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華為宣布開源盤古7B稠密和72B混合專家模型

2025年6月30日，華為正式宣布開源盤古7B參數(shù)的稠密模型、盤古Pro MoE 72B混合專家模型和基于昇騰的模型推理技術(shù)。華為稱，此舉是華為踐行昇騰生態(tài)戰(zhàn)略的又一關(guān)鍵舉措，推動(dòng)大模型技術(shù)的研究與創(chuàng)新發(fā)展，加速推進(jìn)人工智能在千行百業(yè)的應(yīng)用與價(jià)值創(chuàng)造。

發(fā)表于：2025/7/1

軟銀稱目標(biāo)10年內(nèi)成為全球最大的超級(jí)AI平臺(tái)供應(yīng)商

據(jù)路透社報(bào)道，6月27日，日本科技業(yè)投資巨頭軟銀集團(tuán)（SoftBank Group）CEO孫正義在年度股東大會(huì)上宣布，他希望軟銀在未來(lái)10年內(nèi)成為世界最大的超級(jí)人工智能（artificial superintelligence，ASI）平臺(tái)商。

發(fā)表于：2025/7/1

全球首款北斗優(yōu)先全頻點(diǎn)高精度芯片發(fā)布

6 月 28 日消息，6 月 26 日，夢(mèng)芯科技發(fā)布新一代北斗高精度系統(tǒng)級(jí)芯片，分別為逐夢(mèng) MX2740A（全系統(tǒng)全頻點(diǎn)）和啟夢(mèng) Ⅳ MX2730A（全系統(tǒng)多頻點(diǎn)）。來(lái)的時(shí)空信息安全起到非常大的支撐和推進(jìn)（作用）。

發(fā)表于：2025/6/30

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。

發(fā)表于：2025/6/30

消息稱三星SF2P下一代2nm工藝優(yōu)先供應(yīng)外部客戶

6 月 29 日消息，韓媒 ZDNews 發(fā)文，認(rèn)為三星 Galaxy S26 系列手機(jī)所搭載的 2nm Exynos 2600 芯片，可能并不會(huì)采用該公司最先進(jìn)的“SF2P”技術(shù)，三星計(jì)劃將相應(yīng)工藝優(yōu)先用于為外部代工客戶打造 AI 芯片，而非率先應(yīng)用于自家手機(jī)。據(jù)悉，目前三星已完成這一“SF2P”下一代 2nm 工藝設(shè)計(jì)，當(dāng)下該公司正積極向潛在客戶推廣這一新工藝，試圖在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 AI 芯片市場(chǎng)中提升市場(chǎng)份額。該制程節(jié)點(diǎn)號(hào)稱相比上一代產(chǎn)品具備多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，包括“性能至高提升 12%、功耗降低 25%、縮小 8% 的芯片面積”等特性。不過(guò)外媒指出，三星代工部門預(yù)計(jì)將把上述技術(shù)主要用于為外部客戶生產(chǎn) AI 芯片。相應(yīng)方案將只面向 Foundry（代工）客戶，而不會(huì)提供給負(fù)責(zé)移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)的 System LSI 團(tuán)隊(duì)，這意味著 Exynos 2600 雖然依舊會(huì)使用 2nm 工藝，但有較高概率不會(huì)應(yīng)用 SF2P 技術(shù)。

發(fā)表于：2025/6/30

我國(guó)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)實(shí)現(xiàn)41個(gè)工業(yè)大類全覆蓋

6 月 29 日消息，據(jù)央視財(cái)經(jīng)報(bào)道，我國(guó)已建成全球技術(shù)領(lǐng)先、規(guī)模最大的信息通信網(wǎng)絡(luò)，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)實(shí)現(xiàn) 41 個(gè)工業(yè)大類全覆蓋。據(jù)介紹，一位遠(yuǎn)在歐洲的消費(fèi)者，只需通過(guò)手機(jī)輸入他的需求：墨綠色玻璃門體、母嬰保鮮模塊、60cm 嵌入式尺寸，點(diǎn)擊“確認(rèn)”的瞬間，需求數(shù)據(jù)就會(huì)經(jīng) 5G 網(wǎng)絡(luò)直達(dá)我國(guó)制造企業(yè)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)，端到端延時(shí)小于 20 毫秒。5G 專網(wǎng)的超低時(shí)延，讓工廠里的工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)智能排產(chǎn)，自動(dòng)匹配 200+ 標(biāo)準(zhǔn)模塊，10 分鐘生成最優(yōu)方案，數(shù)據(jù)激活柔性產(chǎn)線，訂單交付周期從過(guò)去的 60 天縮短到 7 天。

發(fā)表于：2025/6/30

安富利：30載深耕中國(guó)市場(chǎng)，長(zhǎng)期主義構(gòu)筑可持續(xù)發(fā)展護(hù)城河

管理大師德魯克曾說(shuō)：“企業(yè)是社會(huì)的器官，任何企業(yè)得以生存，都是因?yàn)樗鼭M足了社會(huì)某一方面的需要，實(shí)現(xiàn)了某種特殊的社會(huì)目的”。這表明企業(yè)不能僅將自身的經(jīng)濟(jì)利益作為唯一追求，而是要承擔(dān)起相應(yīng)的社會(huì)責(zé)任，為社會(huì)創(chuàng)造價(jià)值。

