詳解ASML High-NA EUV光刻機(jī)

英特爾率先拿到該設(shè)備，無疑會(huì)極大地提升其芯片制造能力和效率。 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。 從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺(tái)，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。 ASML官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè)TWINSCAN EXE:5000高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由ASM與imec合作開發(fā)，將于2024年安裝在ASML與imec的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室中，預(yù)計(jì)2025年投入量產(chǎn)。另一個(gè)由英特爾在2018年訂購， 2023 年 12 月，ASML正式向英特爾交付了首個(gè)High-NA EUV 光刻系統(tǒng)——TWINSCAN EXE:5000的首批模塊。

發(fā)表于：3/27/2024

2023年第四季度按收入規(guī)模排名的七大半導(dǎo)體公司

3 月 26 日消息，市場調(diào)查機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 近日發(fā)布系列信息圖，報(bào)告了 2023 年第 4 季度全球半導(dǎo)體、代工廠份額和智能手機(jī)市場份額。 信息圖：2023 年第四季度按收入規(guī)模排名的七大半導(dǎo)體公司 英特爾 英特爾憑借著客戶機(jī)計(jì)算部門的出色表現(xiàn)（環(huán)比增長 12%），躍居全球半導(dǎo)體市場首位。 三星 三星受內(nèi)存收入反彈的推動(dòng)，排名第二，季度收入持平，但面臨移動(dòng)業(yè)務(wù)疲軟挑戰(zhàn)。 英偉達(dá) 英偉達(dá)（NVIDIA）在人工智能服務(wù)器領(lǐng)域的主導(dǎo)地位繼續(xù)支持其半導(dǎo)體收入的增長，因此該公司在 2023 年第四季度排名第三。 博通 博通（Broadcom）位居第四，主要原因是超大規(guī)模企業(yè)對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心和人工智能加速器的需求強(qiáng)勁。 SK 海力士 SK hynix 也受益于內(nèi)存復(fù)蘇，本季度收入連續(xù)增長，排名第五。 高通和 AMD 高通（收入不包括 QTL）和 AMD 的營收也實(shí)現(xiàn)了連續(xù)增長，分列第 6 和第 7 位。

發(fā)表于：3/27/2024

臺(tái)積電3nm獲蘋果英特爾AMD頻頻追單

獲蘋果、英特爾、AMD 頻頻追單，臺(tái)積電 3nm 收入大漲

發(fā)表于：3/26/2024

三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%

3月25日消息，據(jù)媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落后于競爭對(duì)手臺(tái)積電。 除此之外，臺(tái)積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴(kuò)大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對(duì)手臺(tái)積電的機(jī)會(huì)。 報(bào)道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進(jìn)行了改進(jìn)。 然而，這并沒有為三星吸引更多客戶。一份報(bào)告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認(rèn)可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預(yù)見的未來將繼續(xù)選擇臺(tái)積電。 本月初，韓國媒體報(bào)道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。 一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同?！?/a>

SEMI：中國12英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備支出將領(lǐng)先全球

據(jù)美國《福布斯》雜志網(wǎng)站24日?qǐng)?bào)道，美國半導(dǎo)體行業(yè)組織國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近日發(fā)布的最新報(bào)告預(yù)測，中國大陸將在主流300毫米（12英寸）半導(dǎo)體工廠設(shè)備支出方面領(lǐng)先全球，未來4年每年的投資將達(dá)到300億美元。中國臺(tái)灣和韓國緊隨其后。

發(fā)表于：3/26/2024

消息稱臺(tái)積電2nm制程設(shè)備安裝加速

據(jù)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》消息，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈消息稱，臺(tái)積電2nm制程加速安裝設(shè)備，臺(tái)積電新竹寶山Fab20 P1廠將于4月進(jìn)行設(shè)備安裝工程，為GAA（環(huán)繞式閘級(jí)）架構(gòu)量產(chǎn)暖身，預(yù)計(jì)寶山P1、P2及高雄三座先進(jìn)制程晶圓廠均于2025年量產(chǎn)，并吸引蘋果、英偉達(dá)、AMD及高通等客戶爭搶產(chǎn)能。臺(tái)積電對(duì)此不發(fā)表評(píng)論。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士將斥資900億美元打造全新半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

3月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）。 據(jù)悉，新的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨(dú)立的晶圓廠，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計(jì)劃，但由于許可問題，開發(fā)被推遲。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達(dá)成的協(xié)議，這項(xiàng)計(jì)劃已獲得進(jìn)展。

發(fā)表于：3/25/2024

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！ 3月22日，前臺(tái)積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺(tái)灣科學(xué)及技術(shù)委員會(huì)“科學(xué)、民主與社會(huì)研究中心”（DSET）主辦的《供應(yīng)鏈重組與經(jīng)濟(jì)安全》國際論壇上表示，中國面對(duì)美國對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展，但是需多少時(shí)間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系。 近年來，在官方支持及內(nèi)部需求的推動(dòng)之下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。即便是在美國聯(lián)合日本、荷蘭持續(xù)通過限制半導(dǎo)體設(shè)備出口來阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步。

發(fā)表于：3/25/2024

蘋果計(jì)劃 2030年達(dá)成所有產(chǎn)品的碳中和

3 月 24 日消息，中國發(fā)展高層論壇 2024 年年會(huì)今日在北京釣魚臺(tái)國賓館舉行，年會(huì)主題為“持續(xù)發(fā)展的中國”，由國務(wù)院發(fā)展研究中心主辦。 蘋果公司 CEO 庫克在論壇上表示，蘋果計(jì)劃在 2030 年達(dá)成蘋果所有產(chǎn)品的碳中和。在原材料、生產(chǎn)和運(yùn)輸這三個(gè)方面，蘋果正推進(jìn)上百項(xiàng)減碳相關(guān)的項(xiàng)目。

發(fā)表于：3/25/2024

美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊

美光（Micron）近日出席英偉達(dá) GTC 2024 大會(huì)，展示了 256GB 單條 MCRDIMM DDR5-8800 內(nèi)存模塊。

發(fā)表于：3/25/2024

消息稱三星將向英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)12層HBM3E

消息稱三星將向英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)12層HBM3E

發(fā)表于：3/25/2024

漢高攜新品亮相SEMICON China 2024

2024年3月21日,漢高粘合劑電子事業(yè)部亮相一年一度的半導(dǎo)體和電子行業(yè)年度盛會(huì)SEMICON China,帶來眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案,包括車規(guī)級(jí)高性能芯片粘接膠樂泰ABLESTIK ABP 6392TEA、毛細(xì)底部填充膠樂泰® Eccobond UF 9000AE,以及一系列先進(jìn)封裝材料、芯片粘接膠/膜解決方案等,從而以前沿材料科技助推半導(dǎo)體封裝行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

發(fā)表于：3/22/2024

德國PVA TePla集團(tuán)展示"中國版“”碳化硅晶體生長設(shè)備“SiCN”

024年3月20日，半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì) SEMICON China 2024啟幕，全球高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商德國PVA TePla集團(tuán)再次亮相，并向行業(yè)展示其最新打造的國產(chǎn)碳化硅晶體生長設(shè)備“SiCN”。

發(fā)表于：3/22/2024

中國第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

中國第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。 采用自主開創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

發(fā)表于：3/22/2024

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域 3 月 21 日消息，聯(lián)發(fā)科昨日宣布攜手光通信廠商 Ranovus 推出新一代共封裝光學(xué)（CPO）ASIC 設(shè)計(jì)平臺(tái)，提供異質(zhì)整合高速電子與光學(xué)型號(hào)的 I / O 解決方案。案。"

發(fā)表于：3/22/2024