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ASML新款NXE:3800E EUV光刻機(jī)引入部分High-NA機(jī)型技術(shù)

3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。 根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。 下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。因此 ASML 提高了光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率，從而將光線入射角調(diào)整回合適大小。 但在掩膜尺寸不變的情況下，增加光學(xué)系統(tǒng)放大倍率本身也會(huì)因?yàn)槠毓鈭?chǎng)的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個(gè)方向上將放大倍數(shù)從 4 倍提升至 8 倍，這使得曝光場(chǎng)僅用減小一半。 而為了進(jìn)一步降低曝光時(shí)間，提升吞吐量，有必要提升光刻機(jī)載物臺(tái)的運(yùn)動(dòng)速率。ASML 工程師就此開發(fā)了同時(shí)兼容現(xiàn)有 0.33NA 數(shù)值孔徑系統(tǒng)的新款快速載物臺(tái)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)。

發(fā)表于：3/28/2024

三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%

3月25日消息，據(jù)媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。 除此之外，臺(tái)積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴(kuò)大到每月約10萬(wàn)片，這使得三星幾乎沒(méi)有趕上代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的機(jī)會(huì)。 報(bào)道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進(jìn)行了改進(jìn)。 然而，這并沒(méi)有為三星吸引更多客戶。一份報(bào)告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認(rèn)可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預(yù)見的未來(lái)將繼續(xù)選擇臺(tái)積電。 本月初，韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。 一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同?！?/a>

發(fā)表于：3/26/2024