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EDA與制造相關(guān)文章

銷路不佳三星HBM3E內(nèi)存產(chǎn)量砍半

7 月 5 日消息，韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道稱，由于遲遲未得到英偉達(dá)的 HBM3E 12Hi 內(nèi)存供應(yīng)許可，三星電子已在二季度末將相關(guān)產(chǎn)品的晶圓投片量從此前的每月 7~8 萬片降低至 3~4 萬片。

發(fā)表于：7/7/2025

量子機(jī)器學(xué)習(xí)將改寫半導(dǎo)體制造未來

7月4日消息，據(jù)techxplore報(bào)道，澳大利亞研究團(tuán)隊(duì)近日開發(fā)出一項(xiàng)具突破性的半導(dǎo)體制程技術(shù)，首次成功應(yīng)用量子機(jī)器學(xué)習(xí)（Quantum Machine Learning，QML）來構(gòu)建模型，提升了半導(dǎo)體制造的精準(zhǔn)度與效率，并有望降低芯片生產(chǎn)成本。量子技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體突破助于解決超出傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)能力范圍的復(fù)雜問題。目前，該團(tuán)隊(duì)的研究成功已經(jīng)發(fā)表在《先進(jìn)科學(xué)》雜志上，首次表明，通過將量子方法應(yīng)用于

發(fā)表于：7/7/2025

臺(tái)積電駁斥推遲日本芯片廠建設(shè)說法

7 月 6 日消息，據(jù)《華爾街日報(bào)》援引知情人士消息，臺(tái)積電正在放緩其在日本的芯片制造設(shè)施投資，以加快在美國亞利桑那州的 Fab 21 工廠建設(shè)，此舉可能是為了應(yīng)對(duì)美國政府可能對(duì)中國臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)的芯片征收關(guān)稅的風(fēng)險(xiǎn)。然而，臺(tái)積電在回應(yīng) Tom's Hardware 的詢問時(shí)表示，其在美國亞利桑那州的重大投資計(jì)劃不會(huì)影響其在日本和德國的芯片制造工廠計(jì)劃。

發(fā)表于：7/7/2025

消息稱高通已取消三星2nm工藝代工計(jì)劃

7 月 5 日消息，消息源 @Jukanlosreve 昨日（7 月 4 日）在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱高通已取消了三星的 2nm 工藝代工計(jì)劃，不再委托其生產(chǎn)第二代驍龍 8 至尊版芯片。

發(fā)表于：7/7/2025

三星電子晶圓代工部門被取消2025上半年績效獎(jiǎng)勵(lì)

7 月 6 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，行業(yè)消息人士透露，三星電子于 7 月 4 日通過內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)公布了其上半年目標(biāo)達(dá)成激勵(lì)（TAI）的支付比例。TAI 每半年發(fā)放一次，最高可達(dá)員工月薪的 100%，具體金額取決于各業(yè)務(wù)部門的業(yè)績表現(xiàn)。

發(fā)表于：7/7/2025

DRAM史上最大代際倒掛繼續(xù)：DDR4現(xiàn)貨平均價(jià)2.6倍于DDR5

7月6日消息，由于供應(yīng)短缺，DDR4內(nèi)存價(jià)格在過去幾個(gè)月內(nèi)大幅上漲，甚至超過了DDR5內(nèi)存，這一現(xiàn)象促使一些廠商重新考慮延長DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)。主要DRAM制造商美光、三星和SK海力士此前曾宣布將在2025年底停止生產(chǎn)DDR4內(nèi)存，由于供應(yīng)減少，DDR4內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格在短短兩個(gè)月內(nèi)翻了數(shù)倍。

發(fā)表于：7/7/2025

2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將突破5萬億日元

7月3日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）公布的最新的報(bào)告顯示，將2025年度（2025年4月-2026年3月）日本制造的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額上修至48,634億日元，將創(chuàng)下歷史新高記錄，并預(yù)估2026年度銷售額將沖破5萬億日元大關(guān)、改寫歷史新高。

發(fā)表于：7/4/2025

三星承認(rèn)尖端制程競爭力不足

7月4日消息，據(jù)韓國媒體《朝鮮日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，雖然三星晶圓代工部門的2nm和3nm良率已經(jīng)超過了40%，達(dá)到了商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)，但與對(duì)手臺(tái)積電相比，三星的性能和良率未達(dá)預(yù)期。報(bào)道稱，三星已與英偉達(dá)（NVIDIA）和高通（Qualcomm）評(píng)估其2nm制程，但是市場消息顯示，三星與英偉達(dá)GPU測試時(shí)發(fā)現(xiàn)其性能較臺(tái)積電低，暫未考慮采用；高通評(píng)估后雖然有下單，但訂單量不夠改善三星營收。

發(fā)表于：7/4/2025

英飛凌四季度向客戶提供首批12英寸氮化鎵樣品

隨著氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體需求的持續(xù)增長，英飛凌科技股份公司正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領(lǐng)先垂直整合制造商（IDM）的地位。

發(fā)表于：7/4/2025

美國通知通用電氣重啟向中國商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)

7月4日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，美國政府通知通用電氣航空航天，稱其可以重啟向中國商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)。

發(fā)表于：7/4/2025

三星美國泰勒晶圓廠因缺單開業(yè)時(shí)間推遲至明年

7月3日消息，據(jù)“日經(jīng)亞洲”報(bào)道，三星在美國德克薩斯州泰勒市的尖端制程晶圓廠盡管已接近完工，但由于缺乏客戶，現(xiàn)在已推遲到了2026 年開業(yè)。

發(fā)表于：7/4/2025

蘇州PCB龍頭東山精密59.35億元收購臺(tái)灣索爾思光電

中國印刷電路板（PCB）龍頭大廠東山精密宣布59.35億元收購位于中國臺(tái)灣新竹科學(xué)園的光通信廠商索爾思光電之后，中國臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部門”近日表示，尚未收到索爾思光電的投資計(jì)劃變更申請，將在收到申請案后，會(huì)同關(guān)等單位嚴(yán)格審查。

發(fā)表于：7/3/2025

英特爾計(jì)劃叫停玻璃基板開發(fā)

7月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，隨著新任首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）啟動(dòng)一系列改革措施，英特爾正在對(duì)旗下業(yè)務(wù)及開發(fā)工作進(jìn)行調(diào)整。

發(fā)表于：7/3/2025

美國解除對(duì)中國芯片設(shè)計(jì)軟件EDA的出口限制

7月3日，據(jù)彭博社報(bào)道，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)巨頭西門子表示，根據(jù)公司收到的美國政府通知，美國已解除對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件的出口限制。特朗普政府已解除了至少部分對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件出口許可要求。根據(jù)西門子的聲明，美國商務(wù)部已通知公司，其在中國開展業(yè)務(wù)已無需再申請政府許可。西門子在聲明中稱，已恢復(fù)了中國客戶對(duì)其軟件和技術(shù)的全面訪問權(quán)限。

發(fā)表于：7/3/2025

High-NA EUV遇冷晶圓廠紛紛推遲導(dǎo)入時(shí)間

7月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界普遍認(rèn)為，High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進(jìn)芯片開發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

發(fā)表于：7/3/2025

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