4 月 8 日消息，韓國(guó)媒體《hankooki》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 3 日?qǐng)?bào)道稱，SK 海力士的 1c nm（IT之家注：即第六代 10 納米級(jí)）DRAM 內(nèi)存工藝近期良率約為 80%，較去年下半年的六成有明顯提升。

一般而言 DRAM 內(nèi)存工藝在良率達(dá)到 80%~90% 時(shí)就可進(jìn)入正式量產(chǎn)，可以說(shuō) SK 海力士的 1c nm 制程即將達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)所需的水平。

SK 海力士是在去年 8 月宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代 10 納米級(jí) DDR5 DRAM 的。該制程節(jié)點(diǎn)是 1b DRAM 平臺(tái)的擴(kuò)展，擁有更高生產(chǎn)率，并在運(yùn)行速度、能效方面取得了改進(jìn)。除 DDR5 外 LPDDR6、GDDR7 等也將采用該制程。

不過(guò) SK 海力士的第六代 10 納米級(jí)工藝尚需更長(zhǎng)時(shí)間方能在需求火熱的 HBM 領(lǐng)域得到應(yīng)用：有消息表示，SK 海力士在今年內(nèi)量產(chǎn)的 HBM4 內(nèi)存上仍將采用更為成熟的 1b nm DRAM。