EDA與制造相關(guān)文章 英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝 2024年4月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。 發(fā)表于：4/12/2024 英飛凌與韓國造船海洋聯(lián)合開發(fā)船舶電氣化技術(shù) 2024年4月11日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與韓國造船海洋（HD KSOE）簽署了諒解備忘錄（MoU），這是雙方為了低碳節(jié)能，利用功率半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合開發(fā)新興船用發(fā)動機和機械電氣化的第一步。 發(fā)表于：4/12/2024 SK海力士無錫代工廠25億元出售 SK海力士無錫代工廠25億元出售 發(fā)表于：4/12/2024 臺積電SoIC高端封裝已為蘋果小規(guī)模試產(chǎn) 4 月 12 日消息，根據(jù)供應(yīng)鏈消息，在 AMD 之后，蘋果、英偉達(dá)、博通三家公司也開始和臺積電合作，推進(jìn) SoIC 封裝方案。 臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時，也在積極推動下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。 發(fā)表于：4/12/2024 臺積電年末試產(chǎn)2nm工藝 雖然目前來看2025年還早，但是隨著時間的推移，蘋果下一代芯片已經(jīng)在路上了。 據(jù)報道，蘋果芯片供應(yīng)商臺積電正在制造2nm和1.4nm芯片方面取得進(jìn)展，這些芯片很可能用于未來幾代蘋果芯片——最早可能搭載于2025年秋發(fā)布的iPhone 17 Pro上。 根據(jù)目前已知的消息，2nm和1.4nm芯片的量產(chǎn)時間顯然已經(jīng)確定。2nm節(jié)點將于2024年下半年開始試生產(chǎn)，小規(guī)模生產(chǎn)將于2025年第二季度逐步推進(jìn)。 發(fā)表于：4/12/2024 消息稱三星電子最快本月晚些時候量產(chǎn)第9代V-NAND閃存 4 月 12 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，三星最快于本月晚些時候?qū)崿F(xiàn)第 9 代 V-NAND 閃存的量產(chǎn)。 三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 閃存將于“今年初”量產(chǎn)，擁有業(yè)界領(lǐng)先的堆疊層數(shù)。 三星于 2022 年 11 月量產(chǎn)了 236 層第 8 代 V-NAND，這意味著兩代之間的間隔為一年半左右。 發(fā)表于：4/12/2024 2026年中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一 2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一 發(fā)表于：4/12/2024 晶圓制造商SK siltron獲美國7700萬美元支持 晶圓制造商 SK siltron 獲美國 7700 萬美元支持 4 月 11 日消息，SK 集團(tuán)旗下的 SK siltron 是韓國國內(nèi)唯一的半導(dǎo)體晶圓制造商，也是當(dāng)前全球第五大硅晶圓廠商。目前，該公司在韓國、美國生產(chǎn) SiC 晶圓，也在開發(fā) GaN 晶圓。 發(fā)表于：4/12/2024 Arm 推出新一代 Ethos-U AI 加速器及全新物聯(lián)網(wǎng)參考設(shè)計平臺 Arm 控股有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：ARM，以下簡稱“Arm”）今日宣布推出 Arm® Ethos?-U85 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器 (NPU)，是 Arm 迄今性能最高且能效最佳的 Ethos NPU 產(chǎn)品，以及全新物聯(lián)網(wǎng)參考設(shè)計平臺——Arm Corstone?-320，以加速實現(xiàn)語音、音頻和視覺系統(tǒng)的部署。 發(fā)表于：4/10/2024 通過工藝建模進(jìn)行后段制程金屬方案分析 隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導(dǎo)體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。 發(fā)表于：4/10/2024 臺積電收獲美國840億元現(xiàn)金＋貸款 臺積電收獲美國840億元現(xiàn)金＋貸款！第三座晶圓廠超越2nm 發(fā)表于：4/9/2024 三星：已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗證 三星：已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗證 整體高度縮減 發(fā)表于：4/9/2024 三星SK 海力士推進(jìn)移動內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn) 消息稱三星、SK 海力士推進(jìn)移動內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn)，滿足端側(cè) AI 需求 發(fā)表于：4/9/2024 消息稱三星將獲美國60億至70億美元補貼 消息稱三星將獲美國 60 億至 70 億美元補貼，用于擴(kuò)大得州工廠芯片產(chǎn)能 發(fā)表于：4/9/2024 SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn) SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動 1c 納米 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn) 發(fā)表于：4/9/2024 ?…112113114115116117118119120121…?
