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基于CPLD的容錯(cuò)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

存儲(chǔ)器是電路系統(tǒng)中最常用的器件之一,采用大規(guī)模集成電路存儲(chǔ)芯片構(gòu)成。實(shí)際統(tǒng)計(jì)表明,存儲(chǔ)器在太空應(yīng)用中的主要錯(cuò)誤是由瞬態(tài)錯(cuò)誤(也叫單個(gè)事件擾動(dòng),SEU)所引起的一位錯(cuò)[1]或者相關(guān)多位錯(cuò),而隨機(jī)獨(dú)立的多位錯(cuò)誤極少。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的錯(cuò)誤大體上分為硬錯(cuò)誤和軟錯(cuò)誤,其中主要為軟錯(cuò)誤。硬錯(cuò)誤所表現(xiàn)的現(xiàn)象是在某個(gè)或某些位置上,存取數(shù)據(jù)重復(fù)地出現(xiàn)錯(cuò)誤。出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因是一個(gè)或幾個(gè)存儲(chǔ)單元出現(xiàn)故障。軟錯(cuò)誤主要是由α粒子引起的。存儲(chǔ)器芯片的材料中含有微量放射性元素,他們會(huì)間斷地釋放α粒子。這些粒子以相當(dāng)大的能量沖擊存儲(chǔ)電容,改變其電荷,從而引起存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。引起軟錯(cuò)誤的另一原因是噪聲干擾。同時(shí)在太空環(huán)境下,在帶電粒子足夠能量撞擊下,存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中的位發(fā)生翻轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生SEU錯(cuò)誤 [2] 。本文設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了用CPLD技術(shù)和糾檢錯(cuò)芯片對存儲(chǔ)器進(jìn)行容錯(cuò),大大提高了系統(tǒng)的可靠性。下面是具體容錯(cuò)存儲(chǔ)器和門警電路的設(shè)計(jì)。

發(fā)表于:7/27/2011