3 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 12 層（12Hi）HBM4 內(nèi)存，并在全球率先向主要客戶出樣了 12Hi HBM4。

SK 海力士在 12Hi HBM4 上采用了 24Gb DRAM 芯片，繼續(xù)使用了 Advanced MR-MUF（IT之家注：先進(jìn)批量回流-模制底部填充）鍵合工藝，單封裝容量達(dá) 36GB，帶寬達(dá) 2TB/s，運行速度較 HBM3E 提升了 60% 以上。

SK 海力士強調(diào)：

以引領(lǐng) HBM 市場的技術(shù)競爭力和生產(chǎn)經(jīng)驗為基礎(chǔ)，能夠比原計劃提早實現(xiàn) 12 層 HBM4 的樣品出貨，并已開始與客戶的驗證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，由此鞏固在面向 AI 的新一代存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)地位。

該企業(yè) AI Infra 擔(dān)當(dāng)金柱善社長則表示：

公司為了滿足客戶的要求，不斷克服技術(shù)局限，成為了 AI 生態(tài)創(chuàng)新的領(lǐng)先者。以業(yè)界最大規(guī)模的 HBM 供應(yīng)經(jīng)驗為基礎(chǔ)，今后也將順利進(jìn)行性能驗證和量產(chǎn)準(zhǔn)備。