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美光宣布1γ DRAM內(nèi)存開始出貨

性能提升15%,功耗降低20%以上
2025-02-26
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 美光 DDR5 DRAM 內(nèi)存 10nm

2 月 25 日消息,美光科技剛剛宣布,已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點(diǎn)、第六代(注:即 10nm 級(jí))DRAM 節(jié)點(diǎn)的 DDR5 內(nèi)存樣品。

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據(jù)介紹,基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的 16Gb DDR5 產(chǎn)品 DDR5 內(nèi)存速度可達(dá) 9200MT/s,較上一代提升 15%,可滿足數(shù)據(jù)中心、端側(cè) AI 設(shè)備對(duì)高性能計(jì)算的需求。

同時(shí),美光的 1γ 節(jié)點(diǎn)采用了新一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù),結(jié)合設(shè)計(jì)優(yōu)化,功耗降低超 20%,并顯著改善熱管理性能。

此外,新一代內(nèi)存通過極紫外光刻(EUV)與工藝創(chuàng)新,使比特密度提升超 30%,有效提升內(nèi)存供應(yīng)效率。

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