5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務(wù)部豁免芯片進(jìn)口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）亞利桑那州擴(kuò)建計劃，并威脅美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

臺媒 CNA 于 5 月 23 日報道，臺積電已要求美國商務(wù)部將半導(dǎo)體進(jìn)口排除在《貿(mào)易擴(kuò)展法》第 232 條款新關(guān)稅清單之外。該公司指出，加征關(guān)稅將抑制下游需求，并“危及美國當(dāng)前在該領(lǐng)域的主導(dǎo)地位”。這一訴求體現(xiàn)在臺積電亞利桑那州子公司于 5 月 5 日提交的函件中，該函件系針對美國商務(wù)部就潛在貿(mào)易措施征詢意見期間所遞交。

臺積電表示，終端產(chǎn)品因關(guān)稅導(dǎo)致價格上漲將抑制芯片需求，從而削弱亞利桑那州產(chǎn)業(yè)集群的經(jīng)濟(jì)價值。該公司要求“在美國擁有重大半導(dǎo)體產(chǎn)能”的企業(yè)繼續(xù)享有進(jìn)口海外設(shè)備和材料的免稅通道，因其中許多物資在美國本土無法獲取。

臺積電在亞利桑那州鳳凰城的 650 億美元（現(xiàn)匯率約合 4674.98 億元人民幣）投資項目目前包含 3 座晶圓廠：首座已開始量產(chǎn)，專攻 4nm 節(jié)點；第二座即將竣工，將提供 3nm、2nm 產(chǎn)能，預(yù)計 2028 年開始生產(chǎn)；第三座于上月破土動工，瞄準(zhǔn) 2nm 及更先進(jìn)制程。

今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計劃再建三座晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝廠和一個研發(fā)中心，總投資額累計 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。

據(jù)臺積電提交的文件披露，當(dāng)六座晶圓廠全部投產(chǎn)后，亞利桑那州基地每月可生產(chǎn) 10 萬片晶圓，約占臺積電 2nm 及更先進(jìn)制程預(yù)計產(chǎn)能的 30%。該公司還預(yù)估其美國項目將帶動 2000 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.44 萬億元人民幣）的間接經(jīng)濟(jì)活動，創(chuàng)造數(shù)萬個就業(yè)崗位。文件強(qiáng)調(diào)，這些經(jīng)濟(jì)收益的實現(xiàn)有賴于可預(yù)期的免稅供應(yīng)鏈體系。