EDA與制造相關(guān)文章 芯片三巨头发力CFET架构以备战埃米时代 台积电三星英特尔发力CFET工艺以备战埃米时代 發(fā)表于：2024/6/4 埃赛力达推出首款适用于340 nm-360 nm波长范围的 以市场为导向的创新光电解决方案工业技术领导者——埃赛力达科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期宣布推出适用于340 nm-360 nm波长范围的LINOS? UV F-Theta Ronar低释气镜头。作为市场上首款采用低释气和不锈钢设计的可现货供应的UV F-Theta镜头，该新镜头比传统产品具有更强的耐用性，可处理更高的UV脉冲能量和超短激光脉冲，适用于半导体、晶片加工和电子显示行业中的激光材料加工应用。 發(fā)表于：2024/6/3 美光HBM内存能效优异迅速成为韩厂威胁 能效优异，消息称美光在 HBM 内存领域迅速成为韩厂威胁 6 月 3 日消息，韩媒 ETNews 近日报道指，在优异能效等因素下，美光正迅速在 HBM 内存领域成为 SK 海力士和三星电子两大韩国存储企业的威胁。 發(fā)表于：2024/6/3 中国电子学会绿色PC标准正式发布 中国绿色PC标准正式发布！首款酷睿Ultra绿色一体机减碳超60％ 發(fā)表于：2024/6/3 Intel CEO将宴请中国台湾供应链 Intel CEO将宴请中国台湾供应链：包括被NVIDIA独漏的仁宝电脑 發(fā)表于：2024/6/3 美国推迟对中国进口显卡主板等恢复征收关税 6月1日消息，据外媒最新报道称，美国推迟对中国进口的显卡、主板等产品征收关税，时间暂定宽限1年。 报道中提到，之前美国贸易代表（USTR）已通知，白宫将于6月15日对部分中国进口商品重新启动特朗普时代的关税。 其中，25%的关税将持续有效至2025年5月31日，但美国可以选择更新和延长关税，但最终他们还是选择延后。 由于中国长期以来一直是显卡、主板和许多其他组件的主要生产国，恢复征收关税有可能抬高产品价格。 据美国金融研究办公室（Office of the Federal Register OFR)公布的调查结果显示，加增25%的高关税会对美国PC市场造成很大损失。 目前没有替代的产品，几乎都来自中国制造，如果强制性加增，势必会让美国的PC玩家以更高价格才能买到产品。 發(fā)表于：2024/6/3 X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案 中国北京，2024年5月21日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。 發(fā)表于：2024/5/31 泰瑞达交付第 8,000 台 J750 半导体测试系统 2024年5月21日，中国 北京讯 —— 全球先进的自动测试设备供应商泰瑞达（NASDAQ:TER）今日宣布，与独立第三方集成电路测试服务企业伟测科技共同达成一项里程碑式结果，暨顺利交付第 8,000 台 J750 半导体测试平台。 發(fā)表于：2024/5/31 2024年度“瑞萨杯”信息科技前沿专题邀请赛火热开赛 2024 年 5 月 30 日，中国西安讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日与全国大学生电子设计竞赛（以下：NUEDC）组织委员会在西安交通大学就2024年度“瑞萨杯”信息科技前沿专题邀请赛（以下：AITIC）举办签署合作协议。值此，继2018年以来，两年一届的“瑞萨杯”信息科技前沿专题邀请赛第四届比赛，正式拉开帷幕。 發(fā)表于：2024/5/31 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程 台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示：AMD将采用三星3nm制程 發(fā)表于：2024/5/31 日本宣布严格管控半导体和机床等领域 日本宣布严格管控半导体和机床等领域：防止技术外漏 5月30日消息，据媒体报道，日本经济产业省近日宣布，将在半导体、先进电子零部件、蓄电池、机床及工业机器人、飞机零部件等五大关键产业领域实施更为严格的监管措施，以遏制技术外泄风险。 發(fā)表于：2024/5/31 三星1nm工艺量产计划提前至2026年 三星冲刺1nm工艺！量产计划提前至2026年 發(fā)表于：2024/5/31 三星两名芯片工人遭受辐射：造成事故机器已停用 5月30日消息，韩国核安全部门对三星电子展开了一项重要调查，调查起因是该公司在其一家芯片工厂内发生了一起辐射暴露事件，涉及两名工人。 这两名工人因手指出现“异常”的辐射症状被紧急送往医院接受专业治疗，目前他们已入院并正在接受更为细致的医学检查。尽管他们的手指呈现辐射暴露的迹象，但令人困惑的是，常规血液检测结果显示正常。 三星电子对此事件迅速作出反应，公开承认这两名员工在位于韩国器兴的半导体工厂中“手部意外受到X射线照射”。 發(fā)表于：2024/5/31 ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150%，可打印8nm线宽 發(fā)表于：2024/5/31 南亚科技首款1Cnm制程DRAM内存产品明年初试产 南亚科技：首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产 發(fā)表于：2024/5/30 <…160161162163164165166167168169…>
