全球前十大晶圓代工廠最新排名出爐：中芯國(guó)際第五

TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2023年第四季全球前十大晶圓代工業(yè)者營(yíng)收季增7.9%，達(dá)304.9億美元，主要受惠于智能手機(jī)零部件拉貨動(dòng)能延續(xù)，包含中低端Smartphone AP與周邊PMIC，以及蘋(píng)果新機(jī)出貨旺季，帶動(dòng)A17主芯片、周邊IC如OLED DDI、CIS、PMIC等零部件。其中，臺(tái)積電（TSMC）3nm高價(jià)制程貢獻(xiàn)營(yíng)收比重大幅提升，推升臺(tái)積電第四季全球市占率突破六成。三星接獲部分智能手機(jī)新機(jī)零部件訂單，第四季三星晶圓代工事業(yè)營(yíng)收季減1.9%，達(dá)36.2億美元。在消費(fèi)性終端季節(jié)性備貨紅利加持下，中芯國(guó)際（SMIC）第四季營(yíng)收季增3.6%，約16.8億美元，位列第五。

發(fā)表于：3/13/2024

多家日本車(chē)企陸續(xù)使用生成式AI開(kāi)發(fā)新車(chē)

3 月 12 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞今日?qǐng)?bào)道，日本各大汽車(chē)企業(yè)已陸續(xù)在開(kāi)發(fā)新款車(chē)型時(shí)使用生成式 AI，包括豐田、馬自達(dá)、斯巴魯、本田等車(chē)企。據(jù)悉，AI 可通過(guò)導(dǎo)出零部件的組合等來(lái)提高工作效率，有望使策劃和設(shè)計(jì)所需時(shí)間減半。

發(fā)表于：3/13/2024

ASML 首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝

3 月 13 日消息，光刻機(jī)制造商 ASML 宣布其首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 已完成安裝，新機(jī)型將帶來(lái)更高的生產(chǎn)效率。

發(fā)表于：3/13/2024

比18A高15%，英特爾高管透露英特爾14A節(jié)點(diǎn)性能功耗比信息

3 月 12 日消息，英特爾高級(jí)副總裁安妮?凱萊赫（Anne Kelleher）近日出席 SPIE 2024 會(huì)議，透露 Intel 14A 工藝節(jié)點(diǎn)的性能功耗比（Performance per watt），會(huì)比 Intel 18A 提高 15%，而后續(xù)增強(qiáng)的 14A-E 工藝在普通 14A 節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)上再增加 5%。

發(fā)表于：3/13/2024

現(xiàn)代汽車(chē)將研發(fā)5納米車(chē)用半導(dǎo)體

據(jù)外媒 ZDNET 韓國(guó)站周一報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士消息稱(chēng)，現(xiàn)代汽車(chē)將采用 5 納米工藝開(kāi)發(fā)自家的車(chē)用半導(dǎo)體。這將是一個(gè)大項(xiàng)目，耗資至少達(dá)到 1000 億韓元（當(dāng)前約 5.48 億元人民幣）。 報(bào)道稱(chēng)，為了開(kāi)發(fā)自有的汽車(chē)半導(dǎo)體，現(xiàn)代汽車(chē)于去年 6 月成立了一個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室，并聘請(qǐng)了曾在三星電子的系統(tǒng) LSI 部門(mén)從事車(chē)載芯片 Exynos Auto 開(kāi)發(fā)工作的工程師 Kim Jong-sun。 現(xiàn)代汽車(chē)正計(jì)劃為其半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)選擇一家半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，預(yù)計(jì)代工廠將是三星電子或臺(tái)積電。目前，三星電子和臺(tái)積電是唯二使用 5 納米工藝生產(chǎn)汽車(chē)芯片的代工廠。

發(fā)表于：3/13/2024

三星電子有意引入SK海力士使用的MUF封裝工藝

AI 火熱催生 HBM 需求，消息稱(chēng)三星電子有意引入 SK 海力士使用的 MUF封裝工藝

發(fā)表于：3/13/2024

消息稱(chēng)中芯國(guó)際前技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁周梅生加入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

