工業(yè)自動(dòng)化最新文章 軟銀芯片計(jì)劃曝光 據(jù)媒體報(bào)道，軟銀集團(tuán)創(chuàng)始人孫正義近幾個(gè)月正專注于一件事，那就是如何利用自家芯片打造下一個(gè)NVIDIA，在AI市場分一杯羹。 孫正義的目標(biāo)是到2026年推出首批可發(fā)貨的AI芯片，并計(jì)劃最早在明年夏季開發(fā)出原型產(chǎn)品。 發(fā)表于：12/24/2024 傳英偉達(dá)將在中國臺灣建立海外總部 12月24日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)傳聞，AI芯片大廠英偉達(dá)（NVIDIA）計(jì)劃將在中國臺灣建造一個(gè)“海外總部”，因?yàn)橛ミ_(dá)CEO黃仁勛希望兌現(xiàn)他對當(dāng)?shù)貑T工的承諾，即擁有一個(gè)專門的設(shè)施。 發(fā)表于：12/24/2024 我國建成1200余家先進(jìn)級智能工廠和230余家卓越級智能工廠 12 月 24 日消息，據(jù)我國工業(yè)和信息化部公布，我國現(xiàn)已建成 1200 余家先進(jìn)級智能工廠和 230 余家卓越級智能工廠，當(dāng)前我國累計(jì)發(fā)布 469 項(xiàng)智能制造國家標(biāo)準(zhǔn)、50 項(xiàng)國際標(biāo)準(zhǔn)，6500 余家智能制造系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商服務(wù)范圍涵蓋全部制造業(yè)領(lǐng)域。 發(fā)表于：12/24/2024 博通CEO表示目前對收購Intel沒有興趣 博通CEO：目前對收購Intel沒有興趣 發(fā)表于：12/24/2024 韓國學(xué)術(shù)界呼吁效仿臺積電成立KSMC 12月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，韓國國家工程院（NAEK）近日在首爾舉行的研討會上，討論了效仿臺積電成立韓國半導(dǎo)體制造公司（KSMC）的計(jì)劃。 專家估計(jì)，到2045年，對KSMC的20萬億韓元投資，可產(chǎn)生300萬億韓元的經(jīng)濟(jì)效益。 韓國擁有三星電子和SK海力士這兩家尖端存儲芯片的制造商，但在芯片代工領(lǐng)域，尤其是與臺積電的競爭中，三星的進(jìn)展并不順利。 發(fā)表于：12/24/2024 美對華成熟制程芯片發(fā)起301調(diào)查 當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月23日，美國拜登政府通過白宮官網(wǎng)宣布，已要求美國貿(mào)易代表辦公室發(fā)起301條款調(diào)查，以審查中國將基礎(chǔ)半導(dǎo)體（也稱為傳統(tǒng)或成熟制程芯片）作為主導(dǎo)地位的目標(biāo)以及對美國經(jīng)濟(jì)的影響。 發(fā)表于：12/24/2024 2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速將超10% 12月23日消息，綜合多家研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測數(shù)據(jù)來看，2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值有望將維持兩位數(shù)百分比的同比增長。不過，隨著美國新一屆總統(tǒng)特朗普即將上任，地緣政治不確定性恐將升高，并為全球經(jīng)濟(jì)形勢與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長添增變數(shù)。 發(fā)表于：12/24/2024 5G確定性工業(yè)基站首次商用 近日，在“無線通算智融合技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)攻關(guān)及基站研制”央企聯(lián)合體、浙江中心5G-A實(shí)驗(yàn)室的支持下，中國移動(dòng)溫州分公司聯(lián)手華為在溫州煙草配送中心成功開通浙江省內(nèi)首個(gè)5G確定性工業(yè)基站，滿足客戶業(yè)務(wù)場景對時(shí)延可靠性20ms@99.99%的需求，并在物流穿梭運(yùn)輸產(chǎn)線上完成5*24小時(shí)穩(wěn)定性測試。這一創(chuàng)新性成果標(biāo)志著5G工業(yè)應(yīng)用邁出了關(guān)鍵一步，為工業(yè)自動(dòng)化、智能化發(fā)展提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐，有望推動(dòng)更多工廠向星級工廠邁進(jìn)。 發(fā)表于：12/24/2024 二極管/三極管/場效應(yīng)管完整測試方案設(shè)計(jì)及選擇 二極管/三極管/場效應(yīng)管完整測試方案設(shè)計(jì)及選擇 發(fā)表于：12/23/2024 場效應(yīng)管的重要參數(shù)介紹 場效應(yīng)管（FET）的重要參數(shù)包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場效應(yīng)管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場效應(yīng)管能夠承受的最大漏極電流，超過此值可能會導(dǎo)致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場效應(yīng)管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的最小柵源電壓。 發(fā)表于：12/23/2024 場效應(yīng)管的主要類型介紹 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流。 場效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級或輸出級。 發(fā)表于：12/23/2024 三極管的重要參數(shù)介紹 三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，它有多種類型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。不同類型的三極管有不同的參數(shù)，但以下是一些重要的通用參數(shù)： 發(fā)表于：12/23/2024 三極管的主要類型介紹 半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件 它的主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時(shí)也被用作無觸點(diǎn)開關(guān)。三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。 發(fā)表于：12/23/2024 二極管的重要參數(shù)介紹 二極管的重要參數(shù)包括額定峰值反向電壓（VR）、額定直流正向電流（IF）、最大導(dǎo)通電流（IFM）、靜態(tài)電阻（RS）、正向壓降（VF）、動(dòng)態(tài)電阻（rd）、反向漏電流（IR）、反向恢復(fù)時(shí)間（trr）、反向恢復(fù)電荷（Qrr）和熱阻（Rth）等。?? 發(fā)表于：12/23/2024 二極管的主要類型介紹 二極管是一種具有兩個(gè)電極的電子器件，其主要功能是允許電流在一個(gè)方向上通過，而在另一個(gè)方向上則阻止電流通過，這種特性被稱為單向?qū)щ娦浴? 具體來說，二極管由兩個(gè)主要部分構(gòu)成：一個(gè)是P型半導(dǎo)體，另一個(gè)是N型半導(dǎo)體，它們的交界處形成PN結(jié)。 發(fā)表于：12/23/2024 ?…58596061626364656667…?
