EDA與制造相關(guān)文章 消息稱三星電子探索邏輯芯片混合鍵合 4 月 24 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子正探索將混合鍵合技術(shù)用于邏輯芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動端處理器。 發(fā)表于：4/25/2024 臺積電宣布A16芯片制造技術(shù)將于2026年量產(chǎn) 臺積電宣布A16芯片制造技術(shù)將于 2026 年量產(chǎn)，劍指芯片性能王座 發(fā)表于：4/25/2024 SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 發(fā)表于：4/25/2024 美國政府近日宣布斥資110億美元設(shè)立研發(fā)中心 4 月 25 日消息，美國政府近日宣布斥資 110 億美元（當(dāng)前約 798.6 億元人民幣），設(shè)立專門的研發(fā)中心，推進半導(dǎo)體領(lǐng)域的相關(guān)研究。 發(fā)表于：4/25/2024 消息稱三星和AMD簽署價值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協(xié)議 4 月 24 日消息，根據(jù)韓媒 Bridge Economy 報道，三星和AMD公司簽署了價值4萬億韓元的 HBM3E 供貨合同。 發(fā)表于：4/24/2024 消息稱SK海力士HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺積電7nm制程 消息稱 SK 海力士 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺積電 7nm 制程 發(fā)表于：4/24/2024 英偉達將投資2億美元在越南建AI工廠 英偉達與越南科技巨頭 FPT 達成合作，將投資 2 億美元共建 AI 工廠 發(fā)表于：4/24/2024 臺積電：晶圓廠設(shè)備恢復(fù)率已超過70% 23日地震 臺積電：晶圓廠設(shè)備恢復(fù)率已超過70% 發(fā)表于：4/24/2024 羅姆集團旗下SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議 2024 年 4月22，中國 – 羅姆 (東京證交所股票代碼: 6963) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴大合作。 發(fā)表于：4/23/2024 三星啟動其首批第九代V-NAND閃存量產(chǎn) 三星啟動其首批第九代 V-NAND 閃存量產(chǎn) 發(fā)表于：4/23/2024 英特爾High NA EUV光刻機有望在三代節(jié)點沿用 4 月 22 日消息，英特爾近日宣布完成世界首臺商用 High NA EUV 光刻機的安裝。 而在上周的一場電話會議上，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）表示這臺耗資約 3.5 億美元 發(fā)表于：4/23/2024 光刻機巨頭ASML與荷蘭簽署意向書準(zhǔn)備擴建 4月23日消息，荷蘭對光刻機巨頭阿斯麥離開的消息感到十分擔(dān)憂，但現(xiàn)在情況有了明顯的好轉(zhuǎn)。 根據(jù)外媒報道，荷蘭芯片設(shè)備制造商阿斯麥公司已與荷蘭埃因霍溫市簽署了一份意向書，計劃在該市北部機場附近進行擴建，預(yù)計將能夠容納多達20000名新員工。 此前，荷蘭政府宣布了一項價值25億歐元的計劃，將在未來幾年內(nèi)用于改善阿斯麥總部所在地的住房、教育、交通和電網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施。 除了基礎(chǔ)設(shè)施改善外，荷蘭政府還將采取行動來減輕企業(yè)的稅收負擔(dān)。 此前，阿斯麥曾向荷蘭政府表達了向其他地方擴張或遷移的意向，其中法國和美國都是備選地點。 發(fā)表于：4/23/2024 蘋果公布2023財年供應(yīng)鏈名單 4 月 22 日消息，蘋果公司在其官網(wǎng)公布了 2023 財年供應(yīng)鏈名單，該名單中的公司包含了蘋果在 2023 財年全球產(chǎn)品材料、制造和組裝方面的 98% 直接支出。 發(fā)表于：4/23/2024 裁員、撤離、轉(zhuǎn)移，芯片大廠在害怕什么？ 裁員、撤離、轉(zhuǎn)移，芯片大廠在害怕什么？ 發(fā)表于：4/23/2024 英特爾與美國國防部深化合作采用18A工藝生產(chǎn)芯片 4 月 23 日消息，美國芯片制造商英特爾與美國國防部進一步加深合作，共同研發(fā)全球最先進的芯片制造工藝，這項合作是雙方在兩年半前簽署的“快速可靠微電子原型”（RAMP-C）項目的第一階段基礎(chǔ)上拓展而來的。 發(fā)表于：4/23/2024 ?…109110111112113114115116117118…?
