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什么是電子增材制造（EAMP? ）？｜一種得益于新材料的加成法電子制造工藝

　　現(xiàn)代電子制造生產(chǎn)工藝，主要分為：加成法、減成法與半加成法，目前以減成法為主。減成法工藝采用減材制造原理，通過光刻、顯影、刻蝕等技術(shù)將不需要的材料去除，形成功能材料圖形結(jié)構(gòu)，這種工藝已經(jīng)比較成熟。然而，隨著環(huán)保和成本等因素的重視，減成法也逐漸暴露出一些不足之處，比如污染排放和原材料損失等問題。相較之下，以增材制造技術(shù)為核心的加成法工藝將有望改善這些問題。

發(fā)表于：7/4/2023

夢(mèng)之墨全球首個(gè)柔性線路板增材制造量產(chǎn)示范工廠投產(chǎn)儀式成功舉辦

　　2023年6月30日，夢(mèng)之墨全球首個(gè)柔性線路板增材制造量產(chǎn)示范工廠—— 廈門柔墨電子科技有限公司建成投產(chǎn)儀式于福建省廈門市集美區(qū)安仁產(chǎn)業(yè)園成功舉行，這是夢(mèng)之墨具有跨越式紀(jì)念意義的時(shí)刻，標(biāo)志著夢(mèng)之墨“線路板級(jí)電子增材制造”在FPC產(chǎn)品方向已完成技術(shù)驗(yàn)證階段，達(dá)成規(guī)?；慨a(chǎn)，成功邁出布局全球的第一步。

發(fā)表于：7/4/2023

泰瑞達(dá)亮相SEMICON China：解讀異構(gòu)集成和Chiplet時(shí)代下，測(cè)試行業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

　　2023年7月3日，中國(guó) 北京訊 —— 全球先進(jìn)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)（NASDAQ:TER）宣布，受邀出席了SEMICON China 2023同期舉辦的“先進(jìn)封裝論壇 - 異構(gòu)集成”活動(dòng)。在活動(dòng)中，泰瑞達(dá)Complex SOC事業(yè)部亞太區(qū)總經(jīng)理張震宇發(fā)表題為《異構(gòu)集成和Chiplet時(shí)代下，芯片測(cè)試行業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》的精彩演講，生動(dòng)介紹泰瑞達(dá)對(duì)于先進(jìn)封裝，在質(zhì)量和成本之間找到平衡和最優(yōu)方案的經(jīng)驗(yàn)和見解。

發(fā)表于：7/4/2023

國(guó)產(chǎn)EDA新發(fā)布，支持PCIe Gen5原型驗(yàn)證

2023年7月4日，業(yè)內(nèi)知名的數(shù)字前端EDA供應(yīng)商思爾芯（S2C），發(fā)布了最新一代原型驗(yàn)證解決方案——芯神瞳邏輯系統(tǒng)S8-40。新產(chǎn)品除了支持PCIe Gen5，還擁有豐富的連接選項(xiàng)，海量的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，以及完整的原型驗(yàn)證配套工具，為當(dāng)前如AI、GPU芯片等大存儲(chǔ)和大數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)提供了有效的解決方案。

發(fā)表于：7/4/2023

泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級(jí)器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。

發(fā)表于：7/4/2023

《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見》全文及解讀

工業(yè)和信息化部、教育部、科技部、財(cái)政部、國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)管總局等五部門近日聯(lián)合印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見》，提出將圍繞制造強(qiáng)國(guó)、質(zhì)量強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略目標(biāo)，聚焦機(jī)械、電子、汽車等重點(diǎn)行業(yè)，對(duì)標(biāo)國(guó)際同類產(chǎn)品先進(jìn)水平，補(bǔ)齊基礎(chǔ)產(chǎn)品可靠性短板，提升整機(jī)裝備可靠性水平，壯大可靠性專業(yè)人才隊(duì)伍，形成一批產(chǎn)品可靠性高、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)、品牌影響力大的制造業(yè)企業(yè)。