消息稱(chēng)中芯國(guó)際前技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁周梅生加入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

發(fā)表于：3/13/2024

龍芯2K3000計(jì)劃上半年交付流片

3月12日消息，近日，龍芯中科在投資者互動(dòng)平臺(tái)回應(yīng)用戶(hù)提問(wèn)時(shí)表示，龍芯第二代GPU核LG200將在2K3000中應(yīng)用，2K3000計(jì)劃在今年上半年交付流片。 LG200支持圖形加速、科學(xué)計(jì)算加速、AI加速，其中圖形渲染支持OpenGL 4.0，通用計(jì)算支持OpenCL 3.0，AI加速支持INT8張量計(jì)算加速部件。

發(fā)表于：3/12/2024

SK海力士加大HBM封裝投入：投資10億美元建造先進(jìn)封裝設(shè)施

據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士正在加大在先進(jìn)芯片封裝方面的支出，希望抓住市場(chǎng)對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）需求日益增長(zhǎng)而帶來(lái)的機(jī)遇。 SK海力士研發(fā)工作的副總裁表示，SK海力士正在加大在先進(jìn)芯片封裝方面的支出，打算在韓國(guó)投資10億美元建造先進(jìn)封裝設(shè)施，以進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)封裝產(chǎn)能。 希望能夠抓住市場(chǎng)對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器日益增長(zhǎng)的需求帶來(lái)的機(jī)遇，同時(shí)鞏固SK海力士目前在HBM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 在當(dāng)前數(shù)據(jù)中心GPU加速器的發(fā)展中，HBM內(nèi)存所擔(dān)任的角色極為重要。而在HBM生產(chǎn)的過(guò)程中，芯片封裝工藝變得越來(lái)越重要。

發(fā)表于：3/12/2024

印度芯片野心：5年16座晶圓廠

印度芯片野心：5年16座晶圓廠 印度政府計(jì)劃在目前的 7600 億盧比基礎(chǔ)上提高芯片行業(yè)的激勵(lì)措施，因?yàn)轭A(yù)計(jì)未來(lái)幾年該國(guó)芯片工廠和測(cè)試單位將如雨后春筍般涌現(xiàn)。 IT 部長(zhǎng) Ashwini Vaishnaw 在接受采訪時(shí)表示，印度將在未來(lái)五年內(nèi)成為世界排名前五的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)之一。 這位部長(zhǎng)表示，這將得到全球巨頭投資的支持，這些巨頭越來(lái)越多地考慮在印度建立制造或其他單位。 “未來(lái)五年，印度預(yù)計(jì)將新增約 4-6 座晶圓廠、6-10 座化合物半導(dǎo)體晶圓廠、1-2 座顯示器晶圓廠和 8-10 座 ATMP 工廠。 整個(gè)設(shè)計(jì)、晶圓廠和 ATMP 價(jià)值鏈將在巴拉特建立。 未來(lái)五年，Bharat 將成為世界排名前五的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)之一。”同時(shí)負(fù)責(zé)電信和鐵路業(yè)務(wù)的 Vaishnaw 表示。

發(fā)表于：3/12/2024

臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠將獲50億美元補(bǔ)貼

根據(jù)彭博社報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的半導(dǎo)體晶圓廠有望獲得超過(guò) 50 億美元的聯(lián)邦補(bǔ)貼。報(bào)道稱(chēng)美國(guó)政府還需要和臺(tái)積電敲定一些細(xì)節(jié)，因此暫時(shí)并未公布。 如果有關(guān)臺(tái)積電獲得 50 億美元（當(dāng)前約 360 億元人民幣）獎(jiǎng)勵(lì)的信息是準(zhǔn)確的，那么有關(guān)英特爾獲得約 100 億美元獎(jiǎng)勵(lì)的報(bào)道很可能也是準(zhǔn)確的。 此外，英特爾在美國(guó)的項(xiàng)目遠(yuǎn)比臺(tái)積電雄心勃勃、耗資巨大。例如，英特爾正在俄亥俄州建造一個(gè)全新的廠址，耗資將超過(guò) 1000 億美元。

