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一種可調(diào)電壓DC-DC電源無線智能測控系統(tǒng)設(shè)計

工業(yè)生產(chǎn)中有線通信方式通常受布線和傳輸距離的影響，給測控任務(wù)帶來諸多不便。特別是在一些高低溫、高噪聲和高電壓等不宜人員參與的環(huán)境中，有線數(shù)據(jù)傳輸方式很易受到干擾，同時需要人員不斷干預(yù)而存在安全隱患問題。為了解決以上問題，并結(jié)合系統(tǒng)設(shè)計自身特征，提出了基于“5G模塊+STM32+PC”的一種可調(diào)電壓DC-DC電源無線智能測控系統(tǒng)設(shè)計方案，通過用戶端上位機智能測控軟件實現(xiàn)對遠端設(shè)備的測控功能。該系統(tǒng)具有電源電壓測控、誤差智能補償、5G無線通信等功能。整個系統(tǒng)具有控制精度高、可靠性高的特點。

發(fā)表于：5/14/2025

集成電路卡數(shù)據(jù)完整性保護機制快速檢測方法

介紹了集成電路（Integrated Circuit，IC）卡數(shù)據(jù)完整性保護機制檢測方法，針對傳統(tǒng)單指令斷電檢測手段的局限性和不足提出二次斷電理論，用于檢測驗證IC卡在執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)過程中出現(xiàn)中斷的事務(wù)保護機制。采用時間統(tǒng)計法和功耗統(tǒng)計法兩種改進方案，計算斷電測試有效時間區(qū)域，解決二次斷電檢測效率低下問題。最后通過實驗結(jié)果驗證數(shù)據(jù)完整性保護機制快速檢測方法的有效性。

發(fā)表于：5/14/2025

硅基GaN功率器件與驅(qū)動集成設(shè)計

為滿足高頻電源模塊的應(yīng)用需求，設(shè)計了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驅(qū)動電路和300 V功率管，有效減少分立式封裝所帶來的寄生電感，集成化設(shè)計能夠提升芯片抗噪聲能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工藝平臺進行制備，采用E/D模集成電路設(shè)計。該芯片的驅(qū)動電路在2 MHz開關(guān)頻率下輸出信號上升時間為4.3 ns、下降時間為3.4 ns，芯片的功率管在300 V下能夠穩(wěn)定工作。

發(fā)表于：5/14/2025

一種雙向使能的負壓低壓差線性穩(wěn)壓器

設(shè)計實現(xiàn)了一種可以雙向使能的負壓低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。首先介紹了傳統(tǒng)的負壓LDO基本架構(gòu)及工作特點，根據(jù)負壓LDO的應(yīng)用場景，提出負壓LDO的使能需要雙向使能。其次展示傳統(tǒng)的使能電路和提出的雙向使能電路，并按照正壓啟動和負壓啟動兩種情況分析。最后該負壓LDO芯片基于350 nm CMOS工藝設(shè)計制造，測試結(jié)果顯示，該負壓LDO在使能信號大于0.6 V小于5 V區(qū)間和大于-5 V小于-0.9 V區(qū)間內(nèi)可以實現(xiàn)雙向啟動，且使能電路在正壓啟動過程中消耗電流873 nA，在負壓啟動過程中消耗電流219 nA。

發(fā)表于：5/14/2025

一種應(yīng)用于電流檢測的低失調(diào)運算放大器設(shè)計

針對電流檢測對運算放大器性能的要求，提出一種新型低失調(diào)運算放大器電路。采用低失調(diào)運放、PMOS管和電阻構(gòu)成閉環(huán)電流采樣電路，整個運放電路由主運放和輔助運放構(gòu)成，主運放構(gòu)成的高頻通路控制電路帶寬，輔助放大器低頻通路利用斬波技術(shù)以及自調(diào)零技術(shù)降低電路失調(diào)?；跂|部高科180BCD工藝對電路進行仿真，仿真結(jié)果表明，溫度為27 ℃，輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定在9 μV，運放增益為95.50 dB，增益帶寬積為28.2 MHz，相位裕度在76.6°以上，CMRR的值為148 dB，PSRR的值大于116 dB。該電路可用于高側(cè)電流檢測。

發(fā)表于：5/14/2025

基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動測試技術(shù)

