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消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利

2025-02-25
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 三星 長江存儲 混合鍵合 NAND

2 月 24 日消息,隨著存儲行業(yè)的激烈競爭,推動 NAND 技術(shù)不斷進步,一個令人驚訝的消息出現(xiàn)了:

據(jù)韓媒 ZDNet 今日報道,三星可能將使用中國長江存儲混合鍵合專利,從其 V10(第 10 代)NAND 開始。

報道稱,三星計劃于 2025 年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND,該產(chǎn)品預計將具有約 420 至 430 層。

報道還提到,三星和 SK 海力士據(jù)說正在與長江存儲協(xié)商一項專利協(xié)議。

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注:長江存儲已率先在閃存中使用了晶棧 Xtacking 技術(shù),該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù) I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝,以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

報道稱,大約四年前,長江存儲在該領域建立了強大的專利組合。而三星之前在 NAND 生產(chǎn)中使用了 COP(Cell on Peripheral)技術(shù),其中外圍電路放置在一個晶圓上,而單元堆疊在其上方。然而,隨著層數(shù)超過 400 層,對下層外圍的壓力增大會影響可靠性,因此需要采取替代方案。

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知情人士表示,美國 Xperi、長江存儲和臺積電擁有大多數(shù)混合鍵合專利。三星認為在下一代 NAND 如 V10、V11 和 V12 中很難繞過現(xiàn)有專利,因此選擇與長江存儲合作。


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