9月20日消息，據(jù)媒體報道，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部分美系設(shè)備。
長江存儲自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強的競爭優(yōu)勢。
據(jù)悉，長江存儲已經(jīng)使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，成功制造出3D NAND閃存芯片。
TechInsights稱，雖然長江存儲仍繼續(xù)依賴ASML和泛林集團等外國供應(yīng)商提供關(guān)鍵工具，但中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分。
不過長江存儲使用國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)的最新NAND芯片在堆疊層數(shù)上做了相應(yīng)的妥協(xié)，比早期產(chǎn)品少了約70層，且產(chǎn)量較低。
對此長江存儲在回應(yīng)中表示，公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，層數(shù)變化與設(shè)備產(chǎn)量無關(guān)，隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗的不斷成熟，會不斷增加堆疊層數(shù)。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。