工業(yè)自動化最新文章 蔡司打造全鏈智聯(lián)解決方案 解碼多元行業(yè)質控路徑 在"質量強國"戰(zhàn)略的引領下，中國工業(yè)正加速從制造向智造與質造跨越式發(fā)展。工業(yè)質量管控體系隨之迎來關鍵轉型，從局部優(yōu)化邁向全域賦能，從單點突破轉向全鏈協(xié)同。 發(fā)表于：2025/6/24 意法半導體推出新款柵極驅動器 2025 年 6 月 23 日，中國——意法半導體推出新一代集成化柵極驅動器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無刷電機，提高消費電子和工業(yè)設備的性能、能效和經(jīng)濟性。 發(fā)表于：2025/6/24 英特爾再次因財務問題推遲俄亥俄州晶圓廠 6月23日消息，據(jù)外媒 NBC4i 報道稱，由于財務問題，英特爾已經(jīng)多次推遲了其在俄亥俄州晶圓廠（曾被稱為 Silicon Heartland）的建設和設備采購，現(xiàn)在的量產(chǎn)時間表已經(jīng)推遲到了2031年，但這將使得英特爾的供應商——美國電力 （AEP） 在俄亥俄州的變電站將持續(xù)閑置。 發(fā)表于：2025/6/24 曝三星1.4nm推遲至2028年 6月24日消息，據(jù)媒體報道，三星原定于今年第二季度動工的1.4nm測試線建設計劃已被推遲，預計投資將延后至今年年底或最早明年上半年。 發(fā)表于：2025/6/24 富士通2nm CPU仍交由臺積電代工 6月24日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發(fā)2nm CPU “MONAKA”，預計將交由臺積電代工生產(chǎn)。不過，富士通也表示，日本初創(chuàng)晶圓代工企業(yè)Rapidus 對于確保供應鏈穩(wěn)定性來說非常有用。 據(jù)了解，富士通Monaka是一款面向數(shù)據(jù)中心的處理器，采用基于臺積電的CoWoS-L封裝技術的博通3.5D XDSiP技術平臺，擁有36個計算小芯片。其中主要的CPU計算核心基于Armv9指令集，擁有144個CPU內核，采用臺積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合 （HCB） 以面對面 （F2F） 方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺積電的5nm工藝制造的。計算和緩存堆棧伴隨著一個相對巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴展器，以及人們期望從數(shù)據(jù)中心級 CPU 獲得的其他接口。 發(fā)表于：2025/6/24 2026年約1/3手機芯片采用2nm/3nm先進工藝 CounterPoint 預測 2026 年約 1/3 出貨手機芯片采用 2nm / 3nm 先進工藝 發(fā)表于：2025/6/24 阿里云推出自動駕駛模型加速框架PAI-TurboX 訓練時間可縮短 50%，阿里云推出自動駕駛模型加速框架 PAI-TurboX 發(fā)表于：2025/6/24 西門子宣布計劃在重慶建立創(chuàng)新研發(fā)中心 6 月 23 日消息，西門子中國今日發(fā)文，當?shù)貢r間 6 月 19 日，重慶市委書記袁家軍與中國駐德國大使鄧洪波一行，到訪西門子總部（柏林），并與西門子董事會主席、總裁兼首席執(zhí)行官博樂（Roland Busch）、西門子中國董事長、總裁兼首席執(zhí)行官肖松等管理層進行會談。雙方圍繞中德產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)共贏、西門子與重慶戰(zhàn)略合作深化、創(chuàng)新能力共建等話題進行了深入交流。 發(fā)表于：2025/6/24 瑞薩電子因Wolfspeed破產(chǎn)將認列2500億日元損失 由于碳化硅（SiC）材料大廠Wolfspeed 可能將在近期內申請破產(chǎn)，6月23日，曾與Wolfspeed達成碳化硅供應協(xié)議的瑞薩電子，已與 Wolfspeed及其主要債權人簽署重組支持協(xié)議（以下簡稱“重組支持協(xié)議”），以對 Wolfspeed 進行財務重組。瑞薩預計將認列2500億日元損失。 發(fā)表于：2025/6/24 中國科學院雙向高導熱石墨膜研究獲突破 中國科學院上海微系統(tǒng)所：雙向高導熱石墨膜研究獲突破，為 5G芯片、功率半導體熱管理提供技術支撐 6 月 23 日消息，近日，中國科學院上海微系統(tǒng)所聯(lián)合寧波大學研究團隊在《Advanced Functional Materials》發(fā)表研究，提出以芳綸膜為前驅體通過高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導熱石墨膜，在膜厚度達到 40 微米的情況下實現(xiàn)面內熱導率 Kin 達到 1754W/m·K，面外熱導率 Kout 突破 14.2W/m·K。與傳統(tǒng)導熱膜相比，雙向高導熱石墨膜在面內和面外熱導率及缺陷控制上均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。 發(fā)表于：2025/6/23 英特爾公布18A工藝節(jié)點技術細節(jié) 6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術與電路研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點技術細節(jié)。 發(fā)表于：2025/6/23 三星被曝芯病嚴重：偽造數(shù)據(jù)、掩蓋缺陷 6 月 19 日消息，據(jù)海外科技媒體 Rest of World 報道，三星電子的芯片工程師正在流失，由于長時間工作、低工資和充滿敵意的工作文化，許多芯片員工紛紛跳槽，投奔包括美國公司在內的競爭對手。剩下的員工不得不長時間、高強度地輪班工作，以彌補空缺。 發(fā)表于：2025/6/23 傳聯(lián)電計劃收購彩晶南科廠以發(fā)展先進封裝 近日市場傳出消息稱，晶圓代工大廠聯(lián)電有意在南科收購瀚宇彩晶廠房。對此，聯(lián)電響應表示，對于市場傳言不予評論。不過針對未來在中國臺灣產(chǎn)能規(guī)劃，聯(lián)電指出，目前已在新加坡建置2.5D先進封裝產(chǎn)能，并已將部分制程拉回中臺灣，不排除未來在臺擴廠的可能。 未來將依據(jù)業(yè)務發(fā)展與整體策略，搭配既有的晶圓對晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）技術，持續(xù)在臺灣推進更完整的先進封裝解決方案。 聯(lián)電目前于南科設有Fab 12A廠，于2002年開始量產(chǎn)，現(xiàn)已導入14nm制程，提供客戶高階定制化制造。據(jù)業(yè)界信息指出，聯(lián)電正洽談購置Fab 12A廠對面的彩晶廠房，未來可能規(guī)劃用于發(fā)展先進封裝產(chǎn)能。 發(fā)表于：2025/6/23 美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 6月20日，據(jù)《華爾街日報》援引知情人士的話報道稱，負責美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）的商務部副部長杰弗里·凱斯勒 （Jeffrey Kessler） 已經(jīng)通知三星電子、SK海力士、臺積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓制造商，美國計劃取消允許它們在中國使用美國技術（主要是半導體設備）的豁免。 發(fā)表于：2025/6/23 消息稱軟銀構想在美國建設萬億美元超級科技工業(yè)綜合體 6 月 20 日消息，彭博社早些時候報道稱，軟銀創(chuàng)始人孫正義構想在美國亞利桑那州建設一個價值萬億美元的工業(yè)綜合體，覆蓋從 AI 到工業(yè)機器人的多樣化產(chǎn)業(yè)。 發(fā)表于：2025/6/20 ?…52535455565758596061…?
