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基于SCA-PSO的支持向量回歸車輛尾氣傳感器溫濕度補(bǔ)償方法研究

氮氧化物和顆粒物是柴油機(jī)車尾氣排放的兩種主要污染物。利用車輛尾氣檢測(cè)裝置對(duì)柴油機(jī)車進(jìn)行尾氣排放監(jiān)控是治理城市空氣污染的一項(xiàng)有效措施。對(duì)于氮氧化物氣體傳感器而言，基于其檢測(cè)原理，溫度和濕度會(huì)對(duì)其檢測(cè)過(guò)程發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生較大影響，因此需要相應(yīng)的溫濕度補(bǔ)償方法來(lái)提升傳感器測(cè)量精度。為此，設(shè)計(jì)了一種車載式車輛尾氣檢測(cè)裝置，并提出了一種基于正余弦優(yōu)化算法（SCA）和改進(jìn)式粒子群優(yōu)化算法（PSO）的支持向量回歸（SVR）的傳感器溫濕度補(bǔ)償方法，通過(guò)傳感器實(shí)時(shí)檢測(cè)氮氧化物氣體和顆粒物濃度，并利用補(bǔ)償模型對(duì)傳感器檢測(cè)值進(jìn)行溫濕度補(bǔ)償。經(jīng)過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)訓(xùn)練和驗(yàn)證，補(bǔ)償模型可以有效降低由溫濕度造成的誤差，能夠滿足工程需求。

發(fā)表于：2025/5/14

一種可調(diào)電壓DC-DC電源無(wú)線智能測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)

工業(yè)生產(chǎn)中有線通信方式通常受布線和傳輸距離的影響，給測(cè)控任務(wù)帶來(lái)諸多不便。特別是在一些高低溫、高噪聲和高電壓等不宜人員參與的環(huán)境中，有線數(shù)據(jù)傳輸方式很易受到干擾，同時(shí)需要人員不斷干預(yù)而存在安全隱患問(wèn)題。為了解決以上問(wèn)題，并結(jié)合系統(tǒng)設(shè)計(jì)自身特征，提出了基于“5G模塊+STM32+PC”的一種可調(diào)電壓DC-DC電源無(wú)線智能測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，通過(guò)用戶端上位機(jī)智能測(cè)控軟件實(shí)現(xiàn)對(duì)遠(yuǎn)端設(shè)備的測(cè)控功能。該系統(tǒng)具有電源電壓測(cè)控、誤差智能補(bǔ)償、5G無(wú)線通信等功能。整個(gè)系統(tǒng)具有控制精度高、可靠性高的特點(diǎn)。

發(fā)表于：2025/5/14

集成電路卡數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制快速檢測(cè)方法

介紹了集成電路（Integrated Circuit，IC）卡數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制檢測(cè)方法，針對(duì)傳統(tǒng)單指令斷電檢測(cè)手段的局限性和不足提出二次斷電理論，用于檢測(cè)驗(yàn)證IC卡在執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)過(guò)程中出現(xiàn)中斷的事務(wù)保護(hù)機(jī)制。采用時(shí)間統(tǒng)計(jì)法和功耗統(tǒng)計(jì)法兩種改進(jìn)方案，計(jì)算斷電測(cè)試有效時(shí)間區(qū)域，解決二次斷電檢測(cè)效率低下問(wèn)題。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制快速檢測(cè)方法的有效性。

發(fā)表于：2025/5/14

硅基GaN功率器件與驅(qū)動(dòng)集成設(shè)計(jì)

為滿足高頻電源模塊的應(yīng)用需求，設(shè)計(jì)了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驅(qū)動(dòng)電路和300 V功率管，有效減少分立式封裝所帶來(lái)的寄生電感，集成化設(shè)計(jì)能夠提升芯片抗噪聲能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工藝平臺(tái)進(jìn)行制備，采用E/D模集成電路設(shè)計(jì)。該芯片的驅(qū)動(dòng)電路在2 MHz開(kāi)關(guān)頻率下輸出信號(hào)上升時(shí)間為4.3 ns、下降時(shí)間為3.4 ns，芯片的功率管在300 V下能夠穩(wěn)定工作。

發(fā)表于：2025/5/14

一種雙向使能的負(fù)壓低壓差線性穩(wěn)壓器

設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種可以雙向使能的負(fù)壓低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。首先介紹了傳統(tǒng)的負(fù)壓LDO基本架構(gòu)及工作特點(diǎn)，根據(jù)負(fù)壓LDO的應(yīng)用場(chǎng)景，提出負(fù)壓LDO的使能需要雙向使能。其次展示傳統(tǒng)的使能電路和提出的雙向使能電路，并按照正壓?jiǎn)?dòng)和負(fù)壓?jiǎn)?dòng)兩種情況分析。最后該負(fù)壓LDO芯片基于350 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造，測(cè)試結(jié)果顯示，該負(fù)壓LDO在使能信號(hào)大于0.6 V小于5 V區(qū)間和大于-5 V小于-0.9 V區(qū)間內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)雙向啟動(dòng)，且使能電路在正壓?jiǎn)?dòng)過(guò)程中消耗電流873 nA，在負(fù)壓?jiǎn)?dòng)過(guò)程中消耗電流219 nA。

