半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)的創(chuàng)新突破，是包括英特爾在內(nèi)的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計(jì)算時(shí)代的根本。

年內(nèi)即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關(guān)鍵制程技術(shù)突破，同時(shí)還肩負(fù)著讓英特爾重回技術(shù)創(chuàng)新最前沿的使命。

那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導(dǎo)體制程技術(shù)創(chuàng)新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)兩大關(guān)鍵技術(shù)突破，會給出世界一個(gè)答案。

攻克兩大技術(shù)突破 實(shí)力出色

RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，是破除半導(dǎo)體芯片因漏電而導(dǎo)致普遍發(fā)熱問題魔咒的關(guān)鍵。

這一問題在芯片制程工藝不斷進(jìn)化的進(jìn)程中，隨著芯片密度不斷攀升越來越普遍和嚴(yán)重，RibbonFET正是應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的有效解決方案。

通過英特爾十多年來最重要的晶體管技術(shù)創(chuàng)新之一，英特爾實(shí)現(xiàn)了全環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)，以垂直堆疊的帶狀溝道，提高晶體管的密度和能效，實(shí)現(xiàn)電流的精準(zhǔn)控制，在實(shí)現(xiàn)晶體管進(jìn)一步微縮的同時(shí)減少漏電問題發(fā)生。

與此同時(shí)，RibbonFET還能提高每瓦性能、最小電壓（Vmin）操作和靜電性能。無論在何種電壓下，都能提供更強(qiáng)的驅(qū)動電流，讓晶體管開關(guān)的速度更快，從而實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的進(jìn)一步提升。

RibbonFET 還通過不同的帶狀寬度和多種閾值電壓（Vt）類型提供了高度的可調(diào)諧性，為芯片設(shè)計(jì)帶來了更高的靈活性。

晶體管作為半導(dǎo)體芯片最為關(guān)鍵的元件，會直接對性能產(chǎn)生影響。在日常應(yīng)用中，我們格外關(guān)注PC處理器的散熱問題，積熱造成的處理器頻率下降是影響性能體驗(yàn)最為直觀的因素。

而半導(dǎo)體芯片性能提升又與晶體管密度關(guān)系密切，不斷縮小的芯片面積與不斷增加的晶體管密度看似是一組矛盾因子。

因此需要RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管這樣的技術(shù)突破來沖破壁壘，確保更高晶體管密度下的性能釋放不被電流和溫度所影響。

Intel 18A另一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破是PowerVia背面供電技術(shù)。

英特爾率先在業(yè)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了PowerVia背面供電技術(shù)，再次革新了芯片制造。隨著越來越多的使用場景都需要尺寸更小、密度更高、性能更強(qiáng)的晶體管來滿足不斷增長的算力需求。

而混合信號線和電源一直以來都在“搶占”晶圓內(nèi)的同一塊空間，從而導(dǎo)致?lián)矶?，并給晶體管進(jìn)一步微縮增加了難度。

PowerVia背面供電技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過將粗間距金屬層和凸塊移至芯片背面，并在每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中嵌入納米級硅通孔 (nano-TSV)，以提高供電效率。

這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了ISO功耗效能最高提高4%，并提升標(biāo)準(zhǔn)單元利用率5%至10%。

在兩大核心技術(shù)的支持下，Intel 18A將實(shí)現(xiàn)芯片性能、密度和能效的顯著提升。

與Intel 3制程工藝相比，Intel 18A的每瓦性能預(yù)計(jì)提升15%，芯片密度預(yù)計(jì)提升30%，這些改進(jìn)不僅為英特爾自身產(chǎn)品提供了強(qiáng)大的性能支持。

更將為諸多領(lǐng)域的未來創(chuàng)新應(yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。從醫(yī)療影像診斷到智能交通的精準(zhǔn)調(diào)度，助力整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。

應(yīng)對多元應(yīng)用場景，優(yōu)勢盡顯

當(dāng)前的AI原生時(shí)代下，對于高性能計(jì)算（HPC）、復(fù)雜的AI訓(xùn)練和推理任務(wù)等這類需處理海量數(shù)據(jù)、進(jìn)行復(fù)雜運(yùn)算，對性能要求近乎極致的應(yīng)用場景對能效與性能有著嚴(yán)苛需求。

PowerVia和RibbonFET兩項(xiàng)技術(shù)突破能夠?yàn)椴煌瑘鼍疤峁└痈咝А⒎€(wěn)定的技術(shù)支撐。

在圖像信號處理、視頻和AI視覺等場景中，這兩大技術(shù)突破也能夠展現(xiàn)出不可替代性。PowerVia技術(shù)通過減少IR壓降、優(yōu)化信號布線以及提高芯片正面單元利用率，能夠顯著降低功耗損失。

而RibbonFET技術(shù)通過更高的功能集成度在精密的醫(yī)療和工業(yè)傳感器設(shè)計(jì)方面優(yōu)勢顯著。

基于Intel 18A的首款產(chǎn)品Panther Lake將于2025年下半年發(fā)布。其高密度、高性能、靈活性、高能效的特點(diǎn)，將助力英特爾持續(xù)推動可持續(xù)的算力增長，從而滿足不同客戶群體多元化的需求。