(gòu)簽約。

發(fā)表于：3/21/2024

美國(guó)政府宣布計(jì)劃向英特爾提供近200億美元激勵(lì)

3 月 20 日消息，美國(guó)商務(wù)部 3 月 20 日宣布，美國(guó)政府與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》向后者提供至多 85 億美元（當(dāng)前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當(dāng)前約 792 億元人民幣）貸款，以擴(kuò)大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領(lǐng)域重新確立在美國(guó)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并與臺(tái)積電和三星等公司競(jìng)爭(zhēng)。

發(fā)表于：3/21/2024

三星：最快2年奪回全球芯片市場(chǎng)第一

3月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子在周三舉行的年度股東大會(huì)上放下豪言，表示目標(biāo)是在最快2-3年內(nèi)重新奪回全球芯片市場(chǎng)的第一位置。據(jù)悉，三星電子計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)通過(guò)一系列的戰(zhàn)略舉措來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。首先，三星預(yù)計(jì)公司的DS（Device Solutions）部門的銷售額將在2024年恢復(fù)到2022年水平，這將為公司重返全球芯片市場(chǎng)第一奠定基礎(chǔ)。除了恢復(fù)銷售額外，三星還宣布將在所有設(shè)備中廣泛采用人工智能技術(shù)，通過(guò)提升人工智能能力，他們積極尋求涉足汽車零部件、機(jī)器人和數(shù)字健康領(lǐng)域的新業(yè)務(wù)。一。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報(bào)告》。報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)蘇以及高性能計(jì)算、汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球應(yīng)用于前道工藝的300mm晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1370億美元。 SEMI預(yù)測(cè)，2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備投資將增長(zhǎng)20%至1165億美元，2026年增長(zhǎng)12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長(zhǎng)5%至1370億美元。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備

2024年3月20日,中國(guó)上海——今天,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商奧芯明亮相SEMICON China 2024。作為ASMPT全球技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的一部分,奧芯明以中國(guó)設(shè)備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會(huì)上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對(duì)高質(zhì)量、高精度芯片封裝的先進(jìn)設(shè)備。

發(fā)表于：3/20/2024

基于SIP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND顆粒、用于固件存儲(chǔ)的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺(tái)上進(jìn)行底層ATA指令驗(yàn)證以及與傳統(tǒng)分離式存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)比性能測(cè)試，證明了應(yīng)用SiP技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢(shì)，為后續(xù)SiP存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證奠定了一定的技術(shù)基礎(chǔ)。

發(fā)表于：3/20/2024

Flash陣列無(wú)效塊管理

Flash陣列在當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域占據(jù)著重要地位，提高Flash陣列可靠性的關(guān)鍵在于提出合理的壞塊管理方法。針對(duì)固有壞塊，提出基于整合塊的壞塊管理方法和基于EEPROM查找表的壞塊管理方法。對(duì)于在使用過(guò)程中出現(xiàn)的突發(fā)壞塊，提出基于頁(yè)跳過(guò)和頁(yè)替換的突發(fā)壞塊管理方法。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)分析表明壞塊管理方法提高了NAND Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性，在保證存儲(chǔ)速度的情況下對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)空間得到最大化利用。

發(fā)表于：3/20/2024

亞智科技 RDL先進(jìn)制程加速全球板級(jí)封裝部署和生產(chǎn)

化學(xué)濕制程、電鍍及自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商Manz亞智科技，以RDL不斷精進(jìn)的工藝布局半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)。日前，Manz擴(kuò)大RDL 研發(fā)版圖，聚焦于高密度的玻璃通孔及內(nèi)接導(dǎo)線金屬化工藝，并將技術(shù)應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體封裝的TGV玻璃芯基材，能夠達(dá)到更高的封裝效能及能源傳遞效率外，還可透過(guò)板級(jí)制程，滿足高效率和大面積的生產(chǎn)，從而降低生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：3/20/2024

消息稱臺(tái)積電今年著力提升3nm產(chǎn)能

3 月 19 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電今年將全力擴(kuò)增 3nm 產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年底前該工藝的利用率將提升至 80%。臺(tái)積電 3nm 制程技術(shù)已拿下蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等大廠的訂單，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電還將轉(zhuǎn)移部分 5nm 產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這意味著臺(tái)積電在 3nm 制程世代完勝三星、英特爾等競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)。展望未來(lái) 2nm 制程世代，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2025 年開(kāi)始提供相關(guān)晶圓代工服務(wù)，總共涉及至少五座廠區(qū)。臺(tái)積電總裁魏哲家先前在財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，全球主要大廠中僅有一家不是臺(tái)積電 2nm 制程客戶。外界推測(cè)這一客戶指的是三星電子，但總體看來(lái)，臺(tái)積電仍將在 2nm 制程世代占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：3/20/2024

臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

3 月 19 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，由于建筑成本上升和勞動(dòng)力短缺，臺(tái)積電和英特爾的五家供應(yīng)商推遲或縮減了其在亞利桑那州的建設(shè)項(xiàng)目。這一挫折與供應(yīng)商最初的計(jì)劃背道而馳，此前他們計(jì)劃跟隨英特爾和臺(tái)積電在該州新建芯片生產(chǎn)設(shè)施的計(jì)劃進(jìn)行建設(shè)。臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

發(fā)表于：3/20/2024

鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復(fù)至88%

集邦咨詢：鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復(fù)至 88%，帶動(dòng) 2024 年 NAND 閃存產(chǎn)量增長(zhǎng) 10.9%

發(fā)表于：3/20/2024

賀利氏亮相SEMICON China 2024

（中國(guó)，上海）2024年3月20日，中國(guó)半導(dǎo)體旗艦展覽SEMICON China揭幕，德國(guó)科技巨頭賀利氏集團(tuán)攜旗下多個(gè)事業(yè)部的多項(xiàng)創(chuàng)新產(chǎn)品精彩亮相。其中，賀利氏電子位于E7館E7000的展臺(tái)上，展示了創(chuàng)新半導(dǎo)體、功率電子及汽車電子材料解決方案。而相鄰的E7008展臺(tái)上，賀利氏科納米展示了面向半導(dǎo)體行業(yè)的多種石英材料和制品。此外，賀利氏電子化學(xué)材料的專家來(lái)到現(xiàn)場(chǎng)，介紹多種半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中所需的超高純度特種化學(xué)品，如光酸、光引發(fā)劑、單體和交聯(lián)劑等。

發(fā)表于：3/20/2024

零壹空間交付新型火箭發(fā)射車：20分鐘即發(fā)射

3月18日消息，近期，我國(guó)私營(yíng)航天企業(yè)零壹空間成功向客戶交付了一款具備先進(jìn)快響火箭發(fā)射技術(shù)的發(fā)射車，型號(hào)WSD1-07，明碼標(biāo)價(jià)，195萬(wàn)元。

發(fā)表于：3/19/2024

NVIDIA計(jì)算光刻平臺(tái)正式落地臺(tái)積電

3 月 19 日消息，英偉達(dá)今天發(fā)布新聞稿，宣布臺(tái)積電和新思科技（Synopsys）正推進(jìn)部署使用英偉達(dá)的計(jì)算光刻平臺(tái)，以加速制造并推動(dòng)下一代先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的物理極限。

發(fā)表于：3/19/2024