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英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！

英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！

早在2024年10月，英偉達(dá)在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達(dá)的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達(dá)當(dāng)時的預(yù)計，2024年英偉達(dá)將交付10億個內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達(dá)硬件中的普遍性和重要性。在此次RISC-V中國峰會上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達(dá)是RVI和RISE的董事會成員和技術(shù)委員會代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻(xiàn)者。英偉達(dá)產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴展和安全保護(hù)功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。

龍芯9A1000國產(chǎn)顯卡預(yù)計年底前代碼凍結(jié)

龍芯 9A1000 國產(chǎn)顯卡預(yù)計年底前代碼凍結(jié)：對標(biāo) AMD RX 550，9A2000 性能飆升至 8-10 倍

發(fā)表于：9/9/2024

曝蘋果A18芯片基于Arm最新V9架構(gòu)

AI性能大幅提升！曝蘋果A18芯片基于Arm最新V9架構(gòu)

發(fā)表于：9/9/2024

薛其坤院士：通用量子計算機還得10-20年

薛其坤院士：通用量子計算機還得10-20年

發(fā)表于：9/9/2024

美國ITC發(fā)布對半導(dǎo)體設(shè)備及其下游產(chǎn)品的337部分終裁

美國ITC發(fā)布對半導(dǎo)體設(shè)備及其下游產(chǎn)品的337部分終裁

發(fā)表于：9/9/2024

高通確認(rèn)其芯片用于三星與谷歌合作開發(fā)的XR眼鏡

高通確認(rèn)其芯片用于三星與谷歌合作開發(fā)的XR眼鏡

發(fā)表于：9/9/2024

2024Q2全球PC GPU市場數(shù)據(jù)公布

近日，市場研究機構(gòu)Jon Peddie Research（JPR）最新公布的數(shù)據(jù)顯示，2024年第二季度全球PC GPU總出貨量（包括所有平臺和所有類型的GPU）同比增長 16%。從主要廠商的市場份額來看，AMD 在第二季度在整個PC GPU 市場的份額約為16%，環(huán)比增長了 0.2個百分點；而英偉達(dá)（NVIDIA）的市場份額則從18% 增長到了20%；英特爾得益于其龐大的集成GPU出貨量，其市場份額仍高達(dá)64%，但環(huán)比份額仍下滑了2個百分點。

發(fā)表于：9/9/2024

消息稱高通正探討收購英特爾部分芯片設(shè)計業(yè)務(wù)

消息稱高通正探討收購英特爾部分芯片設(shè)計業(yè)務(wù)，對 PC 業(yè)務(wù)非常感興趣

發(fā)表于：9/6/2024

壁仞科技實現(xiàn)中國首個三種異構(gòu)GPU混訓(xùn)技術(shù)

9月5日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，國產(chǎn)AI芯片公司壁仞科技即將在2024全球AI芯片峰會上，首次公布自主原創(chuàng)的異構(gòu)GPU協(xié)同訓(xùn)練方案HGCT。據(jù)了解，這將是中國首個三種異構(gòu)芯片混訓(xùn)技術(shù)，業(yè)界首次支持3種及以上異構(gòu)GPU混合訓(xùn)練同一個大模型（壁仞GPU+英偉達(dá)GPU+其他國產(chǎn)芯片），用一套統(tǒng)一方案支持多種不同型號、不同廠商的GPU，而且一行代碼適配多種框架。在此之前，AI Infra公司無問芯穹的4+2芯片，最多僅支持2種GPU同時訓(xùn)練。

發(fā)表于：9/6/2024

京東方發(fā)布新一代ADS Pro+MLED背光顯示解決方案

京東方發(fā)布新一代ADS Pro+MLED背光顯示解決方案，支持500Hz刷新率、1000nits+全屏亮度

發(fā)表于：9/6/2024

三星電子計劃2027年推出0a nm DDR內(nèi)存

9 月 5 日消息，據(jù)《韓國先驅(qū)報》報道，三星電子 DS 部門存儲器業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理李禎培昨日在臺灣地區(qū)出席業(yè)界活動時展示了三星未來內(nèi)存產(chǎn)品路線圖。根據(jù) DDR 內(nèi)存路線圖，三星計劃在 2024 年內(nèi)推出 1c nm 制程 DDR 內(nèi)存，該節(jié)點可提供 32Gb 顆粒容量產(chǎn)品；而在 2026 年三星將推出其最后一代 10nm 級工藝 1d nm，仍最大提供 32Gb 容量。

發(fā)表于：9/6/2024