2 月 27 日消息,韓媒 ETNews 昨日(2 月 26 日)發(fā)布博文,報道稱 SK 海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內(nèi)存 HBM4 測試良率已達 70%,為即將到來的量產(chǎn)階段奠定了堅實基礎(chǔ),也預(yù)示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據(jù)有利地位。
注:良率作為衡量半導(dǎo)體良品比例的關(guān)鍵指標(biāo),直接關(guān)系到企業(yè)的市場競爭力。SK 海力士的 12 層堆疊 HBM4 在 2024 年年底良率已達到 60%,而最新消息稱測試良率已提升至 70%,進展迅速。
消息稱 SK 海力士 HBM4 的進展,得益于其第五代 10nm 級 DRAM(1b)的應(yīng)用,該技術(shù)在性能和穩(wěn)定性方面已經(jīng)過驗證,并且也用于 SK 海力士的 HBM3e 產(chǎn)品。
鑒于 HBM3E 曾實現(xiàn) 80% 的目標(biāo)良率并縮短 50% 的量產(chǎn)時間,業(yè)內(nèi)人士預(yù)測 HBM4 12 層堆疊產(chǎn)品也將快速進入量產(chǎn)階段。SK 海力士目前已完成內(nèi)部技術(shù)開發(fā)和評估,即將提供樣品進行客戶性能測試,通過后即可啟動量產(chǎn)。
12 層堆疊 HBM4 有望部署在代號為英偉達下一代 AI 加速器“Grace Hopper”系列中,而此前曝料稱英偉達計劃提前至 2025 年下半年量產(chǎn)“Grace Hopper”系列,這可能促使 SK 海力士進一步加快提升 HBM4 良率和量產(chǎn)進程,以滿足客戶需求。
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