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三星電子確認(rèn)下半年推出第二代3nm制程工藝

3 月 21 日消息，三星電子 DS 部門下屬 Foundry 業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人崔時(shí)榮在昨日舉行的三星電子年度股東大會(huì)上表示將于今年下半年推出第二代 3nm 制程工藝，回?fù)袅私盏?" 更名 " 傳聞。

發(fā)表于：3/22/2024

英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進(jìn)半導(dǎo)體在美歐生產(chǎn)

發(fā)表于：3/22/2024

美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量

美光：HBM 內(nèi)存消耗 3 倍晶圓量，明年產(chǎn)能基本預(yù)定完畢

發(fā)表于：3/22/2024

意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出18nm FD-SOI工藝

意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出 18nm FD-SOI 工藝，支持嵌入式 PCM

發(fā)表于：3/22/2024

中國已連續(xù)8年成為世界最大工業(yè)機(jī)器人市場遠(yuǎn)超預(yù)期

根據(jù)美國研究機(jī)構(gòu)ITIF 3月最新分析，雖然美國產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新享有盛譽(yù)，但在機(jī)器人創(chuàng)新方面，中國企業(yè)成為領(lǐng)先者只是時(shí)間問題。近年來在推動(dòng)工廠數(shù)字化、智慧化之下，中國已連續(xù)8年成為全球最大的工業(yè)機(jī)器人市場。ITIF統(tǒng)計(jì)，中國目前機(jī)器人的應(yīng)用比例是此前業(yè)內(nèi)專家預(yù)測的12.5倍。 ITIF分析全球機(jī)器人創(chuàng)新數(shù)據(jù)，如科學(xué)論文和專利，并對(duì)四大中國機(jī)器人公司進(jìn)行研究，同時(shí)與中國機(jī)器人產(chǎn)業(yè)全球?qū)＜疫M(jìn)行訪談和會(huì)議。最終得出結(jié)論：中國當(dāng)前尚未成為機(jī)器人創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，但其在國內(nèi)生產(chǎn)和應(yīng)用正在快速增長，中國政府也將發(fā)展機(jī)器人作為優(yōu)先事項(xiàng)。因此，中國機(jī)器人公司達(dá)到世界領(lǐng)先地位可能只是時(shí)間問題。

發(fā)表于：3/22/2024

國產(chǎn)磁流體拋光機(jī)亮相，超精密光學(xué)加工不再被“卡脖子”

發(fā)表于：3/22/2024

新思科技攜手英偉達(dá)釋放下一代EDA潛能

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年3月20日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布與英偉達(dá)（NVIDIA）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，借助人工智能和加速計(jì)算技術(shù)大幅提升芯片設(shè)計(jì)效率，加速汽車原型創(chuàng)新。雙方已合作三十余載，此次合作在英偉達(dá)全球GTC人工智能大會(huì)上正式宣布。新思科技全球總裁兼首席執(zhí)行官Sassine Ghazi表示：“新思科技長期致力于以全球領(lǐng)先的技術(shù)助力開發(fā)團(tuán)隊(duì)攻克各種前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。如今，我們將利用人工智能和加速計(jì)算等先進(jìn)技術(shù)，將這一目標(biāo)和承諾提升到一個(gè)全新高度。在英偉達(dá)GH200 Grace Hopper?超級(jí)芯片的加持下，新思科技EDA全套技術(shù)棧的性能顯著提升。與此同時(shí)，我們與英偉達(dá)的全新合作也將助力芯片到汽車系統(tǒng)技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)大幅提升團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新潛力?！?

發(fā)表于：3/21/2024

格創(chuàng)東智完成AMHS收購簽約

3月20日,格創(chuàng)東智AMHS業(yè)務(wù)啟動(dòng)暨產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在SEMICON China 2024展會(huì)現(xiàn)場成功舉行。會(huì)上,格創(chuàng)東智完成對(duì)耘德有限公司、江蘇睿新庫智能科技有限公司的戰(zhàn)略收購簽約。

發(fā)表于：3/21/2024

美國政府宣布計(jì)劃向英特爾提供近200億美元激勵(lì)

3 月 20 日消息，美國商務(wù)部 3 月 20 日宣布，美國政府與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)美國《芯片與科學(xué)法案》向后者提供至多 85 億美元（當(dāng)前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當(dāng)前約 792 億元人民幣）貸款，以擴(kuò)大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領(lǐng)域重新確立在美國的領(lǐng)導(dǎo)地位，并與臺(tái)積電和三星等公司競爭。

發(fā)表于：3/21/2024

三星：最快2年奪回全球芯片市場第一

3月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子在周三舉行的年度股東大會(huì)上放下豪言，表示目標(biāo)是在最快2-3年內(nèi)重新奪回全球芯片市場的第一位置。據(jù)悉，三星電子計(jì)劃在未來幾年內(nèi)通過一系列的戰(zhàn)略舉措來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。首先，三星預(yù)計(jì)公司的DS（Device Solutions）部門的銷售額將在2024年恢復(fù)到2022年水平，這將為公司重返全球芯片市場第一奠定基礎(chǔ)。除了恢復(fù)銷售額外，三星還宣布將在所有設(shè)備中廣泛采用人工智能技術(shù)，通過提升人工智能能力，他們積極尋求涉足汽車零部件、機(jī)器人和數(shù)字健康領(lǐng)域的新業(yè)務(wù)。一。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報(bào)告》。報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)器市場的復(fù)蘇以及高性能計(jì)算、汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球應(yīng)用于前道工藝的300mm晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1370億美元。 SEMI預(yù)測，2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備投資將增長20%至1165億美元，2026年增長12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長5%至1370億美元。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備

2024年3月20日,中國上?！裉?國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商奧芯明亮相SEMICON China 2024。作為ASMPT全球技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的一部分,奧芯明以中國設(shè)備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會(huì)上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對(duì)高質(zhì)量、高精度芯片封裝的先進(jìn)設(shè)備。

發(fā)表于：3/20/2024

基于SIP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND顆粒、用于固件存儲(chǔ)的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺(tái)上進(jìn)行底層ATA指令驗(yàn)證以及與傳統(tǒng)分離式存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)比性能測試，證明了應(yīng)用SiP技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢，為后續(xù)SiP存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證奠定了一定的技術(shù)基礎(chǔ)。

發(fā)表于：3/20/2024

Flash陣列無效塊管理

Flash陣列在當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域占據(jù)著重要地位，提高Flash陣列可靠性的關(guān)鍵在于提出合理的壞塊管理方法。針對(duì)固有壞塊，提出基于整合塊的壞塊管理方法和基于EEPROM查找表的壞塊管理方法。對(duì)于在使用過程中出現(xiàn)的突發(fā)壞塊，提出基于頁跳過和頁替換的突發(fā)壞塊管理方法。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析表明壞塊管理方法提高了NAND Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性，在保證存儲(chǔ)速度的情況下對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)空間得到最大化利用。

發(fā)表于：3/20/2024

亞智科技 RDL先進(jìn)制程加速全球板級(jí)封裝部署和生產(chǎn)

化學(xué)濕制程、電鍍及自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商Manz亞智科技，以RDL不斷精進(jìn)的工藝布局半導(dǎo)體封裝市場。日前，Manz擴(kuò)大RDL 研發(fā)版圖，聚焦于高密度的玻璃通孔及內(nèi)接導(dǎo)線金屬化工藝，并將技術(shù)應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體封裝的TGV玻璃芯基材，能夠達(dá)到更高的封裝效能及能源傳遞效率外，還可透過板級(jí)制程，滿足高效率和大面積的生產(chǎn)，從而降低生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：3/20/2024