8 月 4 日消息，南芯科技今日發(fā)布第二代車規(guī)級(jí)高邊開(kāi)關(guān)（HSD）SC77450CQ，基于國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的垂直溝道 BCD 集成工藝和全國(guó)產(chǎn)化封測(cè)供應(yīng)鏈，在 N 型襯底單晶圓上實(shí)現(xiàn)了 MOS 與控制器的融合。
南芯科技表示，SC77450CQ 打破了海外技術(shù)壟斷，是國(guó)內(nèi)首顆全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈垂直集成工藝的高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。
注：高邊開(kāi)關(guān)是一種用于汽車及工業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體設(shè)備，通過(guò)集成功率 MOSFET、邏輯驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)對(duì)馬達(dá)、車燈、電機(jī)等負(fù)載的智能控制。
垂直溝道 BCD 集成工藝是一種單片晶圓級(jí)技術(shù)，在同一 N 型硅襯底上制造雙極性晶體管 (Bipolar)、CMOS、DEMOS、LDMOS、VDMOS。合封工藝則是在封裝階段把功率器件、控制 IC 通過(guò)平鋪或堆疊方式裝入同一封裝體，用引線完成電氣連接，芯片之間保持物理獨(dú)立。
集成工藝具有共襯底、短互連的特點(diǎn)，特別適合高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，但技術(shù)長(zhǎng)期被海外廠商壟斷；合封工藝則可以針對(duì) MOS 管和控制器分別采用當(dāng)前國(guó)產(chǎn)最成熟的工藝制程，電壓等級(jí)可延展性更強(qiáng)。下圖展示了集成工藝和合封工藝的原理圖及關(guān)鍵特征對(duì)比。
▲ 工藝原理圖及關(guān)鍵特征對(duì)比。左：集成工藝，右：合封工藝
針對(duì)智能高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，南芯科技基于雙軌工藝演進(jìn)路線，目前已推出 30 余款不同封裝形式的高性能產(chǎn)品，并設(shè)立專門(mén)的工藝團(tuán)隊(duì)，與國(guó)內(nèi)晶圓廠深度合作，落地第二代集成工藝高邊開(kāi)關(guān)。第三代南芯自研 COT 工藝平臺(tái)也已啟動(dòng)開(kāi)發(fā)，目標(biāo)用于車規(guī)級(jí)產(chǎn)品等高端市場(chǎng)。
SC77450CQ 采用垂直 BCD 集成工藝平臺(tái)設(shè)計(jì)，是一款四通道智能高邊開(kāi)關(guān)，導(dǎo)通電阻低至 50mΩ，可實(shí)現(xiàn) 4V-28V 寬壓供電、40V 拋負(fù)載耐壓及 0.5μA 待機(jī)電流。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高精度電流檢測(cè)，2A 時(shí)電流檢測(cè)精度達(dá) ±4%；采用帶散熱焊盤(pán)的 eSSOP-14 封裝，引腳兼容國(guó)際競(jìng)品。
▲ SC77450CQ 引腳圖
SC77450CQ 集成了保護(hù)機(jī)制和精確的診斷功能，包括過(guò)流和對(duì)地短路自關(guān)斷、相對(duì)過(guò)熱保護(hù)和絕對(duì)過(guò)熱保護(hù)、智能鎖止功能、負(fù)電壓鉗位、關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路和對(duì)電池短路檢測(cè)、掉地與掉電保護(hù)、過(guò)壓與欠壓保護(hù)，可多路復(fù)用模擬信號(hào)輸出，實(shí)時(shí)按比例反饋各通道負(fù)載電流。
▲ SC77450CQ 典型應(yīng)用圖
