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EDA與制造相關(guān)文章

華為四芯片封裝技術(shù)新專利曝光

6月16日消息，據(jù)Tomshardware報(bào)道，華為近期已申請(qǐng)一項(xiàng)“四芯片”（quad-chiplet）封裝設(shè)計(jì)專利，可能用于下一代AI芯片昇騰910D。

發(fā)表于：6/17/2025

臺(tái)積電2nm制程良率已突破60%

臺(tái)積電正加快步伐向2nm芯片時(shí)代邁進(jìn)。根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》最新報(bào)道，這家全球半導(dǎo)體巨頭的2nm制程良率已突破60%，不僅已達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)門檻，更顯著領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的40%良率水平，顯示其在先進(jìn)制程上的主導(dǎo)地位仍將持續(xù)。

發(fā)表于：6/17/2025

SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)

6 月 16 日消息，韓國(guó)媒體 the bell 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 12 日?qǐng)?bào)道稱，在 HBM 市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位的 SK 海力士調(diào)整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線的設(shè)備采購(gòu)節(jié)奏，暫緩新技術(shù)應(yīng)用。

發(fā)表于：6/17/2025

臺(tái)積電美國(guó)工廠已為蘋果等制造出首批芯片晶圓

消息稱臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州工廠迎來里程碑：已為蘋果等制造出首批芯片晶圓

發(fā)表于：6/17/2025

Cadence與三星晶圓代工就SF2P等制程達(dá)成新多年期IP協(xié)議

6 月 17 日消息，半導(dǎo)體IP 大廠 Cadence 楷登電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日宣布擴(kuò)大同三星晶圓代工 (Samsung Foundry) 的合作。雙方簽署了新的多年期協(xié)議，Cadence 的一系列內(nèi)存和接口 IP 將被引入到三星的 SF4X、SF5A 和 SF2P 等制程節(jié)點(diǎn)中。

發(fā)表于：6/17/2025

美國(guó)逼迫越南制造脫鉤中國(guó)科技

6月16日消息，據(jù)路透社援引三位知情人士透露，美國(guó)在與越南的關(guān)稅談判中向其施壓，要求越南降低在當(dāng)?shù)亟M裝、出口至美國(guó)的產(chǎn)品中使用中國(guó)技術(shù)的比例。 1682277245-yue.jpg 在今年4月初，美國(guó)總統(tǒng)特朗普在白宮簽署關(guān)于所謂“對(duì)等關(guān)稅”的行政令，宣布對(duì)部分國(guó)家和地區(qū)加征對(duì)等關(guān)稅，其中對(duì)越南等進(jìn)口商品加征了46%的關(guān)稅，比當(dāng)時(shí)宣布對(duì)中國(guó)大陸加征的34%關(guān)稅還要高。

發(fā)表于：6/17/2025

HBM未來開發(fā)路線圖揭曉

6月16日消息，據(jù)Tom’s hardware報(bào)道，韓國(guó)領(lǐng)先的國(guó)家研究機(jī)構(gòu) KAIST 近日發(fā)布了一份 371 頁(yè)的論文，詳細(xì)介紹了從目前到2038年間，高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演變，展示了HBM在帶寬、容量、I/O寬度和散熱方面的增加。路線圖涵蓋從HBM4到 HBM8的階段，在封裝、3D 堆疊、具有嵌入式 NAND 存儲(chǔ)的以內(nèi)存為中心的架構(gòu)，甚至還包括基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗方面的研究。

發(fā)表于：6/17/2025

ASML EUV光刻路線還能走多遠(yuǎn)？

雖然近期臺(tái)積電高管表示，臺(tái)積電接下來的A16/A14制程都不會(huì)采用ASML售價(jià)高達(dá)4億美元的High NA EUV光刻機(jī)（具有0.5數(shù)值孔徑），但是英特爾則已經(jīng)決定在其下一代的Intel 14A制程上選擇采用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行量產(chǎn)。與此同時(shí)，為了解決為了的1nm以下制程的制造問題，ASML正在積極的研發(fā)具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)，這也意味著其將面臨更大的技術(shù)挑戰(zhàn)，要知道ASML花了約20年的時(shí)間才成功推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)的規(guī)模商用。而作為急需在EUV光刻機(jī)上進(jìn)行突破的中國(guó)，則將目光瞄向了基于直線電子加速器的自由電子激光技術(shù)的EUV光源（EUV-FEL）技術(shù)。

