《電子技術(shù)應(yīng)用》
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德州儀器 PowerStack 封裝技術(shù)投入量產(chǎn)

新技術(shù)以獨(dú)一無二的堆棧方法將組合封裝技術(shù)推向新的高度,可為電源設(shè)計(jì)人員帶來 2D 到 3D 集成
2011-08-02
作者:德州儀器

  日前,德州儀器 (TI) 宣布 PowerStackTM 封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破 3000 萬套,該技術(shù)可為電源管理器件顯著提高性能,降低功耗,并改進(jìn)芯片密度。
  
  TI 模擬封裝部 Matt Romig 指出:“為實(shí)現(xiàn)寬帶移動(dòng)視頻與 4G 通信等更多內(nèi)容,計(jì)算應(yīng)用的性能需求不斷提升。與此同時(shí),也出現(xiàn)了電信與計(jì)算設(shè)備的小型化需求。通過從 2D 到 3D 集成的真正革命,PowerStack 可幫助 TI 客戶充分滿足這些需求。”
  
  PowerStack 技術(shù)的優(yōu)勢是通過創(chuàng)新型封裝方法實(shí)現(xiàn)的,即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFETTM 功率 MOSFET,并采用兩個(gè)銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的獨(dú)特組合可實(shí)現(xiàn)更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。
  
  通過 PowerStack 技術(shù)堆棧 MOSFET,最明顯的優(yōu)勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達(dá) 50%。除降低板級空間之外,PowerStack 封裝技術(shù)還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率。如欲了解有關(guān) PowerStack 優(yōu)勢的更多詳情,敬請?jiān)L問:ti.com/powerstack。
  
  TechSearch 國際創(chuàng)始人兼總裁 Jan Vardaman 表示:“PowerStack 是我在電源市場所見過的首項(xiàng)具有如此強(qiáng)大功能的封裝技術(shù),3D 封裝解決方案的勢頭在不斷加強(qiáng),該技術(shù)將是解決各種當(dāng)前及新一代設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想選擇。”
  
  PowerStack 現(xiàn)已在 TI Clark 廠投入量產(chǎn)。
  
  TI 菲律賓公司總經(jīng)理 Bing Viera 指出:“Clark 是我們位于菲律賓的、業(yè)界一流的最新封測廠。今年,我們將進(jìn)一步提升 Clark 高級封裝技術(shù)的產(chǎn)能,到第三季度該廠初期產(chǎn)能將提高近 1 倍。”
    
  如欲了解關(guān)于 TI 制造技術(shù)的更多詳情,敬請?jiān)L問:www.ti.com/powerstack-pr-mfg
  
通過領(lǐng)先封裝技術(shù)推進(jìn)模擬發(fā)展
  PowerStack 封裝技術(shù)再次凸顯了 TI 在封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù),其可為在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更進(jìn)一步的發(fā)展。TI 擁有數(shù)十年的豐富封裝專業(yè)技術(shù)經(jīng)驗(yàn),可為成千上萬種豐富產(chǎn)品、封裝配置與技術(shù)提供支持,從而可為模擬市場提供最豐富的封裝組合。如欲了解有關(guān) TI 領(lǐng)先封裝技術(shù)的更多詳情,敬請?jiān)L問:www.ti.com/powerstack-pr-pkg。
  
關(guān)于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)
  TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可為高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器系統(tǒng)以及電源應(yīng)用提高能源效率。此外,這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 還可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供當(dāng)前最高級的 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換解決方案。
  
  如欲了解有關(guān) TI NexFET™ Power Block 的更多詳情,敬請?jiān)L問:www.ti.com/powerblock-pr。
  
商標(biāo)
  PowerStack 與 NexFET 是德州儀器公司的商標(biāo)。所有其它注冊商標(biāo)與商標(biāo)均歸其各自所有者所有。

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