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晶圓代工巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽

2025-04-03
來源:快科技
關(guān)鍵詞: Intel 2nm 臺(tái)積電 三星

4月3日消息,日前舉辦的Vision 2025大會(huì)上,Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。預(yù)計(jì)今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

此舉為“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)(5N4Y)”計(jì)劃立下關(guān)鍵里程碑。按照Intel的愿景,18A將是其反超臺(tái)積電、重奪半導(dǎo)體工藝世界第一的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

值得關(guān)注的是,此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相,業(yè)界解讀Intel此舉在向臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手展示技術(shù)肌肉。

Intel 18A工藝將全球首次同時(shí)采用PowerVia背面供電和RibbonFET柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),臺(tái)積電則會(huì)在今年下半年2nm使用Nanosheet晶體管技術(shù)、2026年下半年導(dǎo)入超級(jí)電軌(Super Power Rail),2027年進(jìn)行1.4nm風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。

半導(dǎo)體從業(yè)者透露,若Intel 18A推進(jìn)順利,將會(huì)比臺(tái)積電2nm更早導(dǎo)入晶背供電技術(shù)。

至于三星,雖然最早導(dǎo)入GAAFET晶體管技術(shù),但良率始終未達(dá)量產(chǎn)水準(zhǔn)。目前則主要關(guān)注三星自家Exynos 2600芯片,是否會(huì)在5月投入生產(chǎn)。

不過,三星預(yù)計(jì)2027年才會(huì)在SF2Z加上背面供電技術(shù),推進(jìn)上較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相對(duì)緩慢。

在三巨頭往2nm前進(jìn)之際,日本Rapidus也不容小覷。據(jù)悉,其北海道千歲市的2nm晶圓廠試產(chǎn)產(chǎn)線計(jì)劃將在本月啟用,瞄準(zhǔn)2027年開始量產(chǎn)。

綜合來看,臺(tái)積電在先進(jìn)工藝制程上有比較明顯的速度優(yōu)勢(shì),Intel正在新CEO的帶領(lǐng)下奮起直追,成敗關(guān)鍵就看18A是否能如期量產(chǎn)達(dá)成目標(biāo)。

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