發(fā)表于：7/3/2023

Manz 亞智科技FOPLP封裝技術(shù)再突破

Manz 亞智科技FOPLP封裝技術(shù)再突破：一是鍍銅厚度達(dá)100 μm以上，讓芯片封裝朝著體積輕薄化的演進(jìn)下仍能使組件具有良好的導(dǎo)電性、電性功能與散熱性；二是開發(fā)大于5 ASD的高電鍍電流密度規(guī)格，快速增加鍍銅的速度，有效提升整體產(chǎn)能。

發(fā)表于：6/29/2023

三星發(fā)布芯片代工路線圖及未來戰(zhàn)略

三星官方于6月27日在第七屆三星晶圓代工論壇（SFF）上宣布了最新的芯片制造工藝路線圖和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，表示將在2025年量產(chǎn)2nm制程芯片，2027年量產(chǎn)1.4nm制程芯片。有700多名三星的客戶和合作伙伴參加了本屆論壇，三星表示，GAA先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)將在支持客戶發(fā)展人工智能方面發(fā)揮重要作用。

發(fā)表于：6/29/2023

2nm大戰(zhàn)，全面打響

在芯片制造領(lǐng)域，3nm方興未艾，圍繞著2nm的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)全面打響。

發(fā)表于：6/28/2023

重磅！江波龍擬購(gòu)買力成科技（蘇州）有限公司70%股權(quán)

江波龍將通過其全資子公司，收購(gòu)力成科技股份有限公司全資子公司力成科技（蘇州）有限公司70%股權(quán)。

發(fā)表于：6/27/2023

應(yīng)用材料公司攜精彩主題演講和成果展示亮相SEMICON China 2023

　　2023年6月25日，上?！猄EMICON China 2023將于6月29日 - 7月1日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。同時(shí)，中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC）2023將在6月26 - 27日在上海國(guó)際會(huì)議中心舉辦。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和顯示設(shè)備供應(yīng)商，應(yīng)用材料公司將通過主題演講和論文展示等方式積極參與SEMICON China和CSTIC，內(nèi)容涵蓋異構(gòu)集成和功率電子等多個(gè)主題。

發(fā)表于：6/25/2023

選擇合適的集成度來滿足電機(jī)設(shè)計(jì)要求

　　如果您正在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，以往您可能會(huì)使用如雙極結(jié)型晶體管（BJT）等多個(gè)分立式元件來實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制。盡管這種方法通常成本更低，但使用的元件總數(shù)更多，占用的布板空間更大，花費(fèi)的設(shè)計(jì)時(shí)間更長(zhǎng)，復(fù)雜度也更高。使用多個(gè)元件還可能會(huì)影響系統(tǒng)可靠性。

發(fā)表于：6/16/2023

X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化

　　中國(guó)北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺(tái)。在此過程中，模擬/混合信號(hào)晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項(xiàng)戰(zhàn)略倡議，旨在推動(dòng)歐洲半導(dǎo)體和光電子行業(yè)獲得更大自主權(quán)，從而加強(qiáng)歐洲大陸在關(guān)鍵新興領(lǐng)域的制造能力。

發(fā)表于：6/15/2023

英飛凌推出簡(jiǎn)單易用的 LCC 設(shè)計(jì)工具，賦能高效 LED 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

　　為了便于工程師的設(shè)計(jì)，英飛凌（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出了 LCC 設(shè)計(jì)工具，讓工程師的設(shè)計(jì)工作變得更快速、更輕松。

發(fā)表于：6/15/2023

線邊緣粗糙度（LER）如何影響先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上半導(dǎo)體的性能

　　由后段制程（BEOL）金屬線寄生電阻電容（RC）造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸（CD）和線間隔，這會(huì)導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對(duì)此進(jìn)行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒有線邊緣粗糙度（LER），該圖也顯示電阻會(huì)隨著線寬縮小呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)[2]。為緩解此問題，需要在更小的節(jié)點(diǎn)上對(duì)金屬線關(guān)鍵尺寸進(jìn)行優(yōu)化并選擇合適的金屬材料。

發(fā)表于：6/12/2023