6 月 11 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r間昨日報(bào)道稱，三星電子在 DRAM 內(nèi)存領(lǐng)域率先導(dǎo)入干式光刻膠 (Dry PR) 技術(shù)，將應(yīng)用于到即將正式推出的第 6 代 10 納米級工藝 (1c nm) 中。
消息指三星電子已完成了干式光刻膠涂覆、顯影等工序所需的多臺泛林集團(tuán) (Lam Research) 所需設(shè)備。
不同于使用溶液旋涂、需要溶劑沖洗的傳統(tǒng)濕式光刻膠，干式光刻膠直接沉積到晶圓表面，這避免了光刻膠去除過程中液體表面張力影響圖案完整性的問題。此外干式光刻膠也具有更高的曝光效率、能實(shí)現(xiàn)更為精細(xì)的線寬。
三星電子計(jì)劃將 1c nm DRAM 應(yīng)用在其 HBM4 產(chǎn)品中，干式光刻膠對圖案質(zhì)量的提升有望成為提高 HBM4 堆棧信號完整性與可靠性的物理起點(diǎn)。
泛林集團(tuán)今年 1 月 29 日已宣布其干式光刻膠已得到一家領(lǐng)先存儲器制造商在最先進(jìn) DRAM 工藝上的導(dǎo)入。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。