針對基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動覆蓋率測試，利用Flash FPGA的系統(tǒng)控制寄存器與邊界掃描寄存器模塊，配置FPGA不同的驅(qū)動模式，并通過傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置進行對比驗證。實驗結(jié)果表明，基于芯粒的Flash FPGA控制寄存器配置的驅(qū)動性能與傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置一致，測試時間縮短到1/3。

發(fā)表于：5/14/2025

2024年全球前十封測企業(yè)總營收增長3%

根據(jù)TrendForce發(fā)布的半導(dǎo)體封測研究報告顯示，2024年全球前十大封測廠合計營收為415.6億美元，年增3%。

發(fā)表于：5/14/2025

2024年全球芯片市場規(guī)模達6830億美元

根據(jù)市場研究機構(gòu)Omdia的報告顯示，英偉達在2024年的全球芯片公司營收排名中躍居首位。與此同時，英飛凌和意法半導(dǎo)體均跌出前十名。

發(fā)表于：5/14/2025

適用于高頻功率應(yīng)用的 IXD2012NTR 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器

2025年5月13日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力

發(fā)表于：5/14/2025

Eversource Energy 與 MathWorks 合作，利用概率潮流自動化將可再生能源納入系統(tǒng)規(guī)劃流程

中國北京，2025 年 5 月 14 日 —— 全球領(lǐng)先的數(shù)學(xué)計算軟件開發(fā)商 MathWorks 今天宣布，正在提供概率潮流（PLF）功能，以增強新英格蘭最大的能源公用事業(yè)公司 Eversource Energy 的系統(tǒng)規(guī)劃解決方案。

發(fā)表于：5/14/2025

消息稱三星電子3nm與2nm良率分別超60%和40%

5 月 13 日消息，韓媒《朝鮮日報》當?shù)貢r間今日報道稱，三星電子基于 GAA 晶體管結(jié)構(gòu)的 3nm 和 2nm 節(jié)點良率分別超過了 60% 和 40%，在工藝良率有起色的背景下三星正努力爭奪先進制程訂單。

發(fā)表于：5/14/2025

比爾蓋茨：美國對中國技術(shù)封鎖起助推中國科技與芯片全速發(fā)展

5月12日消息，近日，比爾蓋茨公開接受采訪時表示，美國對中國技術(shù)封鎖起到反作用。 “美國對中國的技術(shù)封鎖起到了完全相反的效果，不僅未能限制中國科技發(fā)展，反而讓中國在芯片制造等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了全速發(fā)展?！?

發(fā)表于：5/14/2025

消息稱英偉達將全球總部設(shè)在中國臺灣省

發(fā)表于：5/14/2025

三星被曝將首次外包芯片光掩模生產(chǎn)

光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進行外包。

發(fā)表于：5/14/2025

夏普稱計劃關(guān)閉和出售更多事業(yè)資產(chǎn)

5 月 12 日消息，夏普今日公布了其截至 2025 年 3 月底的 2024 財年財務(wù)業(yè)績。在上一財年中夏普營收為 2.1601 萬億日元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 1072.32 億元人民幣），同比下滑 7%，不過營業(yè)利潤、經(jīng)常利潤、最終利潤三項均由負轉(zhuǎn)正。夏普將 2025~2027 財年的中期階段定義為“再成長”時期，計劃在未來 3 年實現(xiàn)業(yè)務(wù)的集中與轉(zhuǎn)型，提升盈利能力和成長性。對于設(shè)備業(yè)務(wù)領(lǐng)域，夏普計劃大幅削減固定費用，專注于高附加值產(chǎn)品。夏普 2024 財年重返盈利，計劃關(guān)閉、出售更多事業(yè)資產(chǎn) 為推動輕資產(chǎn)化，夏普計劃向母公司鴻海出售多個子公司或工廠，包括相機模組業(yè)務(wù) SSTC（本財季）、半導(dǎo)體 / 激光業(yè)務(wù) SFL（下一財季），此外還有本份財報中首先提到的龜山市第二工廠（2026 年 8 月后）。在一年前宣布關(guān)閉 SDP 堺市面板工廠的同時，夏普也曾表示將把龜山市第二工廠的產(chǎn)能從每天 2000 片降至 1500 片，這是因為該工廠的開工率低于附近的第一工廠。

發(fā)表于：5/13/2025