發(fā)表于：2025/5/14

一種應(yīng)用于電流檢測(cè)的低失調(diào)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

針對(duì)電流檢測(cè)對(duì)運(yùn)算放大器性能的要求，提出一種新型低失調(diào)運(yùn)算放大器電路。采用低失調(diào)運(yùn)放、PMOS管和電阻構(gòu)成閉環(huán)電流采樣電路，整個(gè)運(yùn)放電路由主運(yùn)放和輔助運(yùn)放構(gòu)成，主運(yùn)放構(gòu)成的高頻通路控制電路帶寬，輔助放大器低頻通路利用斬波技術(shù)以及自調(diào)零技術(shù)降低電路失調(diào)?；跂|部高科180BCD工藝對(duì)電路進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明，溫度為27 ℃，輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定在9 μV，運(yùn)放增益為95.50 dB，增益帶寬積為28.2 MHz，相位裕度在76.6°以上，CMRR的值為148 dB，PSRR的值大于116 dB。該電路可用于高側(cè)電流檢測(cè)。

發(fā)表于：2025/5/14

基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動(dòng)測(cè)試技術(shù)

針對(duì)基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動(dòng)覆蓋率測(cè)試，利用Flash FPGA的系統(tǒng)控制寄存器與邊界掃描寄存器模塊，配置FPGA不同的驅(qū)動(dòng)模式，并通過(guò)傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置進(jìn)行對(duì)比驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，基于芯粒的Flash FPGA控制寄存器配置的驅(qū)動(dòng)性能與傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置一致，測(cè)試時(shí)間縮短到1/3。

發(fā)表于：2025/5/14

2024年全球前十封測(cè)企業(yè)總營(yíng)收增長(zhǎng)3%

根據(jù)TrendForce發(fā)布的半導(dǎo)體封測(cè)研究報(bào)告顯示，2024年全球前十大封測(cè)廠合計(jì)營(yíng)收為415.6億美元，年增3%。

發(fā)表于：2025/5/14

2024年全球芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)6830億美元

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的報(bào)告顯示，英偉達(dá)在2024年的全球芯片公司營(yíng)收排名中躍居首位。與此同時(shí)，英飛凌和意法半導(dǎo)體均跌出前十名。

發(fā)表于：2025/5/14

適用于高頻功率應(yīng)用的 IXD2012NTR 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

2025年5月13日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力

發(fā)表于：2025/5/14

Eversource Energy 與 MathWorks 合作，利用概率潮流自動(dòng)化將可再生能源納入系統(tǒng)規(guī)劃流程

中國(guó) 北京，2025 年 5 月 14 日 —— 全球領(lǐng)先的數(shù)學(xué)計(jì)算軟件開(kāi)發(fā)商 MathWorks 今天宣布，正在提供概率潮流（PLF）功能，以增強(qiáng)新英格蘭最大的能源公用事業(yè)公司 Eversource Energy 的系統(tǒng)規(guī)劃解決方案。

發(fā)表于：2025/5/14

消息稱三星電子3nm與2nm良率分別超60%和40%

5 月 13 日消息，韓媒《朝鮮日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子基于 GAA 晶體管結(jié)構(gòu)的 3nm 和 2nm 節(jié)點(diǎn)良率分別超過(guò)了 60% 和 40%，在工藝良率有起色的背景下三星正努力爭(zhēng)奪先進(jìn)制程訂單。

發(fā)表于：2025/5/14

比爾蓋茨：美國(guó)對(duì)中國(guó)技術(shù)封鎖起助推中國(guó)科技與芯片全速發(fā)展

5月12日消息，近日，比爾蓋茨公開(kāi)接受采訪時(shí)表示，美國(guó)對(duì)中國(guó)技術(shù)封鎖起到反作用。 “美國(guó)對(duì)中國(guó)的技術(shù)封鎖起到了完全相反的效果，不僅未能限制中國(guó)科技發(fā)展，反而讓中國(guó)在芯片制造等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了全速發(fā)展。”

發(fā)表于：2025/5/14

消息稱英偉達(dá)將全球總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣省

5月14日消息，據(jù)最新消息，NVIDIA（英偉達(dá)）首席執(zhí)行官黃仁勛預(yù)計(jì)將于下周宣布公司全球總部落戶中國(guó)臺(tái)灣。按照消息人士的說(shuō)法，NVIDIA數(shù)月來(lái)一直在物色其在中國(guó)臺(tái)灣總部的選址，而黃仁勛的潛在宣布將凸顯其與臺(tái)積電之間的密切關(guān)系。

發(fā)表于：2025/5/14

三星被曝將首次外包芯片光掩模生產(chǎn)

光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國(guó)科技媒體 TheElec 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子正計(jì)劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。

發(fā)表于：2025/5/14