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HBM3E與DDR5價(jià)差削減促使轉(zhuǎn)產(chǎn) 反推高明年HBM3E定價(jià)

12 月 18 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今日表示，由于非 HBM 的一般型 DRAM 內(nèi)存近來(lái)價(jià)格急速攀升，原本由買(mǎi)方主導(dǎo)的 2026 年 HBM3E 內(nèi)存市場(chǎng)開(kāi)始向有利于供方的方向傾斜，但 HBM3E 和 DDR5 間的價(jià)差比例仍會(huì)下降。機(jī)構(gòu)稱(chēng)，在 2025 年 5 月英偉達(dá)與三大 DRAM 原廠（三星、SK 海力士、美光）展開(kāi) 2026 年 HBM3E 采購(gòu)協(xié)商時(shí)，單價(jià)顯著低于今年水平。

發(fā)表于：12/19/2025

商務(wù)部批準(zhǔn)部分稀土出口通用許可申請(qǐng)

12月18日消息，據(jù)央視新聞報(bào)道，在今天（18日）下午召開(kāi)的商務(wù)部例行新聞發(fā)布會(huì)上，新聞發(fā)言人針對(duì)稀土相關(guān)物項(xiàng)出口管制的最新進(jìn)展進(jìn)行回應(yīng)。商務(wù)部新聞發(fā)言人表示，對(duì)稀土相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制以來(lái)，中方主管部門(mén)向中國(guó)出口商進(jìn)行了政策宣介，隨著相關(guān)出口和合規(guī)經(jīng)驗(yàn)的積累，部分中國(guó)出口商已初步達(dá)到申請(qǐng)通用許可的基本要求。

發(fā)表于：12/19/2025

中微半導(dǎo)體公司公告籌劃購(gòu)買(mǎi)杭州眾硅控股權(quán)

12月18日消息，12月18日晚間，中微半導(dǎo)體公司公告，公司正在籌劃通過(guò)發(fā)行股份的方式購(gòu)買(mǎi)杭州眾硅電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“杭州眾硅”）控股權(quán)并募集配套資金。

發(fā)表于：12/19/2025

Rapidus成功開(kāi)發(fā)玻璃基板技術(shù)

12月18日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，日本晶圓代工初創(chuàng)企業(yè)Rapidus已成功開(kāi)發(fā)玻璃基板面板級(jí)封裝（PLP）技術(shù)，計(jì)劃2028年投入量產(chǎn)，拉近與臺(tái)積電的差距。Rapidus計(jì)劃于SEMICON Japan 展會(huì)上，介紹其在玻璃基板面板級(jí)封裝（PLP）領(lǐng)域的最新進(jìn)展。

發(fā)表于：12/19/2025

美光：DRAM供應(yīng)短缺將持續(xù)至2026年后

12 月 18 日消息，對(duì)于個(gè)人電腦發(fā)燒友而言，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）市場(chǎng)的前景不容樂(lè)觀；但這對(duì)美光科技來(lái)說(shuō)卻是另一番光景，在砍掉旗下消費(fèi)級(jí)品牌英睿達(dá)后的首場(chǎng)財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，美光宣布其 DRAM 與 NAND 閃存業(yè)務(wù)營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高。在這場(chǎng)披露 2026 財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)細(xì)節(jié)的會(huì)議中，美光總裁、董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官桑杰?梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）再次強(qiáng)調(diào)了存儲(chǔ)行業(yè)的共識(shí)：DRAM 供應(yīng)短缺的狀況將持續(xù)至 2026 年以后。

發(fā)表于：12/18/2025

GAA架構(gòu)帶來(lái)技術(shù)跨越臺(tái)積電2nm產(chǎn)能已被全部預(yù)訂

12 月 17 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》昨晚報(bào)道，臺(tái)積電 2nm 節(jié)點(diǎn)全面轉(zhuǎn)向 GAA 架構(gòu)，目標(biāo)是在性能和能效層面實(shí)現(xiàn)顯著躍升，迅速吸引了大量客戶(hù)跟進(jìn)。

發(fā)表于：12/18/2025

臺(tái)積電日本熊本廠深陷虧損泥潭

因?yàn)槿斯ぶ悄埽ˋI）需求火熱，臺(tái)積電2025年業(yè)績(jī)上看3.7萬(wàn)億元（新臺(tái)幣，下同），但近期傳出臺(tái)積電日本熊本廠（JASM）產(chǎn)能利用率低迷、虧損無(wú)法止血的消息，引發(fā)島內(nèi)關(guān)注。

發(fā)表于：12/18/2025

美國(guó)敗走激光雷達(dá) 最后的希望破產(chǎn)