發(fā)表于：6/16/2025

臺(tái)積電與三星激戰(zhàn)2nm

6月16日消息，據(jù)“韓國(guó)前鋒報(bào)”報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電和三星電子目標(biāo)都是在今年下半年量產(chǎn)2nm制程芯片，兩大半導(dǎo)體廠的搶單大戰(zhàn)預(yù)計(jì)將更加激烈，但三星的良率持續(xù)低于臺(tái)積電，成為吸引訂單的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：6/16/2025

中國(guó)臺(tái)灣將華為及中芯國(guó)際列入出口管制名單

6月15日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣已將華為技術(shù)有限公司和中芯國(guó)際列入了出口管制黑名單，這對(duì)此前已經(jīng)被美國(guó)列入實(shí)體清單的這兩家公司又造成了一定程度的打擊。

發(fā)表于：6/16/2025

美光宣布將停產(chǎn)DDR4 價(jià)格或?qū)⒊掷m(xù)上漲

6月14日消息，據(jù)外媒wccftech報(bào)道，美國(guó)DRAM芯片大廠美光已正式通知客戶，其DDR4 內(nèi)存產(chǎn)品即將停產(chǎn)（EOL），未來6到9個(gè)月內(nèi)將逐步減少出貨。至此，包括三星、SK海力士和美光在內(nèi)全球前三大DRAM廠商均已退出了DDR4市場(chǎng)。

發(fā)表于：6/16/2025

英特爾7月將啟動(dòng)新一輪裁員

6月15日消息，據(jù)外媒Oregon Live報(bào)導(dǎo)，英特爾已經(jīng)于本周向員工發(fā)出通知，將從今年7月中旬起，開始裁減位于俄勒岡州Silicon Forest園區(qū)的晶圓廠人員，首輪裁員預(yù)計(jì)將于7月底前完成，而且可能會(huì)啟動(dòng)第二波裁員。根據(jù)英特爾內(nèi)部信件，公司正針對(duì)Intel Foundry 制造事業(yè)部進(jìn)行重組，并更聚焦于工程和技術(shù)職位（例如精簡(jiǎn)中階管理層）。雖然公司未透露具體的裁員人數(shù)，但內(nèi)部溝通中表示這是為了改善公司財(cái)務(wù)狀況所做的必要之舉。

發(fā)表于：6/16/2025

臺(tái)系芯片設(shè)計(jì)業(yè)先進(jìn)制程導(dǎo)入率將達(dá)45%

6月14日消息，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門為了協(xié)助臺(tái)廠提升競(jìng)爭(zhēng)力，已經(jīng)祭出了三大策略，包括晶創(chuàng)計(jì)劃、類似團(tuán)購(gòu)模式取得電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）優(yōu)惠價(jià)以及人才培育，借此降低臺(tái)廠導(dǎo)入先進(jìn)制程成本，經(jīng)濟(jì)部門設(shè)定今年芯片設(shè)計(jì)使用先進(jìn)制程目標(biāo)比例為45%。

發(fā)表于：6/16/2025

Synopsys中國(guó)業(yè)務(wù)開始恢復(fù) 但EDA還是不能賣

日前，美國(guó)強(qiáng)迫三大EDA巨頭Synopsys(新思科技)、Cadence、西門子集體切斷了對(duì)中國(guó)的供應(yīng)，試圖在遏制中國(guó)芯片的代工制造之后，連設(shè)計(jì)也要加一道大鎖。

發(fā)表于：6/16/2025

美光宣布在美投資增至2000億美元

6 月 13 日消息，美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布將在美國(guó)的投資從此前宣布的 1250 億美元擴(kuò)大至 2000 億美元，包括額外 250 億美元的內(nèi)存制造投資和單獨(dú) 500 億美元的研發(fā)投資。

發(fā)表于：6/13/2025

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