當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月13日，英特爾工程經(jīng)理Pankaj Marria通過(guò)LinkedIn發(fā)文指出，“Intel 18A制程迎來(lái)重要里程碑！很榮幸加入‘Eagle Team’，一同落實(shí)Intel 18A，我們的團(tuán)隊(duì)率先完成亞利桑那州的首批生產(chǎn)，先進(jìn)半導(dǎo)體制程邁出了關(guān)鍵一步。”

Pankaj Marria還強(qiáng)調(diào)，這只是英特爾挑戰(zhàn)全球最小制程的開(kāi)端，這項(xiàng)技術(shù)完全是在美國(guó)研發(fā)并制造。

今年2月下旬，英特爾通過(guò)官網(wǎng)正式上線了對(duì)于其最尖端的Intel 18A制程工藝的介紹，并稱(chēng)其已經(jīng)“準(zhǔn)備就緒”。根據(jù)外界預(yù)計(jì)，Intel 18A將于2025 年年中進(jìn)入量產(chǎn)，將由酷睿 Ultra 300 系列“Panther Lake”處理器首發(fā)，預(yù)計(jì)將于今年下半年上市。

根據(jù)英特爾官網(wǎng)的介紹資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)柵 (GAA) 晶體管技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)電流的精確控制，同時(shí)還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達(dá) 4%，并且與正面功率設(shè)計(jì)相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。

與Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。英特爾稱(chēng)之為北美制造的最早可用的2nm以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，可以為客戶(hù)提供有彈性的供應(yīng)替代方案。

根據(jù)研究機(jī)構(gòu)TechInsights的測(cè)算，得出的 Intel 18A 的性能值為2.53，臺(tái)積電N2的性能值為2.27，三星SF2的性能值為2.19。也就是說(shuō)，Intel 18A 在 2nm 級(jí)工藝中具有最高性能，臺(tái)積電N2位居第二，三星SF2位居第三。

近日，英特爾投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在摩根士丹利科技、媒體和電信會(huì)議上也表示，當(dāng)前基于Intel 18A制程的Panther Lake處理器的良率水平甚至比同期Meteor Lake開(kāi)發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。英特爾認(rèn)為Intel 18A的水平能夠?qū)?biāo)臺(tái)積電的N3或者N2。英特爾正按計(jì)劃推進(jìn)Intel 18A ，并已宣布將在今年上半年完成首個(gè)外部客戶(hù)的流片工作，英特爾對(duì)這些進(jìn)展感到非常滿意。

值得注意的是，近日，路透社援引兩名知情人士的話報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)兩大芯片巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）和博通（Broadcom）正在基于英特爾最新的Intel 18A制程進(jìn)行制造測(cè)試，另一家處理器大廠AMD也在評(píng)估Intel 18A 制造工藝是否符合其需求，但目前尚不清楚該公司是否已將測(cè)試芯片送往工廠。

目前，英偉達(dá)、博通和AMD均為全球前五大芯片設(shè)計(jì)公司，如果他們后續(xù)真的考慮采用Intel 18A制程來(lái)生產(chǎn)自己的芯片，那么他們的需求足以讓英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)迎來(lái)真正的轉(zhuǎn)機(jī)。