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2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時(shí)間表公布

據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠，將進(jìn)行2nm制造。據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹? 作為三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié)，臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái)，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

發(fā)表于：2/5/2024

3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺(tái)積電卻已大賺211億

據(jù)韓媒報(bào)道，三星 3nm 工藝存在重大問題，試產(chǎn)芯片均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。當(dāng)三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時(shí)，臺(tái)積電的 3nm 工藝已經(jīng)可以養(yǎng)家了。臺(tái)積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產(chǎn)量的持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。在 3nm 先進(jìn)制程工藝上，三星暫時(shí)做不到遙遙領(lǐng)先。

發(fā)表于：2/5/2024

華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利

發(fā)表于：2/5/2024

蘋果已完成70萬公里自動(dòng)駕駛汽車測(cè)試

蘋果的神秘汽車項(xiàng)目已經(jīng)悄悄進(jìn)行了六年，外界對(duì)其進(jìn)展幾乎一無所知。不過，最近蘋果向加州一家機(jī)構(gòu)提交的記錄揭示了自動(dòng)駕駛項(xiàng)目的最新動(dòng)態(tài)。數(shù)據(jù)顯示， 2023年，蘋果在公共道路上的自動(dòng)駕駛測(cè)試?yán)锍碳s72萬公里，幾乎較2022年增加了三倍，比2021年更是增加了30多倍。

發(fā)表于：2/5/2024

ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經(jīng)濟(jì)選擇

ASML 首席財(cái)務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當(dāng)?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應(yīng)了分析機(jī)構(gòu) SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機(jī)仍是未來最經(jīng)濟(jì)的選擇。

發(fā)表于：2/4/2024

1c納米內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)：三星計(jì)劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料

根據(jù)韓媒 The Elec 的報(bào)道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個(gè)內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個(gè) 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進(jìn)的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級(jí)工藝。分析機(jī)構(gòu) TechInsights 高級(jí)副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場(chǎng)研討會(huì)上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點(diǎn)率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進(jìn)一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會(huì)反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護(hù)工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認(rèn)為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個(gè)世代引入這兩種金屬。

發(fā)表于：2/4/2024

三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗

根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。

發(fā)表于：2/4/2024

美加企業(yè)合作開發(fā)移動(dòng)核電廠

2月1日消息，據(jù)媒體報(bào)道，美國西屋公司（Westinghouse）和加拿大Prodigy公司正在合作開發(fā)基于西屋5000千瓦熱管微堆eVinci的移動(dòng)核電廠。據(jù)了解，兩家公司自2019年以來一直在合作評(píng)估eVinci的部署模式。在2019—2020年一家跨國礦業(yè)公司資助的研究中，Prodigy評(píng)估是否能將eVinci部署到海岸設(shè)施中，用于為偏遠(yuǎn)的礦山供電。 Prodigy公司專注于將商用小型模塊堆集成到海上電廠系統(tǒng)，用于沿海發(fā)電，與陸上相比，海上建造小型模塊堆電站具有成本更低和工期更短的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：2/1/2024

OpenAI加速造芯：奧特曼赴韓與三星SK談合作

OpenAI加速造芯：奧特曼赴韓與三星SK談合作，此前已會(huì)見英特爾、臺(tái)積電

發(fā)表于：2/1/2024

美國半導(dǎo)體大廠將10億美元制造業(yè)務(wù)從中國撤出

據(jù)國外媒體報(bào)道稱，美國知名半導(dǎo)體大廠泰瑞達(dá)去年從中國撤出了價(jià)值大約10億美元的制造業(yè)務(wù)，而這對(duì)他們來說是一個(gè)艱難的決定。蘇州工廠是泰瑞達(dá)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的主要生產(chǎn)基地，在截至去年10月1日的三個(gè)月中，中國市場(chǎng)占泰瑞達(dá)營收的12%，低于上年同期的16%。

發(fā)表于：1/31/2024

藍(lán)箭航天回應(yīng)“爆炸傳聞”：正常試驗(yàn) 僅3人擦傷

1 月 30 日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道，昨日晚間，有網(wǎng)友稱上海市松江區(qū)發(fā)生爆炸，是藍(lán)箭航天試驗(yàn)所致。 1 月 30 日，藍(lán)箭航天向媒體證實(shí)了這一說法，藍(lán)箭航天表示，" 這是正常試驗(yàn)，并無網(wǎng)上流傳爆炸的說法 "。藍(lán)箭航天介紹，1 月 29 日 19 點(diǎn) 30 分，800 所（上海航天精密機(jī)械研究所）在室外低溫試驗(yàn)工位開展了商業(yè)航天貯箱低溫靜力爆破試驗(yàn)。

發(fā)表于：1/31/2024

使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究

　　在 3D NAND 存儲(chǔ)器件的制造中，有一個(gè)關(guān)鍵工藝模塊涉及在存儲(chǔ)單元中形成金屬柵極和字線。這個(gè)工藝首先需要在基板上沉積數(shù)百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲(chǔ)孔陣列。此時(shí)，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像一片瑞士奶酪。在這些工藝步驟中，很難實(shí)現(xiàn)側(cè)壁剖面控制，因?yàn)榭涛g工藝中深寬比較高，且存儲(chǔ)單元孔需要極大的深度。因此，刻蝕工藝中可能會(huì)出現(xiàn)彎折、扭曲等偏差。從堆疊層頂部到底部，存儲(chǔ)單元孔直徑和孔間隔可存在最高25%的偏差。

發(fā)表于：1/30/2024

我國首款嵌套式霍爾推力器成功點(diǎn)火運(yùn)行

據(jù)中國航天科技集團(tuán)六院上?？臻g推進(jìn)研究所消息，近日，該所研制的 50 千瓦級(jí)雙環(huán)嵌套式霍爾推力器成功實(shí)現(xiàn)點(diǎn)火和穩(wěn)定運(yùn)行，試驗(yàn)驗(yàn)證了推力器內(nèi)、外環(huán)單環(huán)點(diǎn)火和雙環(huán)同時(shí)點(diǎn)火能力。據(jù)介紹，這是國內(nèi)首款 50 千瓦級(jí)雙環(huán)嵌套式霍爾推力器，其成功點(diǎn)火運(yùn)行標(biāo)志著我國成為世界上第三個(gè)實(shí)現(xiàn)嵌套式霍爾電推進(jìn)技術(shù)突破的國家。

發(fā)表于：1/30/2024

我國自研AES100渦軸發(fā)動(dòng)機(jī)完成整機(jī)結(jié)冰適航試驗(yàn)

據(jù)中國航空發(fā)動(dòng)機(jī)集團(tuán)(中國航發(fā))官方披露，作為我國自主研制的先進(jìn)民用渦軸發(fā)動(dòng)機(jī)，AES100已經(jīng)圓滿完成整機(jī)結(jié)冰適航試驗(yàn)。這標(biāo)志著，該發(fā)動(dòng)機(jī)適航技術(shù)取得重要突破，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

發(fā)表于：1/30/2024

2023 年中國鋰電池出口額再創(chuàng)新高

中國化學(xué)與物理電源行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布統(tǒng)計(jì)稱，2023 年 1-12 月我國鋰離子電池累積出口額為 650.07 億美元，2022 年同期為 508.76 億美元，同比增長(zhǎng) 27.8%，創(chuàng)下新高

發(fā)表于：1/30/2024