本田汽車(chē)宣布，因半導(dǎo)體芯片短缺，12月下旬至明年1月上旬將對(duì)日本和中國(guó)工廠實(shí)施整車(chē)生產(chǎn)暫?；驕p產(chǎn)。廣汽本田中國(guó)合資廠12月29日起停產(chǎn)5天，日本工廠1月5日、6日停產(chǎn)兩天，7至9日產(chǎn)量低于計(jì)劃，具體涉及工廠未公布。此前北美工廠已恢復(fù)但供應(yīng)仍緊張，10月、11月墨西哥、美加工廠曾因安世半導(dǎo)體出口管制減產(chǎn)，此次未說(shuō)明短缺芯片來(lái)源。后續(xù)生產(chǎn)將視芯片供應(yīng)調(diào)整。

發(fā)表于：12/18/2025

中國(guó)液體5m可重復(fù)使用運(yùn)載火箭預(yù)計(jì)2026年上半年首飛

中國(guó)火箭公司披露，在研直徑5米可重復(fù)使用液體運(yùn)載火箭“長(zhǎng)征十號(hào)乙”預(yù)計(jì)2026年上半年首飛；該型火箭2025年7月立項(xiàng)，一子級(jí)回收狀態(tài)下200 km LEO運(yùn)力不低于16 t，900 km、50°傾角軌道運(yùn)力不低于11 t。長(zhǎng)征十號(hào)系列含長(zhǎng)征十號(hào)、十號(hào)甲、十號(hào)乙三構(gòu)型，直徑均為5 m，其中長(zhǎng)征十號(hào)高92.5 m、捆綁兩助推，用于載人登月；十號(hào)甲高67 m、兩級(jí)可回收，用于空間站運(yùn)輸。

發(fā)表于：12/18/2025

寧德時(shí)代引入人形機(jī)器人規(guī)?；a(chǎn)動(dòng)力電池

12月17日消息，寧德時(shí)代今天宣布，全球首條實(shí)現(xiàn)人形具身智能機(jī)器人規(guī)?；涞氐男履茉磩?dòng)力電池PACK生產(chǎn)線，在寧德時(shí)代中州基地正式投入運(yùn)行。

發(fā)表于：12/18/2025

傳蘋(píng)果計(jì)劃將部分iPhone芯片交由印度企業(yè)封裝

12月17日消息，據(jù)印度媒體The Economic Times援引知情人士的話報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果正在與Murugappa集團(tuán)旗下的CG Semi等一些印度芯片制造商進(jìn)行初步談判，以在印度組裝和封裝部分iPhone的零組件。此舉標(biāo)志著蘋(píng)果在打造印度制造供應(yīng)鏈上又將邁出重要一步。

發(fā)表于：12/18/2025

NAND價(jià)格今年已暴漲246% 明年會(huì)更貴

12月17日消息，近日存儲(chǔ)模組大廠金士頓（Kingston）數(shù)據(jù)中心 SSD 業(yè)務(wù)經(jīng)理 Cameron Crandall 參與 PCWorld 的 Podcast 節(jié)目《The Full Nerd》時(shí)透露，自2025年第一季以來(lái)，NAND Flash的價(jià)格累計(jì)已上漲已高達(dá)246%，其中約70%的價(jià)格升幅是發(fā)生在過(guò)去短短60天之內(nèi)。

發(fā)表于：12/18/2025

三星發(fā)布10nm以下的DRAM技術(shù)

12月16日，三星電子在舊金山舉行的第70屆國(guó)際電子器件會(huì)議上宣布，其旗下三星先進(jìn)技術(shù)研究所（SAIT）成功開(kāi)發(fā)出一種新型晶體管，能夠在10nm以下的制程節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)DRAM，這個(gè)突破將解決移動(dòng)DRAM發(fā)展中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。這項(xiàng)技術(shù)的重點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)小于10nm的DRAM 制程，這對(duì)于移動(dòng)DRAM 來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要的障礙，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的演進(jìn)方法已經(jīng)達(dá)到物理極限。

發(fā)表于：12/17/2025

SEMI預(yù)測(cè)今年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)1330億美元

12 月 17 日消息，SEMI 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SEMICON Japan 2025 上表示，預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到 1330 億美元，在 2024 年已創(chuàng)歷史紀(jì)錄的水平上進(jìn)一步提升 13.7%。而 2026、2027 兩年則分別可達(dá) 1450 億美元和 1560 億美元。

發(fā)表于：12/17/2025

國(guó)產(chǎn)GPU第一易主沐曦股份市值超摩爾線程

12月17日，國(guó)產(chǎn)GPU廠商沐曦股份正式登陸科創(chuàng)板，上市首日高開(kāi)568.83%，股價(jià)報(bào)700元/股。截止上午10:25分，盤(pán)中股價(jià)最高觸及895元/股，漲幅超755%，市值突破3500億元，超越當(dāng)前的摩爾線程。

發(fā)表于：12/17/2025