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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立，臺(tái)積電及日月光等30多家企業(yè)加入

發(fā)表于：2024/9/4

日本攜手英特爾建先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心

日本攜手英特爾建先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心，將配備EUV光刻機(jī)

發(fā)表于：2024/9/4

2023年中國CAD市場達(dá)54.8億元同比增長12.8%

IDC：2023 年中國 CAD 市場達(dá) 54.8 億元同比增長 12.8%，達(dá)索系統(tǒng)、西門子、歐特克三巨頭份額均下滑

發(fā)表于：2024/9/4

憶恒創(chuàng)源發(fā)布基于平頭哥主控的PCIe 5.0 SSD

9月3日消息，在ODCC大會(huì)上，國內(nèi)知名企業(yè)級(jí)PCIe SSD產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商憶恒創(chuàng)源，正式發(fā)布了國產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。這款SSD基于阿里平頭哥的鎮(zhèn)岳510 NVMe主控芯片和長江存儲(chǔ)閃存顆粒打造，率先實(shí)現(xiàn)了4K隨機(jī)寫100萬IOPS的突破，可為AI、數(shù)據(jù)庫、云計(jì)算、虛擬化等應(yīng)用帶來強(qiáng)勁的加速能力。

發(fā)表于：2024/9/4

我國超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破

99.99995%以上純度！我國超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破鋰電池/半導(dǎo)體必用材料

發(fā)表于：2024/9/4

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員，已有1400人自愿退休

發(fā)表于：2024/9/4

消息稱美國司法部已對(duì)英偉達(dá)在AI領(lǐng)域主導(dǎo)地位升級(jí)反壟斷調(diào)查

消息稱美國司法部已對(duì)英偉達(dá)在 AI 領(lǐng)域主導(dǎo)地位升級(jí)反壟斷調(diào)查

發(fā)表于：2024/9/4

意法半導(dǎo)體正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH

意法半導(dǎo)體加入高通/恩智浦/博世/英飛凌/Nordic的RISC-V合資公司

發(fā)表于：2024/9/4

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進(jìn)EUV光刻工藝

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進(jìn)EUV光刻工藝

發(fā)表于：2024/9/4

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國內(nèi)存巨頭將堆疊式移動(dòng)內(nèi)存視為未來重要收入來源，計(jì)劃將“類 HBM 內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè) AI 提供動(dòng)力。綜合IT之家此前報(bào)道，三星電子的此類產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存，SK 海力士則將這方面技術(shù)稱為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達(dá) 512bit，是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

發(fā)表于：2024/9/3

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS 結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被限制在靠近 P 體區(qū)域的狹窄 N 區(qū)中，流過時(shí)會(huì)產(chǎn)生 JFET 效應(yīng)，增加通態(tài)電阻，且寄生電容較大。

發(fā)表于：2024/9/3

傳英特爾考慮出售FPGA芯片業(yè)務(wù)Altera

9月2日消息，據(jù)路透社援引知情人士的話報(bào)道稱，英特爾CEO基辛格和高級(jí)主管預(yù)計(jì)將在本月向公司董事會(huì)提交一項(xiàng)計(jì)劃，以削減不必要的業(yè)務(wù)，以降低成本并減少資本支出，包括考慮剝離晶圓制造業(yè)務(wù)，暫停德國晶圓廠建設(shè)，以及出售可編程芯片（FPGA）部門Altera。英特爾已經(jīng)在今年一季度將其制造業(yè)務(wù)進(jìn)行了獨(dú)立，并單獨(dú)報(bào)告財(cái)務(wù)業(yè)績，以確保設(shè)計(jì)部門和制造部門保持獨(dú)立的市場化運(yùn)作，進(jìn)一步推動(dòng)其晶圓代工業(yè)務(wù)的發(fā)展。英特爾預(yù)期，分拆制造業(yè)務(wù)后，2023年可以節(jié)省 30 億美元成本， 2025 年將節(jié)省 80-100 億美元成本。并且，基于這種模式，英特爾2025年還有望成為全球第二大晶圓代工廠，代工收入將超過 200 億美元。同時(shí)，設(shè)計(jì)部門毛利率也將提升至 45%、營業(yè)利潤率為 20%。

發(fā)表于：2024/9/3

國內(nèi)首個(gè)五星5G工廠建設(shè)完成

9月2日消息，據(jù)中國信通院CAICT，在工信部《5G全連接工廠建設(shè)指南》發(fā)布兩周年之際，國內(nèi)首個(gè)五星5G工廠——中興通訊南京智能濱江5G工廠（濱江工廠）宣布建設(shè)完成。該工廠通過了中國信息通信研究院泰爾認(rèn)證中心的認(rèn)證，成為5G技術(shù)與電子設(shè)備制造業(yè)深度融合的全新標(biāo)桿。

發(fā)表于：2024/9/3

2024年二季度全球晶圓代工市場營收排名公布

9月2日消息，全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新研究報(bào)告顯示，隨著今年二季度中國618年中消費(fèi)季到來，以及消費(fèi)類終端庫存水位已在相對(duì)健康水位，客戶陸續(xù)啟動(dòng)消費(fèi)性零組件備貨或庫存回補(bǔ)，使得晶圓代工廠接獲急單，帶動(dòng)產(chǎn)能利用率向上提升，較前一季明顯改善。再加上AI服務(wù)器相關(guān)需求持續(xù)強(qiáng)勁，推升第二季全球前十大晶圓代工廠的產(chǎn)值環(huán)比增長9.6%至320億美元。從具體的排名來看，二季度的前五大晶圓代工廠商與一季度一致，排名依次為臺(tái)積電、三星、中芯國際、聯(lián)電與格羅方德。第六至十名，排行依序?yàn)槿A虹、高塔半導(dǎo)體、世界先進(jìn)、力積電與晶合集成。其中，世界先進(jìn)受益于DDI急單及去中化店員管理IC紅利帶動(dòng)出貨成長，排行升至第八名，力積電、晶合集成分別降至第九與第十名。

發(fā)表于：2024/9/3

AI芯片及存儲(chǔ)芯片將帶動(dòng)今年全球半導(dǎo)體營收同比增長20%

SEMI：受益于AI芯片及存儲(chǔ)芯片驅(qū)動(dòng)，今年全球半導(dǎo)體營收將同比增長20%

發(fā)表于：2024/9/3