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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

我國(guó)首臺(tái)作業(yè)時(shí)速公里級(jí)水下敷纜機(jī)器人近日完成下水測(cè)試

12 月 12 日，從南方電網(wǎng)廣東電網(wǎng)公司獲悉，由該公司牽頭研制的我國(guó)首臺(tái)作業(yè)時(shí)速公里級(jí)水下敷纜機(jī)器人近日完成下水測(cè)試。該裝置具有履帶、雪橇行走能力和 " 搜尋—挖溝—敷埋 " 一體化作業(yè)能力，敷埋作業(yè)速度可達(dá) 1000 米 / 小時(shí)，機(jī)器人本體核心部件實(shí)現(xiàn) 100% 自主可控，意味著項(xiàng)目從理論研究過(guò)渡至樣機(jī)實(shí)物階段。 " 指標(biāo)數(shù)據(jù)正常，這次下水測(cè)試非常成功！"12 月 12 日從山東威海機(jī)器人水下測(cè)試場(chǎng)地回來(lái)的廣東電網(wǎng)公司電力科學(xué)研究院輸電所的汪政博士看著電腦上的數(shù)據(jù)，興奮地通知了研發(fā)團(tuán)隊(duì)的所有人。

發(fā)表于：12/16/2024

AMD明確表態(tài)不可能與Intel合并

AMD明確表態(tài)不可能與Intel合并

發(fā)表于：12/16/2024

第三家1萬(wàn)億美元市值半導(dǎo)體企業(yè)出現(xiàn)

12月12日美股盤后，芯片大廠博通發(fā)布了截至11月3日的第四財(cái)季及2024財(cái)年財(cái)報(bào)。受益于人工智能（AI）旺盛需求的推動(dòng)，博通當(dāng)季業(yè)績(jī)及下季指引基本符合預(yù)期。2024財(cái)年總營(yíng)收及調(diào)整后利潤(rùn)均創(chuàng)下歷史新高，特別是來(lái)自AI的收入整個(gè)財(cái)年同比暴漲了220%。值得注意的是，ASIC定制服務(wù)一直是博通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一項(xiàng)重要收入來(lái)源，特別是在AI的驅(qū)動(dòng)之下，博通來(lái)自與AI相關(guān)的ASIC定制服務(wù)營(yíng)收正快速增長(zhǎng)。

發(fā)表于：12/16/2024

臺(tái)積電首次公開(kāi)2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)

12月15日消息，IEDM 2024大會(huì)上，臺(tái)積電首次披露了N2 2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對(duì)比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。

發(fā)表于：12/16/2024

意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

2024 年 11 月 29日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

發(fā)表于：12/16/2024

慶祝顯示技術(shù)30年創(chuàng)新歷程

2024年10月，應(yīng)用材料公司慶祝顯示器制造設(shè)備創(chuàng)新30周年！我們?cè)谕苿?dòng)關(guān)鍵顯示技術(shù)變革方面有悠久的傳統(tǒng)，并且有能力在下一次重大技術(shù)變革中也處于領(lǐng)先地位——即將高端智能手機(jī)中先進(jìn)的OLED顯示技術(shù)應(yīng)用于成千上百萬(wàn)的設(shè)備，從AR/VR頭顯到平板電腦、個(gè)人電腦和電視。

發(fā)表于：12/16/2024

RCL完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇

RCL完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇

發(fā)表于：12/13/2024

RCL完整測(cè)試所需儀器介紹

RCL完整測(cè)試所需儀器

發(fā)表于：12/13/2024

電感的重要參數(shù)介紹

電感的重要參數(shù)介紹

發(fā)表于：12/13/2024

電容的主要參數(shù)介紹

電容器的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： ?1.電容值（Capacitance Value）：表示電容器儲(chǔ)存電荷的能力，通常以法拉（F）為單位，但在實(shí)際應(yīng)用中更常用的單位是微法拉（μF）、皮法拉（pF）等。 2.額定電壓（Rated Voltage）：指電容器能夠安全工作的最大電壓，超過(guò)這個(gè)電壓可能會(huì)導(dǎo)致電容器擊穿或損壞。 3.容差（Tolerance）：指電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍，通常以百分比表示。

發(fā)表于：12/13/2024

電阻的主要參數(shù)介紹

電阻的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： 1.阻值（Resistance Value）：這是電阻的基本特性，表示電阻對(duì)電流流動(dòng)的阻礙程度，通常以歐姆（Ω）為單位。 2.額定功率（Rated Power）：指電阻在正常工作條件下能夠承受的最大功率，超過(guò)這個(gè)功率可能會(huì)導(dǎo)致電阻過(guò)熱甚至損壞。功率以瓦特（W）為單位。 3.容差（Tolerance）：指電阻的實(shí)際阻值與標(biāo)稱阻值之間的允許偏差范圍。容差通常以百分比表示，例如5%或1%。 4.溫度系數(shù)（Temperature Coefficient）：

發(fā)表于：12/13/2024

電感的主要類型介紹

電感器是用絕緣導(dǎo)線繞制而成的一種電磁感應(yīng)組件，是電子電路中不可或缺的重要元件之一，它在儲(chǔ)能、濾波、調(diào)諧等方面發(fā)揮著重要作用。

發(fā)表于：12/13/2024

電容的主要類型介紹

電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件，是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件，主要用于電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲(chǔ)能、隔直流等電路中。

發(fā)表于：12/13/2024

電阻的主要類型介紹

電阻表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙的大小，是電子電路中不可或缺的元件，其類型繁多，不同類型的電阻適用于不同的電路和環(huán)境。

發(fā)表于：12/13/2024

詳解ASML收購(gòu)Mapper背后的四方暗斗

近日，一名具有俄羅斯背景的ASML前員工因涉嫌竊取ASML和Mapper Lithography 的微芯片手冊(cè)等文件而被荷蘭政府拘留，引發(fā)各方關(guān)注。這位工程師曾是電子束光刻設(shè)備廠商Mapper的員工，后來(lái)這家公司被ASML收購(gòu)，于是包括該工程師在內(nèi)很多員工也就成為了ASML的員工，Mapper公司及其產(chǎn)品線也被關(guān)閉。那么，為何這位工程師在竊取ASML資料的同時(shí)，還會(huì)去竊取已經(jīng)“作古”的Mapper的資料呢？

發(fā)表于：12/13/2024