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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

Intel拋售全部Arm持股籌集約1.47億美元

Intel拋售全部Arm持股！籌集約1.47億美元

發(fā)表于：2024/8/14

SK海力士將轉(zhuǎn)向4F2結(jié)構(gòu)的3D DRAM

為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉(zhuǎn)向“4F2”結(jié)構(gòu)的3D DRAM

發(fā)表于：2024/8/14

LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠

LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠

發(fā)表于：2024/8/14

SK海力士DDR5被曝漲價(jià)15~20%

8 月 13 日消息，華爾街見聞報(bào)道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲。

發(fā)表于：2024/8/14

HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營收前四

8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日報(bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。

發(fā)表于：2024/8/14

寧德時(shí)代全固態(tài)電池2027年有望小批量生產(chǎn)

寧德時(shí)代：全固態(tài)電池技術(shù)我們行業(yè)領(lǐng)先 2027年有望小批量生產(chǎn)

發(fā)表于：2024/8/14

英飛凌推出PSOC? Control MCU系列

【2024年8月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費(fèi)電機(jī)控制以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用，包括家用電器、電動(dòng)工具、可再生能源產(chǎn)品、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器，以及照明和計(jì)算/通信電源等。

發(fā)表于：2024/8/13

復(fù)旦團(tuán)隊(duì)國際首次驗(yàn)證超快閃存集成工藝

8 月 13 日消息，據(jù)復(fù)旦大學(xué)官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲(chǔ)技術(shù)。當(dāng)前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應(yīng)用需求。復(fù)旦大學(xué)周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)前期研究表明二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨?，?shí)現(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲(chǔ)閃存。然而，如何實(shí)現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn)。從界面工程出發(fā)，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際上首次驗(yàn)證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗(yàn)證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時(shí)間 8 月 12 日下午 5 點(diǎn)，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學(xué)》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。

發(fā)表于：2024/8/13

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：2024/8/13

傳臺積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對臺積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場傳言。

發(fā)表于：2024/8/13

消息稱三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/8/13

美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國臺灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。

發(fā)表于：2024/8/13

武漢光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)量子點(diǎn)光刻膠

8 月 13 日消息，武漢光谷實(shí)驗(yàn)室宣布與華中科技大學(xué)等研究團(tuán)隊(duì)合作研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠（QD-PR），其藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達(dá)到 1 μm，各項(xiàng)性能指標(biāo)為行業(yè)領(lǐng)先水平。

發(fā)表于：2024/8/13

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：2024/8/13

英國牛津大學(xué)推出柔性多結(jié)太陽能電池板

英國牛津大學(xué)推出柔性多結(jié)太陽能電池板，轉(zhuǎn)換效率有望達(dá)到45%

發(fā)表于：2024/8/13