頭條 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新資訊 联发科发布三款全新天玑芯片 联发科发布三款全新天玑芯片：天玑7400、天玑7400X和天玑6400 發(fā)表于：2025/2/26 消息称意法半导体CEO将被免职 2 月 25 日消息，据彭博社援引知情人士消息称，因为业绩表现不佳，意大利政府希望罢免意法半导体（STMicroelectronics）现任 CEO 让-马克・谢里（Jean-Marc Chéry）。 發(fā)表于：2025/2/26 CounterPoint：2024全球半导体收入同比增19% 2 月 25 日消息，市场调查机构 CounterPoint Research 昨日（2 月 24 日）发布博文，报道称受 AI 需求激增推动，2024 年全球半导体收入预估达到 6210 亿美元（注：当前约 4.5 万亿元人民币），同比增长 19%。 内存市场表现尤为突出，收入同比增长高达 64%，三星巩固了市场领导地位。同时，逻辑芯片收入也实现了 11% 的同比增长。英伟达凭借在 AI 领域的优势，全年半导体收入更是实现了 50% 的同比增长。 發(fā)表于：2025/2/25 美国研究人员成功在1立方毫米晶体中存储数TB数据 2月22日消息，据EENewsEurope 报道，芝加哥大学普利兹克分子工程学院 （UChicago PME） 的研究人员探索了一种从晶体缺陷中制造 “1” 和 “0” 的技术，每个缺陷都相当于经典计算机内存应用的单个原子的大小，允许“在只有1立方毫米大小的小立方体材料中实现 TB 级比特”的数据。 系元素，镧系元素 發(fā)表于：2025/2/24 全球首例！我国芯片领域有新突破！ 北京大学物理学院现代光学研究所王剑威和龚旗煌课题组与山西大学苏晓龙课题组合作，成功实现了全球首例基于集成光量子芯片的“连续变量”量子纠缠簇态，为光量子芯片大规模扩展及其在量子计算、量子网络和量子信息等领域的应用奠定了重要基础。相关科研成果日前以《基于集成光量子频率梳芯片的连续变量多体量子纠缠》为题发表于国际学术期刊《自然》。 發(fā)表于：2025/2/24 中国量子直接通信迈向实用 2月23日消息，最近，北京量子信息科学研究院与清华大学、北方工业大学合作，提出单向量子直接通信理论，并成功研制出实用化系统，创造了2.38kps@104.8km@168小时的长距离稳定传输世界纪录。 这标志着，量子直接通信已经从理论构想成功迈向实际应用阶段。 相关成果以已发表于国际知名期刊《Science Advances》。 發(fā)表于：2025/2/24 英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2 为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。 發(fā)表于：2025/2/21 预计2025年全球智驾芯片市场规模或达76亿美金 群智咨询称，随着政策法规陆续落地、技术迭代逐步成熟、用户智能化需求增加，多重因素的共同作用推进着L3级智能驾驶正逐步走向量产落地。根据《2024-2030年群智咨询全球汽车智能驾驶芯片行业发展趋势深度研究报告》数据，2024年全球智能驾驶SoC市场规模约50亿美金，同比增长高达62%。据其预测数据，2025年全球智能驾驶SoC市场规模有望达到76亿美金，同比增长51%，其中大算力高集成化芯片(按算力＞100TOPS统计)占比将首次突破25%。 發(fā)表于：2025/2/21 ADI宣称已度过半导体行业周期最低谷 2 月 20 日消息，模拟芯片领域龙头企业 Analog Devices首席执行官兼总裁 Vincent Roche 在公司 2025 财年第一财季（截至 2 月 1 日）财报电话会议上表示，该企业已重回上升轨道。 Vincent Roche 认为，根据过去 18 个月所监测到的渠道库存水位下降、预订量逐步回升等信号，该企业已度过了半导体行业周期的最低谷，市场形势已转向对其有利，ADI 正处于持续复苏的有利位置。 發(fā)表于：2025/2/21 基于全桥半桥切换LLC谐振变换器的霍尔电源设计 针对深空探测等空间任务电推力器高输入电压的需求，设计出一种适用于霍尔电推进系统的电源处理单元，对LLC谐振变换器对半桥全桥动态拓扑切换和软启动进行研究，实现高效率、宽范围的输出。通过建立LLC谐振变换器的基波模型，分析频率与增益的特性曲线，K值和Q值的选值，实现变频率控制输出电压，并设计基于同时变频和变占空比的低尖峰全桥半桥切换模式。同时为满足电推进所需的软启动功能，根据移相全桥软启动设计出基于改变LLC谐振变换器MOSFET移相角的分段线性的软启动模式。为了验证设计性能，设计了一款5 kW的全数字样机，输入400 V输出200 ~1 000 V，能够实现LLC谐振变换器宽范围、高效率的输出。 發(fā)表于：2025/2/20 <…121122123124125126127128129130…>
