EDA與制造相關(guān)文章 三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 內(nèi)存堆疊高度受限，三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 發(fā)表于：6/12/2024 傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口 6月12日，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士稱，拜登政府正在考慮進(jìn)一步限制中國(guó)獲得用于人工智能(AI)的芯片技術(shù)，這次把目標(biāo)鎖定在了一種剛剛進(jìn)入市場(chǎng)的新硬件。傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口 發(fā)表于：6/12/2024 我國(guó)1-5月集成電路出口同比增長(zhǎng)21.2% 我國(guó)1-5月集成電路出口同比增長(zhǎng)21.2%：發(fā)力28nm等成熟制程 產(chǎn)能要領(lǐng)先全球 發(fā)表于：6/11/2024 無疲勞鐵電材料可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片無限次擦寫 可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片無限次擦寫！中國(guó)科學(xué)家開發(fā)出無疲勞鐵電材料登上Science 發(fā)表于：6/11/2024 臺(tái)積電3nm產(chǎn)能訂單已排到2026年 蘋果、英偉達(dá)等大廠包下臺(tái)積電3納米產(chǎn)能：訂單排到2026年 發(fā)表于：6/11/2024 黃仁勛表示認(rèn)可臺(tái)積電暗示的漲價(jià)言論 英偉達(dá)CEO黃仁勛表示認(rèn)可臺(tái)積電暗示的漲價(jià)言論 發(fā)表于：6/11/2024 Rapidus與IBM達(dá)成2nm芯片封裝技術(shù)合作伙伴關(guān)系 Rapidus與IBM達(dá)成2nm芯片封裝技術(shù)合作伙伴關(guān)系 發(fā)表于：6/11/2024 SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)拜訪臺(tái)積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作 SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)拜訪臺(tái)積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作 發(fā)表于：6/11/2024 英特爾以色列新晶圓廠建設(shè)進(jìn)程暫緩 6 月 11 日消息，據(jù)以色列媒體 Calcalist 報(bào)道，部分供應(yīng)商近日接到英特爾通知，取消了與以色列新晶圓廠有關(guān)的設(shè)備、材料訂單。 主管相關(guān)事務(wù)的以色列財(cái)政部官員向該媒體表示，英特爾在以投資計(jì)劃整體不變，訂單取消是正常的時(shí)間表變動(dòng)。 發(fā)表于：6/11/2024 2024Q1我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)額同比增長(zhǎng)113% 2024Q1我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)額同比增長(zhǎng)113%，采購(gòu)額高達(dá)125.2億美元 發(fā)表于：6/11/2024 ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨來自中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng) ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨來自中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)！ 發(fā)表于：6/7/2024 武漢芯源半導(dǎo)體CW32單片機(jī)進(jìn)入即熱式熱水器應(yīng)用市場(chǎng) 武漢芯源半導(dǎo)體CW32單片機(jī)進(jìn)入即熱式熱水器應(yīng)用市場(chǎng) 發(fā)表于：6/7/2024 ASML將于今年向臺(tái)積電交付最新款光刻機(jī) 6月6日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML將在今年向臺(tái)積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī)，單臺(tái)造價(jià)達(dá)3.8億美元。 報(bào)道中提到，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會(huì)議上告訴分析師，公司兩大客戶臺(tái)積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。 英特爾此前已經(jīng)訂購(gòu)了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺(tái)設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。 目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺(tái)積電何時(shí)會(huì)收到設(shè)備。 發(fā)表于：6/6/2024 2023年中國(guó)大陸買了全球1/3芯片制造設(shè)備 遙遙領(lǐng)先！中國(guó)去年買了全球1/3芯片制造設(shè)備：7nm及以下制程被封鎖 發(fā)表于：6/6/2024 高通：正考慮實(shí)施臺(tái)積電、三星電子雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略 高通 CEO 安蒙：正考慮實(shí)施臺(tái)積電、三星電子雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略 6 月 5 日消息，今年 2 月，@Tech_Reve 曾爆料稱，高通驍龍 8 Gen 4 等今年的旗艦芯片都將基于臺(tái)積電 3nm 工藝制造，而明年推出的驍龍 8 Gen 5 將會(huì)同時(shí)采用臺(tái)積電 + 三星電子生產(chǎn)。 在昨日于臺(tái)北國(guó)際電腦展舉行的一次媒體發(fā)布會(huì)上，高通 CEO 克里斯蒂亞諾?安蒙在回答一位記者有關(guān)“依賴臺(tái)積電生產(chǎn)智能手機(jī)芯片的風(fēng)險(xiǎn)”時(shí)表示，他正考慮讓臺(tái)積電與三星電子實(shí)施雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。 發(fā)表于：6/6/2024 ?…9899100101102103104105106107…?