發(fā)表于：2025/6/30

中國(guó)廣電5G應(yīng)急通信技術(shù)試點(diǎn)完成三項(xiàng)首創(chuàng)突破

6月29日消息，今日，中國(guó)廣電宣布，近日，中國(guó)廣電集團(tuán)組織中廣電移動(dòng)、廣東廣電網(wǎng)絡(luò)在廣東汕尾市完成模擬“三斷”場(chǎng)景下的5G應(yīng)急通信技術(shù)系列試點(diǎn)。依托700MHz黃金頻譜優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)三項(xiàng)行業(yè)首創(chuàng)：全國(guó)首個(gè)廣播電視大塔5G 700MHz應(yīng)急通信堡壘基站、業(yè)界首個(gè)5G 700MHz便攜應(yīng)急通信背包站、全國(guó)首例廣播電視大塔堡壘基站保障下的高可靠5G RedCap應(yīng)急廣播。試點(diǎn)聚焦區(qū)域性極端天氣引發(fā)的“斷網(wǎng)、斷電、斷路”難題，充分發(fā)揮廣電既有基礎(chǔ)設(shè)施與頻譜資源優(yōu)勢(shì)，在保障廣播電視安全播出的同時(shí)，構(gòu)建起高韌性應(yīng)急通信網(wǎng)絡(luò)。

發(fā)表于：2025/6/30

美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代

6月27日消息，美光本周在最新的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中宣布，已開始向客戶提供采用導(dǎo)入極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的新一代1γ（1-gamma）制程的首批LPDDR5X 內(nèi)存樣品。這也顯示美光已正式進(jìn)入EUV DRAM 制程時(shí)代。

發(fā)表于：2025/6/30

TDK收購(gòu)QEI射頻功率業(yè)務(wù)

近日，TDK株式會(huì)社宣布已收購(gòu)QEI Corporation（總部：美國(guó)新澤西州威廉斯敦，以下簡(jiǎn)稱“QEI”）的電力業(yè)務(wù)相關(guān)資產(chǎn)。QEI 設(shè)計(jì)和制造先進(jìn)的射頻發(fā)生器和阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵等離子體處理。

發(fā)表于：2025/6/30

意法半導(dǎo)體STM32MP23x：突破成本限制的工業(yè)AI應(yīng)用核心

　　意法半導(dǎo)體近期宣布STM32MP23x產(chǎn)品線（涵蓋STM32MP235、STM32MP233及STM32MP231）已正式面向大眾市場(chǎng)量產(chǎn)銷售。

發(fā)表于：2025/6/29

2028年全球先進(jìn)制程晶圓制造產(chǎn)能將增長(zhǎng)69%

6月26日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新發(fā)布的預(yù)測(cè)報(bào)告稱，因應(yīng)生成式人工智能（AI）應(yīng)用需求日益增長(zhǎng)，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商加速擴(kuò)產(chǎn)，2028年全球12英寸晶圓月產(chǎn)能將達(dá)到1,110萬(wàn)片規(guī)模，創(chuàng)下歷史新高，2024年至2028年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)7%。

發(fā)表于：2025/6/27

ASML攜手蔡司啟動(dòng)5nm分辨率Hyper NA光刻機(jī)開發(fā)

ASML 技術(shù)高級(jí)副總裁：已攜手蔡司啟動(dòng) 5nm 分辨率 Hyper NA 光刻機(jī)開發(fā)

發(fā)表于：2025/6/27

爭(zhēng)奪第二名！2025年英特爾代工大會(huì)直襲三星大本營(yíng)

6月27日消息，英特爾在本月24日在首爾舉行了代工Direct Connect Asia活動(dòng)，這也是英特爾首次在美國(guó)以外的地區(qū)舉辦此類活動(dòng)。英特爾的Direct Connect活動(dòng)類似于臺(tái)積電的技術(shù)研討會(huì)和三星的代工論壇，旨在展示其最新的工藝技術(shù)。

發(fā)表于：2025/6/27

高多層PCB拼板如何省成本？5個(gè)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)降低30%打樣費(fèi)用

高多層 PCB 打樣成本通常是普通板的 3-5 倍,合理的拼板設(shè)計(jì)可顯著優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)。以下是兼顧性能與成本的實(shí)戰(zhàn)技巧: 一、拼板利用率最大化設(shè)計(jì) 拼板數(shù)量?jī)?yōu)化公式:最佳拼板數(shù) = (大板尺寸/子板尺寸)× 利用率系數(shù)(高多層建議0.85) 例:10 層板子板尺寸 5cm×5cm,選用 30cm×30cm 大板,最佳拼板數(shù)為(30×30)/(5×5)×0.85≈30 片。

發(fā)表于：2025/6/27