sk海力士相關(guān)文章(354篇)

SK海力士有望2月啟動(dòng)業(yè)界最先進(jìn)1c nm制程DRAM量產(chǎn)
發(fā)表于：2025/1/20 11:15:12
SK海力士擬對(duì)NAND Flash減產(chǎn)10%
發(fā)表于：2025/1/16 10:44:22
2024Q3全球TOP7半導(dǎo)體廠(chǎng)商瓜分近半市場(chǎng)
發(fā)表于：2025/1/13 14:21:00
SK海力士HBM研發(fā)速度已超英偉達(dá)要求
發(fā)表于：2025/1/13 13:12:20
傳三星西安NAND Flash工廠(chǎng)減產(chǎn)超10%
發(fā)表于：2025/1/13 11:29:05
傳三星等韓廠(chǎng)減產(chǎn)消費(fèi)級(jí)NAND Flash
發(fā)表于：2025/1/7 10:17:15
SK海力士中國(guó)公司被曝裁員
發(fā)表于：2024/12/31 9:44:19
消息稱(chēng)SK海力士加速準(zhǔn)備16Hi HBM3E量產(chǎn)
發(fā)表于：2024/12/26 10:53:05
DRAM內(nèi)存寒冬將至存儲(chǔ)三巨頭均下調(diào)營(yíng)收預(yù)期
發(fā)表于：2024/12/26 10:05:00
消息稱(chēng)SK海力士贏得博通HBM大單
發(fā)表于：2024/12/23 10:30:11
SK海力士獲4.58億美元芯片法案補(bǔ)貼
發(fā)表于：2024/12/20 11:28:19
SK海力士計(jì)劃對(duì)外提供先進(jìn)封裝代工服務(wù)
發(fā)表于：2024/12/18 11:21:21
SK海力士開(kāi)發(fā)出AI數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)PS1012 U.2
發(fā)表于：2024/12/18 10:06:36
Marvell推出定制HBM計(jì)算架構(gòu)
發(fā)表于：2024/12/11 11:03:12
Counterpoint發(fā)布2024Q3全球半導(dǎo)體收入榜單
發(fā)表于：2024/12/11 9:59:26
三星完成400層NAND Flash開(kāi)發(fā)
發(fā)表于：2024/12/10 11:15:18
SK海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)
發(fā)表于：2024/12/6 9:39:33
SK海力士將采用臺(tái)積電3nm生產(chǎn)HBM4
發(fā)表于：2024/12/5 10:57:17
韓國(guó)11月芯片出口額同比大漲30.8%至125億美元
發(fā)表于：2024/12/2 10:04:50
NAND閃存產(chǎn)業(yè)2024Q3整體營(yíng)收176億美元
發(fā)表于：2024/11/28 11:12:22
韓國(guó)計(jì)劃提供100億美元低息貸款支持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
發(fā)表于：2024/11/28 9:09:57
2024Q3全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收260.2億美元
發(fā)表于：2024/11/27 13:01:10
消息稱(chēng)特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4樣片
發(fā)表于：2024/11/21 11:09:01
SK海力士宣布量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存
發(fā)表于：2024/11/21 9:56:50
消息稱(chēng)內(nèi)存原廠(chǎng)考慮HBM4采用無(wú)助焊劑鍵合
發(fā)表于：2024/11/15 11:05:20
DDR4內(nèi)存正逐漸被放棄
發(fā)表于：2024/11/11 10:41:33
SK海力士正式發(fā)布全球首款48GB 16Hi HBM3E
發(fā)表于：2024/11/6 10:58:25
SK海力士稱(chēng)英偉達(dá)要求其提前6個(gè)月供應(yīng)HBM4
發(fā)表于：2024/11/5 11:30:51
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
SK海力士將集成3D檢測(cè)單元以提升12層HBM3E的良率和產(chǎn)量
發(fā)表于：2024/11/1 8:33:31

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