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臺積電稱暫無為先進制程導(dǎo)入High NA EUV必要

5 月 28 日消息，臺積電負責(zé)業(yè)務(wù)開發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強在荷蘭阿姆斯特丹當(dāng)?shù)貢r間昨日舉行的公司 2025 年技術(shù)論壇歐洲場上表示，臺積電暫無為先進制程導(dǎo)入 High NA EUV 的必要。張曉強表示，臺積電新近公布的 1.4nm 級邏輯制程 A14 即使沒有導(dǎo)入 High NA EUV 圖案化設(shè)備，提升幅度也相當(dāng)可觀。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱SK海力士計劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報道稱，SK海力士計劃今年十月開始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達計劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺積電警告稱芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計劃

5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務(wù)部豁免芯片進口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴建計劃，并威脅美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計劃再建三座晶圓廠、兩座先進封裝廠和一個研發(fā)中心，總投資額累計 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱三星電子調(diào)整HBM團隊組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負責(zé)人全永鉉正在對內(nèi)部組織進行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評價為“錯失開發(fā)時機”的高帶寬存儲器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開發(fā)團隊細分為標準 HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團隊。

發(fā)表于：5/28/2025

曝長鑫擬停產(chǎn)DDR4以全力進軍DDR5和HBM

5月28日消息，據(jù)媒體報道，長鑫存儲計劃針對服務(wù)器及PC應(yīng)用的DDR4發(fā)布產(chǎn)品結(jié)束（EOL）通知，預(yù)計最晚在2026年上半年正式停止供貨，轉(zhuǎn)而全力投入DDR5及高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域。

發(fā)表于：5/28/2025

芯科科技推出首批第三代無線開發(fā)平臺SoC，推動物聯(lián)網(wǎng)實現(xiàn)突破

中國，北京 – 2025年5月26日 – 低功耗無線解決方案領(lǐng)導(dǎo)性創(chuàng)新廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布：推出其第三代無線開發(fā)平臺產(chǎn)品組合的首批產(chǎn)品，即采用先進的22納米（nm）工藝節(jié)點打造的兩個全新無線片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列：SiXG301和SiXG302

發(fā)表于：5/28/2025

美國政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺在即！

5月27日消息，針對美國商務(wù)部《貿(mào)易擴張法》第232條進行的半導(dǎo)體進口國家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國半導(dǎo)體巨頭以及美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）近日都向美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見評論，紛紛敦促美國總統(tǒng)特朗普謹慎對待半導(dǎo)體關(guān)稅，并警告一旦施行廣泛的關(guān)稅，可能對美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴重意外損害。根據(jù)此前報道，美國特朗普政府可能很快將會推出針對半導(dǎo)體加征關(guān)稅的政策，市場傳聞稅率可能高達25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來加征關(guān)稅，這也將對臺積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠商，以及以及英偉達、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計廠商帶來負面影響。

發(fā)表于：5/27/2025

TrendForce預(yù)計2025年Q3 NAND閃存價格環(huán)比增幅有望達10%

5 月 26 日消息，市場分析機構(gòu) TrendForce 集邦咨詢今日表示，在 AI 需求刺激企業(yè)級固態(tài)硬盤需求顯著增長的背景下，預(yù)計 2025 年第三季度 NAND 閃存價格有望環(huán)比整張 10%。

發(fā)表于：5/27/2025

施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術(shù)重構(gòu)變頻器防護標準

在工業(yè)自動化領(lǐng)域，變頻器作為核心控制設(shè)備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機性能。然而，復(fù)雜的使用環(huán)境對變頻器PCB電路板的防護提出了嚴苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術(shù)有限公司正是在這一行業(yè)痛點中，通過與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術(shù)實現(xiàn)產(chǎn)品競爭力的跨越式提升。

發(fā)表于：5/27/2025

臺積電發(fā)強硬聲明硬杠美國芯片關(guān)稅

5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，美國商務(wù)部針對半導(dǎo)體關(guān)稅的所謂“232調(diào)查”意見報告即將出爐，半導(dǎo)體關(guān)稅呼之欲出。近日，晶圓代工龍頭臺積電致函美政府的全文首度曝光，其措詞強硬地警告稱，若美方執(zhí)意對芯片征收進口關(guān)稅，將影響該公司在美國亞利桑那州的投資計劃。

發(fā)表于：5/27/2025

環(huán)球晶圓加入Wolfspeed客戶爭奪戰(zhàn)

5月26日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，針對近日全球碳化硅（SiC）龍頭Wolfspeed將申請破產(chǎn)保護一事，半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示，希望爭取Wolfspeed原來合作客戶轉(zhuǎn)單的機會。

發(fā)表于：5/27/2025

礪算科技成功點亮國內(nèi)第一顆6nm GPU

5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，又一款高性能國產(chǎn)GPU已封裝回片并成功點亮。據(jù)礪算科技高管透露，礪算科技首款GPU芯片已封裝回片并成功點亮。

發(fā)表于：5/27/2025

消息稱臺積電有望多年代工谷歌Tensor手機SoC

5 月 26 日消息，谷歌今年下半年推出的新一代旗艦安卓智能手機 Pixel 10 系列預(yù)計搭載臺積電以 3nm 節(jié)點代工的 Tensor G5 AP（注：應(yīng)用處理器），這也會是谷歌 Tensor G 系列首度導(dǎo)入非三星制程。

發(fā)表于：5/26/2025

三星將在2028年前采用玻璃中介層技術(shù)

5月25日消息，據(jù)ET新聞報道，三星電子計劃從 2028 年開始在芯片封裝中采用玻璃中介層，預(yù)計可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生產(chǎn)，將徹底改變 AI芯片封裝。在芯片制造中，中介層是 2.5D 芯片封裝的關(guān)鍵部件，尤其是對于 AI 芯片來說，比如GPU和高帶寬內(nèi)存（HBM）需要依靠中介層來連接這兩個組件，以實現(xiàn)更快的通信。雖然傳統(tǒng)的硅中介層很有效，但其成本遠高于玻璃中介層，而且玻璃中介層對超精細電路具有更高的精度和更高的尺寸穩(wěn)定性。玻璃中介層的優(yōu)勢絕對超過了傳統(tǒng)的硅中介層，這使它們成為下一代 AI 芯片的關(guān)鍵技術(shù)。

發(fā)表于：5/26/2025

耐高溫灌封膠：性能特點與行業(yè)應(yīng)用詳解

在現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展中，各種電子、電氣設(shè)備在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行需求日益凸顯。耐高溫灌封膠作為一種關(guān)鍵的封裝材料，能夠在高溫條件下為電子元件、機械部件等提供有效的保護，防止其受到高溫、潮濕、腐蝕等惡劣環(huán)境的影響，確保設(shè)備的性能和可靠性。施奈仕，作為深耕十多年電子膠粘劑領(lǐng)域的創(chuàng)新性企業(yè)，憑借自主研發(fā)的灌封膠產(chǎn)品及用膠技術(shù)解決方案，在行業(yè)內(nèi)擁有著良好口碑。施奈仕以多年對灌封膠的研究與認識，帶大家認識耐高溫灌封膠的應(yīng)用和特點！

發(fā)表于：5/26/2025