發(fā)表于：3/11/2024

Marvell 美滿(mǎn)電子宣布與臺(tái)積電合作

3 月 11 日消息，據(jù) Marvell 美滿(mǎn)電子官方新聞稿，美滿(mǎn)電子正在擴(kuò)大與臺(tái)積電的合作，開(kāi)發(fā)業(yè)界首款針對(duì)加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的 2nm 芯片生產(chǎn)平臺(tái)。 從新聞稿中得知，美滿(mǎn)電子將與臺(tái)積電協(xié)作提升芯片性能和效率，投資于互連和高級(jí)封裝等平臺(tái)組件，從而降低多芯片解決方案的成本，加快相關(guān)芯片上市時(shí)間。 美滿(mǎn)電子首席開(kāi)發(fā)官 Sandeep Bharathi 表示：“未來(lái)的人工智能工作負(fù)載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著的進(jìn)步。2nm 平臺(tái)將使 Marvell 能夠提供高度差異化的模擬、混合信號(hào)和基礎(chǔ) IP，以構(gòu)建能夠?qū)崿F(xiàn)人工智能承諾的加速基礎(chǔ)設(shè)施。我們與臺(tái)積電在 5nm、3nm 和現(xiàn)在的 2nm 平臺(tái)上的合作，有助于 Marvell 擴(kuò)大在芯片方面所能取得的成就?！?/a>

廣汽自研飛行汽車(chē)GOVE完成關(guān)鍵飛行驗(yàn)證

飛行汽車(chē)近年來(lái)成為國(guó)內(nèi)外企業(yè)投資的重點(diǎn)，國(guó)外有大眾、福特等汽車(chē)品牌入局，國(guó)內(nèi)也有廣汽、小鵬研發(fā)飛行汽車(chē)。 據(jù)廣汽集團(tuán)公眾介紹，日前，廣汽飛行汽車(chē)GOVE在廣州CBD上空進(jìn)行飛行展示，首次完成在城市公眾復(fù)雜低空環(huán)境進(jìn)行飛行驗(yàn)證，為廣汽城市空中交通示范運(yùn)行探索邁出了重要一步。

發(fā)表于：3/11/2024

消息稱(chēng)HBM4標(biāo)準(zhǔn)放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術(shù)

據(jù)科技媒體ZDNET Korea報(bào)道，業(yè)界消息稱(chēng)，國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織（JEDEC）的主要參與者最近同意將HBM4產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)定為775微米（μm），比上一代的720微米更厚。據(jù)悉，該協(xié)議預(yù)計(jì)將對(duì)三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存制造商的未來(lái)封裝投資趨勢(shì)產(chǎn)生重大影響。如果封裝厚度為775微米，使用現(xiàn)有的鍵合技術(shù)就可以充分實(shí)現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4?？紤]到混合鍵合的投資成本巨大，存儲(chǔ)器公司很可能將重點(diǎn)放在升級(jí)現(xiàn)有鍵合技術(shù)上。

發(fā)表于：3/11/2024

藍(lán)箭航天首臺(tái)天鵲 A 發(fā)動(dòng)機(jī)交付

3 月 7 日消息，國(guó)內(nèi)商業(yè)航天公司藍(lán)箭航天今日宣布，朱雀二號(hào) 02 批遙一運(yùn)載火箭二級(jí)發(fā)動(dòng)機(jī)于湖州藍(lán)箭航天動(dòng)力制造基地完成裝配和驗(yàn)收工作，作為首臺(tái)天鵲 A 發(fā)動(dòng)機(jī)，即將亮相嘉興藍(lán)箭航天中心，開(kāi)始火箭總裝工作。

發(fā)表于：3/8/2024